半导体装置的检查方法以及半导体装置的检查装置制造方法及图纸

一种半导体装置的检查方法，具备：边对将半导体元件和基板以包含金属微颗粒的接合件进行了接合的半导体装置进行加热、边随时间推移地取得所述半导体装置中的热分布的图像数据的工序；基于所述图像数据，求出分形维数的时间变化的工序；求出所述分形维数的时间变化的斜率的工序；以及对所述斜率与预先设定的基准的斜率进行比较来判定所述半导体装置的好坏的工序。

【技术实现步骤摘要】
（相关申请的引用）本申请以2013年9月13日申请的在先的日本专利申请2013－191108号的权利的利益为基础，要求该利益，通过引用其内容整体而包含于此。
在此说明的实施方式整体上涉及半导体装置的检查方法以及半导体装置的检查装置。
技术介绍
半导体元件与基板的接合部使用接合件。接合件使用例如Sn－95Pb～Sn－90Pb、SnAg类的材料。此外，近年来，有扩散接合或使用了Ag、Au、Cu等金属微颗粒的烧结接合等。这些接合部的好坏判定使用放大镜等一个一个地观察半导体元件的接合部而判定。此外，烧结接合或扩散接合的接合厚度为几十μm，与焊料接合部相比，为1/10左右的厚度。为此，以肉眼进行精确地检查变得非常困难。此外，接合部的厚度较薄，因此热电阻也较小。即，在使用了热电阻的检查中，电阻变化较少，容易产生误差。精确地进行使用了包含金属微颗粒的接合件的半导体元件的接合部的好坏判定是重要的。
技术实现思路
本专利技术要解决的课题在于，提供一种半导体装置的检本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的检查方法，具备如下工序：边对将半导体元件和基板以包含金属微颗粒的接合件进行了接合的半导体装置进行加热，边随时间推移地取得所述半导体装置中的热分布的图像数据的工序；基于所述图像数据求出分形维数的时间变化的工序；求出所述分形维数的时间变化的斜率的工序；以及基于所述斜率与预先设定的基准的斜率的比较，来判定所述半导体装置的好坏的工序。

【技术特征摘要】
2013.09.13 JP 2013-1911081.一种半导体装置的检查方法，具备如下工序：
边对将半导体元件和基板以包含金属微颗粒的接合件进行了接合的半
导体装置进行加热，边随时间推移地取得所述半导体装置中的热分布的图
像数据的工序；
基于所述图像数据求出分形维数的时间变化的工序；
求出所述分形维数的时间变化的斜率的工序；以及
基于所述斜率与预先设定的基准的斜率的比较，来判定所述半导体装
置的好坏的工序。
2.如权利要求1所述的半导体装置的检查方法，
求出所述分形维数的时间变化的斜率的工序包括如下工序：
求出从加热开始起100秒以内的所述斜率。
3.如权利要求1所述的半导体装置的检查方法，还具备如下工序：
根据所述分形维数的时间变化的斜率的值，预测在所述半导体元件与
所述基板之间产生的龟裂的进展率。
4.如权利要求1所述的半导体装置的检查方法，
所述半导体元件包含SiC以及GaN中的某一种。
5.如权利要求1所述的半导体装置的检查方法，
所述金属微颗粒包含从包括Ag、Au以及Cu的组中选择出的至少一种。
6.如权利要求2所述的半导体装置的检查方法，还具备如下工序：
根据所述分形维数的时间变化的斜率的值，预测在所述半导体元件与
所述基板之间产生的龟裂的进展率。
7.如权利要求2所述的半导体装置的检查方法，
所述半导体元件包含SiC以及GaN中的某一种。
8.如权利要求2所述的半导体装置的检查方法，
所述金属微颗粒包含从包括Ag、Au以及Cu的组中选择出的至少一种。
9.如权利要求3所述的半导体装置的检查方法，
所述半导体元件包含SiC以及GaN中的某一种。
10.如权利要求3所述的半导体装置的检查方法，
所述金属微颗粒包含从包括Ag、Au以及Cu的组...

【专利技术属性】
技术研发人员：久里裕二，小谷和也，佐佐木遥，平塚大祐，松村仁嗣，北泽秀明，安达健二，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP