基于镍/碳纳米管复合阵列的正极片制造技术

技术编号:11261268 阅读:58 留言:0更新日期:2015-04-03 01:44
本实用新型专利技术公开了一种基于镍/碳纳米管复合阵列的正极片,该正极片是导电基体上生长金属纳米多孔片后,在金属片上气相沉积碳纳米管阵列,再外加导电聚合物包覆而得,其中硫活性物质负载于金属片和碳纳米管阵列的表面外壁及金属片、碳纳米管的孔内。这种导电性高、倍率性好的复合正极可被用于二次铝电池中,用于提高电池的循环性能和能量密度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于镍/碳纳米管复合阵列的正极片,包括导电聚合物、碳纳米管‑Ni阵列、硫和导电基底,其特征在于,Ni片垂直生长于导电基底上,多壁碳纳米管原位生长于Ni纳米片表面,单质硫附着于Ni片和多壁碳纳米管阵列的外壁及孔内壁中,外层包覆导电聚合物形成三维立体层状结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:赵宇光汪清
申请(专利权)人:南京中储新能源有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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