像素结构及其驱动方法技术

本发明专利技术公开了一像素结构，包含发光二极管、晶体管、数据接收单元、补偿单元及重置单元。晶体管包含控制端、第一端及第二端。上述晶体管电性耦接于发光二极管，并用以根据晶体管的控制端及第一端的电位差驱动发光二极管。数据接收单元电性耦接于晶体管的第一端，并用以根据第一扫描信号来提供像素数据信号至晶体管的第一端。补偿单元电性耦接于晶体管的控制端及第二端，并用以作为晶体管的控制端与第二端之间的电流路径。重置单元电性耦接于发光二极管，并用以致使发光二极管逆偏压，并且提供晶体管的控制端参考电压。再者，一种驱动方法亦在此揭露。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种显示技术及驱动方法，且特别是有关于一种像素结构及驱动方法。
技术介绍
随着科技进展，显示技术随之日新月异，主动矩阵有机发光二极管显示器(Active-matrix organic light-emitting d1de, AMOLED)即为近期的主要显不技术之一。相较于薄膜晶体管液晶显示器(Thin film transistor liquid crystaldisplay, TFT-1XD)，采用AMOLED制作的显示器具有自发光性、广视角、高对比、反应速度快等优点，因此，AMOLED技术广泛地被应用于电子产品的显示器中。 为驱动AM0LED，于像素中会配置像素结构，此像素结构通常由多个晶体管组成，并由像素结构中的驱动晶体管依据数据电压来驱动AM0LED。然而，晶体管变异、AMOLED老化等问题会导致显示器亮度不均，使得显示器的影像品质下降。为解决上述缺陷，现有的像素结构采用7TlC(seven transistors and one capacitors)的配置方式，以补偿驱动晶体管的临界电压，而能维持显示器的影像品质。然而，若于像素结构中配置大量的晶体管，则会衍生出像素开口率下降的问题。 由此可见，上述现有的方式，显然仍存在不便与缺陷，而有待改进。为了解决上述问题，相关领域莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来仍未发展出适当的解决方案。
技术实现思路

技术实现思路
旨在提供本揭示内容的简化摘要，以使阅读者对本揭示内容具备基本的理解。此
技术实现思路
并非本揭示内容的完整概述，且其用意并非在指出本专利技术实施例的重要/关键元件或界定本专利技术的范围。 本
技术实现思路
的一目的是在提供一种像素结构及驱动方法，藉以改善现有技术的问题。 为达上述目的，本
技术实现思路
的一技术态样是关于一种像素结构。此像素结构包含发光二极管、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管以及电容。第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管以及第五晶体管皆包含第一端、第二端及控制端。电容包含第一端以及第二端。第一晶体管的第一端用来接收一像素数据信号，第一晶体管的控制端用来接收一第一扫描信号，并根据第一扫描信号使像素数据信号自第一端传送至第二端。第二晶体管的第一端电性耦接于第一晶体管的第二端，且第二晶体管用来根据第二晶体管的控制端及第一端的电位差，以驱动发光二极管。第三晶体管的第一端用来接收一第一电源电压，第三晶体管的第二端电性耦接于第二晶体管的第一端，第三晶体管的控制端用来接收一第二扫描信号，并根据第二扫描信号使第一电源电压提供至第二晶体管。第四晶体管的第一端电性耦接于第二晶体管的第二端，第四晶体管的第二端电性耦接于发光二极管，第四晶体管的控制端用来接收第二扫描信号，并根据第二扫描信号使驱动电流提供至发光二极管。第五晶体管的第一端电性耦接于第二晶体管的第二端，第五晶体管的第二端电性耦接于第二晶体管的控制端，第五晶体管的控制端用来接收第一扫描信号，并根据第一扫描信号使第五晶体管的第一端导通至第五晶体管的第二端。第六晶体管用来致使发光二极管逆偏压，并且提供第二晶体管的控制端一参考电压。电容的第一端电性耦接于第三晶体管的第一端或第六晶体管，电容的第二端电性耦接于第二晶体管的控制端。 为达上述目的,本
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的再一技术态样是关于一种像素结构包含发光二极管、晶体管、数据接收单元、补偿单元及重置单元。此外，晶体管包含控制端、第一端及第二端。上述晶体管电性耦接于发光二极管，并用以根据晶体管的控制端及第一端的电位差驱动发光二极管。数据接收单元电性耦接于晶体管的第一端，并用以根据第一扫描信号来提供像素数据信号至晶体管的第一端。补偿单元电性耦接于晶体管的控制端及第二端，并用以作为晶体管的控制端与第二端之间的电流路径。重置单元电性耦接于发光二极管，并用以致使发光二极管逆偏压，并且提供晶体管的控制端参考电压。 为达上述目的，本
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的另一技术态样是关于一种驱动方法，此驱动方法是用来驱动一像素结构。前述像素结构包含发光二极管、数据接收单元、晶体管、补偿单元及重置单元，晶体管包含第一端、第二端及控制端，数据接收单元电性耦接于晶体管的第一端，补偿单元电性耦接于晶体管的控制端及第二端，重置单元电性耦接于发光二极管或晶体管的第二端。前述驱动方法包含控制重置单元接收并传送参考电压至发光二极管，以逆偏压发光二极管；控制补偿单元提供晶体管的控制端与第二端之间的电流路径，以传送参考电压至晶体管的控制端；控制数据接收单元，接收并传送像素数据信号至晶体管的第一端；以及根据晶体管的控制端及第一端的电位差，驱动发光二极管。 因此，根据本专利技术的
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，本专利技术实施例藉由提供一种像素结构及驱动方法，藉以改善晶体管变异、发光二极管老化等状况，所导致显示器亮度不均及显示器的影像品质下降的问题，更可进一步改善于像素结构中配置大量的晶体管，所衍生出像素开口率下降的问题。 在参阅下文实施方式后，本专利技术所属
中具有通常知识者当可轻易了解本专利技术的基本精神及其他专利技术目的，以及本专利技术所采用的技术手段与实施态样。 【附图说明】 为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式的说明如下: 图1A绘示依照本专利技术一实施例的一种像素结构的示意图。 图1B绘示依照本专利技术另一实施例的一种发光二极管的发光时间与亮度的实验数据图。 图1C绘示依照本专利技术再一实施例的一种如图1A所示的像素结构的详细电路示意图。 图2A绘示依照本专利技术又一实施例的一种如图1C所示的像素结构的操作示意图。 图2B绘示依照本专利技术另一实施例的一种如图1C所示的像素结构的操作示意图。 图2C绘示依照本专利技术再一实施例的一种如图1C所示的像素结构的操作示意图。 图2D绘示依照本专利技术又一实施例的一种如图1C所示的像素结构的操作示意图。 图2E绘示依照本专利技术再一实施例的一种如图1C所示的像素结构的控制波形示意图。 图3A绘示依照本专利技术另一实施例的一种像素结构的示意图。 图3B绘示依照本专利技术再一实施例的一种如图3A所示的像素结构的详细电路示意图。 图4A绘示依照本专利技术另一实施例的一种像素结构的示意图。 图4B绘示依照本专利技术再一实施例的一种如图4A所示的像素结构的详细电路示意图。 图4C绘示依照本专利技术又一实施例的一种如图4A所示的像素结构的控制波形示意图。 图5A绘示依照本专利技术另一实施例的一种像素结构的示意图。 图5B绘示依照本专利技术再一实施例的一种如图5A所示的像素结构的详细电路示意图。 图6A绘示依照本专利技术另一实施例的一种像素结构的示意图。 图6B绘示依照本专利技术再一实施例的一种如图6A所示的像素结构的详细电路示意图。 图7A绘示依照本专利技术又一实施例的一种如图6B所示的像素结构的操作示意图。 图7B绘示依照本专利技术再一实施例的一种如图6B所示的像素结构的操作示意图。 图7C绘示依照本专利技术又一实施例的一种如图6B所示的像素结构的操作示意图。 图7D绘示依照本专利技术再一实施例的一种如图6B所示的像素结构的控制波形示意图。 图8A绘示依照本专利技术另一实施例的一种像素结构的示意图。 图8B本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于，包含：一发光二极管；一第一晶体管，包含：一第一端，用来接收一像素数据信号；一第二端；以及一控制端，用来接收一第一扫描信号，并根据该第一扫描信号使该像素数据信号自该第一端传送至该第二端；一第二晶体管，包含一第一端、一第二端及一控制端，用来根据该第二晶体管的该控制端及该第一端的一电位差，驱动该发光二极管，其中该第二晶体管的该第一端电性耦接于该第一晶体管的该第二端；一第三晶体管，包含：一第一端，用来接收一第一电源电压；一第二端，电性耦接于该第二晶体管的该第一端；以及一控制端，用来接收一第二扫描信号，并根据该第二扫描信号使该第一电源电压提供至该第二晶体管；一第四晶体管，包含：一第一端，电性耦接于该第二晶体管的该第二端；一第二端，电性耦接于该发光二极管；以及一控制端，用来接收该第二扫描信号，并根据该第二扫描信号使该驱动电流提供至该发光二极管；一第五晶体管，包含：一第一端，电性耦接于该第二晶体管的该第二端；一第二端，电性耦接于该第二晶体管的该控制端；以及一控制端，用来接收该第一扫描信号，并根据该第一扫描信号使该第五晶体管的该第一端导通至该第五晶体管的该第二端；一第六晶体管，用来致使该发光二极管逆偏压，并且提供该第二晶体管的该控制端一参考电压；以及一电容，包含：一第一端，电性耦接于该第三晶体管的该第一端或该第六晶体管；以及一第二端，电性耦接于该第二晶体管的该控制端。...

【技术特征摘要】
2014.10.31 TW 1031378801.一种像素结构，其特征在于，包含: 一发光二极管； 一第一晶体管，包含: 一第一端，用来接收一像素数据信号； 一第二端；以及 一控制端，用来接收一第一扫描信号，并根据该第一扫描信号使该像素数据信号自该第一端传送至该第二端； 一第二晶体管，包含一第一端、一第二端及一控制端，用来根据该第二晶体管的该控制端及该第一端的一电位差，驱动该发光二极管，其中该第二晶体管的该第一端电性耦接于该第一晶体管的该第二端； 一第三晶体管，包含: 一第一端，用来接收一第一电源电压； 一第二端，电性耦接于该第二晶体管的该第一端；以及 一控制端，用来接收一第二扫描信号，并根据该第二扫描信号使该第一电源电压提供至该第二晶体管； 一第四晶体管，包含: 一第一端，电性耦接于该第二晶体管的该第二端； 一第二端，电性耦接于该发光二极管；以及 一控制端，用来接收该第二扫描信号，并根据该第二扫描信号使该驱动电流提供至该发光二极管； 一第五晶体管，包含: 一第一端，电性耦接于该第二晶体管的该第二端； 一第二端，电性耦接于该第二晶体管的该控制端；以及 一控制端，用来接收该第一扫描信号，并根据该第一扫描信号使该第五晶体管的该第一端导通至该第五晶体管的该第二端； 一第六晶体管，用来致使该发光二极管逆偏压，并且提供该第二晶体管的该控制端一参考电压；以及一电容，包含: 一第一端，电性耦接于该第三晶体管的该第一端或该第六晶体管；以及 一第二端，电性耦接于该第二晶体管的该控制端。2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第六晶体管包含: 一第一端，用来接收该参考电压； 一第二端，电性耦接于该第四晶体管的该第二端；以及 一控制端，用来接收一重置扫描信号或该第一扫描信号，并根据该重置扫描信号或该第一扫描信号使该参考电压自该第六晶体管的该第一端传送至该第六晶体管的该第二端。3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第六晶体管包含: 一第一端，用来接收该重置扫描信号； 一第二端，电性耦接于该第四晶体管的该第二端；以及 一控制端，电性耦接于该第六晶体管的该第一端，其中该重置扫描信号或该第一扫描信号自该第六晶体管的该第一端传送至该第六晶体管的该第二端。4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第六晶体管包含: 一第一端，用来接收该参考电压； 一第二端，电性耦接于该第二晶体管的该第二端；以及 一控制端，用来接收一重置扫描信号，并根据该重置扫描信号使该参考电压自该第六晶体管的该第一端传送至该第六晶体管的该第二端。5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第六晶体管包含: 一第一端，用来接收一重置扫描信号； 一第二端，电性耦接于该第二晶体管的该第二端；以及 一控制端，电性耦接于该第六晶体管的该第一端，其中该重置扫描信号自该第六晶体管的该第一端传送至该第六晶体管的该第二端。6.一种像素结构，其特征在于，包含: 一发光二极管； 一晶体管，电性耦接于该发光二极管，包含一控制端、一第一端及一第二端，用以根据该晶体管的该控制端及该第一端的一电位差驱动该发光二极管； 一数据接收单元，电性耦接于该晶体管的该第一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：许文曲，吴璧丞，任珂锐，李建亚，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：国台湾;71