一种无偏置端的小型规定时序混合延时继电器制造技术

一种无偏置端的小型规定时序混合延时继电器，其外壳封装在底座的上方，底座上通过玻璃绝缘子烧结固定有两个电源输入引出端A、J，且两个电源输入引出端A、J上固定有底层线路板和顶层线路板，顶层线路板上设有延时电路，底层线路板上安装有磁保持继电器；电源输入引出端A、J分别与延时电路的两个输入端连接，电源输入引出端A与磁保持继电器的前激励线圈和后激励线圈的一端连接；延时电路包括动作延时电路和释放延时电路，且动作延时电路的控制端通过导线与磁保持继电器前激励线圈的另一端连接，释放延时电路的控制端通过导线与磁保持继电器后激励线圈的另一端连接；本发明专利技术体积小、寿命长，生产调试方便，可靠性高。

【技术实现步骤摘要】
一种无偏置端的小型规定时序混合延时继电器
本专利技术属于延时继电器
，具体涉及一种无偏置端的小型规定时序混合延时继电器。
技术介绍
延时继电器主要分为5类延时方式，包括动作延时、释放延时、间隔定时、重复循环定时以及规定时序。在主机应用中，为了避免电路在上电及断电时电源产生的干扰，利用同一继电器实现动作延时和释放延时就尤为重要。已有类似规定时序的时间继电器通过软件编程实现类似规定时序，这种以混合集成电路或单片机为核心的时间继电器必须加入偏置电源，并且对偏置电源性能要求高，不适合无法提供偏置电源的主机使用。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题：设计一种无偏置端的小型规定时序混合延时继电器，以电子元器件替代单片机在同一继电器实现动作延时和释放延时，无须偏置电源，且采用两层结构设计，体积小、寿命长，环境适应性能好、可靠性高，泄漏率为：≤1×10-3Pa.cm3/s。本专利技术的技术解决方案：一种无偏置端的小型规定时序混合延时继电器，包括外壳和底座，外壳封装在底座的上方，外壳的上端设有安装螺钉；其特征是：所述底座上通过玻璃绝缘子烧结固定有两个电源输入引出端A、J，且两个电源输入引出端A、J上固定有底层线路板和顶层线路板，顶层线路板上设有延时电路，底层线路板上安装有磁保持继电器；所述电源输入引出端A、J分别与延时电路的两个输入端连接，电源输入引出端A与磁保持继电器的前激励线圈和后激励线圈的一端连接；所述延时电路包括动作延时电路和释放延时电路，且动作延时电路的控制端通过导线Ⅰ与磁保持继电器前激励线圈的另一端连接，释放延时电路的控制端通过导线Ⅱ与磁保持继电器后激励线圈的另一端连接；所述底座上通过玻璃绝缘子烧结固定有磁保持继电器触点引出端B、C、D，I、H、G。所述动作延时电路由单结晶体管V1、电容C1、三极管U1组成，电容C1并联在单结晶体管V1的A极和K极上，磁保持继电器的前激励线圈通过三极管U1串联在延时电路的两个输入端之间；电源输入引出端A通过电阻R1、电阻R2为电容C1充电，使单结晶体管V1的A极电压由零逐渐升高；电源输入引出端A通过电阻R3、电阻R4、电阻R5为单结晶体管V1的G极提供基准电压，当单结晶体管V1的A极电压高于G极电压时，单结晶体管V1的A、K两极导通，通过电阻R6驱动三极管U1的基极使三极管U1导通，磁保持继电器的前激励线圈通电，触点转换B、C，I、H接通，B、D，I、G断开，继电器实现动作延时；所述释放延时电路由单结晶体管V2、电容C2、C3、C4、可控硅U2组成，电容C3并联在单结晶体管V2的G、K两极，电容C4并联在单结晶体管V2的A、K两极，磁保持继电器6的后激励线圈通过可控硅U2串联在延时电路的两个输入端之间，且磁保持继电器的后激励线圈与可控硅U2串联后与电容C2并联；电源输入引出端A通过电阻R11为电容C2、C3、C4快速充电至规定电压，使单结晶体管V2的G极电压高于A极电压，单结晶体管V2及可控硅U2处于关断状态；当电源输入引出端A断电时，磁保持继电器保持前激励状态，电容C3通过电阻R8与R8’放电，使单结晶体管V2的A极电压高于G极电压，单结晶体管V2的A极与K极导通，电容C4形成泄放回路，通过电阻R10触发可控硅U2导通，电容C2通过磁保持继电器的后激励线圈及可控硅U2快速放电，磁保持继电器的后激励线圈得电，触点转换B、C，I、H断开，B、D，I、G接通，磁保持继电器实现释放延时。所述电阻R5上并联有热敏电阻RTC。所述电阻R1、R2为动作延时调节电阻；电阻R8、R8’为释放延时调节电阻。本专利技术与现有技术相比具有的优点和效果：1、本专利技术以电子元器件替代单片机在同一继电器实现动作延时和释放延时，无须偏置电源，且采用两层结构设计，体积小、寿命长，生产调试方便，环境适应性能好、可靠性高，泄漏率为：≤1×10-3Pa.cm3/s。2、本专利技术利用磁保持继电器衔铁在线圈断电后仍能保持在激励位置上的特点，通过延时电路，在不同时刻控制磁保持继电器的前激励线圈和后激励线圈分别实现动作延时和释放延时功能。在系统上电时，通过阻容元件的充放电过程实现动作延时，动作延时时间到达时驱动磁保持继电器前激励线圈；在系统断电时，利用磁保持继电器继续维持激励状态，通过储能元器件上储存的电能放电过程实现释放延时，在不需要偏置电源的情况下，通过电容的放电给磁保持继电器后激励线圈供电，实现释放延时功能。3、本专利技术在延时电路中加入温度补偿电路，提高延时精度。附图说明图1为本专利技术的外形图，图2为图1的仰视图，图3为本专利技术的内部结构示意图，图4为本专利技术的电路原理框图，图5为本专利技术的电原理图。具体实施方式结合附图1、2、3、4、5描述本专利技术的一种实施例。一种无偏置端的小型规定时序混合延时继电器，包括外壳1和底座2，外壳1封装在底座2的上方，外壳1的上端设有安装螺钉4；所述底座2上通过玻璃绝缘子烧结固定有两个电源输入引出端A、J，且两个电源输入引出端A、J上固定有底层线路板4和顶层线路板5，顶层线路板5上设有延时电路3，底层线路板4上安装有磁保持继电器6；所述电源输入引出端A、J分别与延时电路3的两个输入端连接，电源输入引出端A与磁保持继电器6的前激励线圈和后激励线圈的一端连接；所述延时电路3包括动作延时电路和释放延时电路，且动作延时电路的控制端通过导线Ⅰ7与磁保持继电器6前激励线圈的另一端连接，释放延时电路的控制端通过导线Ⅱ8与磁保持继电器6后激励线圈的另一端连接；所述底座2上通过玻璃绝缘子烧结固定有磁保持继电器6触点引出端B、C、D，I、H、G。所述动作延时电路由单结晶体管V1、电容C1、三极管U1组成，电容C1并联在单结晶体管V1的A极和K极上，磁保持继电器6的前激励线圈通过三极管U1串联在延时电路的两个输入端之间；电源输入引出端A通过电阻R1、电阻R2为电容C1充电，使单结晶体管V1的A极电压由零逐渐升高；电源输入引出端A通过电阻R3、电阻R4、电阻R5为单结晶体管V1的G极提供基准电压，当单结晶体管V1的A极电压高于G极电压时，单结晶体管V1的A、K两极导通，通过电阻R6驱动三极管U1的基极使三极管U1导通，磁保持继电器6的前激励线圈通电，触点转换B、C，I、H接通，B、D，I、G断开，继电器6实现动作延时。所述电阻R5上并联有热敏电阻RTC。所述电阻R1、R2为动作延时调节电阻。所述释放延时电路由单结晶体管V2、电容C2、C3、C4、可控硅U2组成，电容C3并联在单结晶体管V2的G、K两极，电容C4并联在单结晶体管V2的A、K两极，磁保持继电器6的后激励线圈通过可控硅U2串联在延时电路3的两个输入端之间，且磁保持继电器6的后激励线圈与可控硅U2串联后与电容C2并联；电源输入引出端A通过电阻R11为电容C2、C3、C4快速充电至规定电压，使单结晶体管V2的G极电压高于A极电压，单结晶体管V2及可控硅U2处于关断状态；当电源输入引出端A断电时，磁保持继电器6保持前激励状态，电容C3通过电阻R8与R8’放电，使单结晶体管V2的A极电压高于G极电压，单结晶体管V2的A极与K极导通，电容C4形成泄放回路，通过电阻R10触发可控硅U2导通，电容C2通过磁保持继电器6的后激励线圈本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无偏置端的小型规定时序混合延时继电器，包括外壳(1)和底座(2)，外壳(1)封装在底座(2)的上方，外壳(1)的上端设有安装螺钉(9)；其特征是：所述底座(2)上通过玻璃绝缘子烧结固定有两个电源输入引出端A、J，且两个电源输入引出端A、J上固定有底层线路板(5)和顶层线路板(6)，顶层线路板(5)上设有延时电路(3)，底层线路板(4)上安装有磁保持继电器(6)；所述电源输入引出端A、J分别与延时电路(3)的两个输入端连接，电源输入引出端A与磁保持继电器(6)的前激励线圈和后激励线圈的一端连接；所述延时电路(3)包括动作延时电路和释放延时电路，且动作延时电路的控制端通过导线Ⅰ(7)与磁保持继电器(6)前激励线圈的另一端连接，释放延时电路的控制端通过导线Ⅱ(8)与磁保持继电器(6)后激励线圈的另一端连接；所述底座(2)上通过玻璃绝缘子烧结固定有磁保持继电器(6)触点引出端B、C、D，I、H、G。

【技术特征摘要】
1.一种无偏置端的小型规定时序混合延时继电器，包括外壳(1)和底座(2)，外壳(1)封装在底座(2)的上方，外壳(1)的上端设有安装螺钉(9)；其特征是：所述底座(2)上通过玻璃绝缘子烧结固定有两个电源输入引出端A、J，且两个电源输入引出端A、J上固定有底层线路板(4)和顶层线路板(5)，顶层线路板(5)上设有延时电路(3)，底层线路板(4)上安装有磁保持继电器(6)；所述电源输入引出端A、J分别与延时电路(3)的两个输入端连接，电源输入引出端A与磁保持继电器(6)的前激励线圈和后激励线圈的一端连接；所述延时电路(3)包括动作延时电路和释放延时电路，且动作延时电路的控制端通过导线Ⅰ(7)与磁保持继电器(6)前激励线圈的另一端连接，释放延时电路的控制端通过导线Ⅱ(8)与磁保持继电器(6)后激励线圈的另一端连接；所述底座(2)上通过玻璃绝缘子烧结固定有磁保持继电器(6)触点引出端B、C、D，I、H、G；所述动作延时电路由单结晶体管V1、电容C1、三极管U1组成，电容C1并联在单结晶体管V1的A极和K极上，磁保持继电器(6)的前激励线圈通过三极管U1串联在延时电路的两个输入端之间；电源输入引出端A通过电阻R1、电阻R2为电容C1充电，使单结晶体管V1的A极电压由零逐渐升高；电源输入引出端A通过电阻R3、电阻R4、电阻R5为单结晶体管V1的G极提供基准电压，当单结晶体管V1的A极电压高于G极电压时，单结晶体管V1的A、K两极导通，通过电阻R6驱动...

【专利技术属性】
技术研发人员：张儒光，朱煜，
申请(专利权)人：陕西群力电工有限责任公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61