ABS远侧的变化数据写入器侧屏蔽间隙制造技术

本申请公开了ABS远侧的变化数据写入器侧屏蔽间隙。数据写元件可至少配置有写入极，所述写入极定位成沿第一轴线邻近第一屏蔽件且沿第二轴线邻近第二屏蔽件。使所述第二屏蔽件在气浮表面(ABS)上与所述写入极隔开第一间隙距离且在所述ABS远侧与写入极隔开第二间隙距离，所述第一和第二间隙距离在平行于ABS取向的过渡表面处会合。

【技术实现步骤摘要】
专利技术概述各个实施方案总体涉及能够在各种数据存储环境中对数据位编程的磁元件。匹配的实施方案调谐数据写入元件，至少一个写入极定位成沿第一轴线邻近第一屏蔽件且沿第二轴线邻近第二屏蔽件。第二屏蔽件可以在气浮表面(ABS)上与写入极隔开第一间隙距离且在ABS远侧与写入极隔开第二间隙距离，第一和第二间隙距离在平行于ABS取向的过渡表面处会合。附图说明图1是依照各个实施方案构造和操作的实施例的数据存储系统的框图表示。图2示出了能够在图1的数据存储设备中使用的数据存储设备的部分的框图表示。图3示出了能够在图2的数据存储设备中使用的实施例的磁元件的部分的框图表示。图4显示了依照各个实施方案构造的实施例的磁元件的剖视框图表示。图5示出了依照一些实施方案配置的实施例的磁元件的部分的剖视框图表示。图6是依照匹配的实施方案构造的实施例的磁元件的部分的剖视框图表示。图7显示了依照各个实施方案配置的实施例的磁元件的部分的剖视框图表示。图8本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括沿第一轴线与第一屏蔽件相邻且沿第二轴线与第二屏蔽件相邻的写入极，所述第二屏蔽件在气浮表面(ABS)上与所述写入极隔开第一间隙距离且在所述ABS远侧与所述写入极隔开第二间隙距离，所述第一和第二间隙距离在平行于所述ABS取向的第一过渡表面处会合。

【技术特征摘要】
2013.09.25 US 14/036,6981.一种装置，包括沿第一轴线与第一屏蔽件相邻且沿第二轴线与第
二屏蔽件相邻的写入极，所述第二屏蔽件在气浮表面(ABS)上与所述写
入极隔开第一间隙距离且在所述ABS远侧与所述写入极隔开第二间隙距
离，所述第一和第二间隙距离在平行于所述ABS取向的第一过渡表面处会
合。
2.如权利要求1所述的装置，其中所述第一屏蔽件包括后屏蔽件，
所述后屏蔽件定位在所述写入极的下磁道。
3.如权利要求2所述的装置，其中所述第二屏蔽件包括侧屏蔽件，
所述侧屏蔽件定位成横向地邻近所述写入极且在所述第一屏蔽的上磁道。
4.如权利要求3所述的装置，其中所述写入极布置在匹配的侧屏蔽
件之间。
5.如权利要求1所述的装置，其中所述写入极包括以第一形状从所
述ABS延伸出的第一侧壁，所述第二屏蔽件包括以第二形状从所述ABS
延伸出的第二侧壁，所述第一形状和第二形状不同。
6.如权利要求1所述的装置，其中所述第二屏蔽件包括平行于所述
ABS取向的第二过渡表面，所述第一和第二过渡表面与所述ABS隔开不
同的距离。
7.如权利要求6所述的装置，其中所述第一和第二过渡表面具有不
同的长度，所述长度是平行于所述ABS测量到的。
8.如权利要求1所述的装置，其中所述第一过渡表面将所述第一间
隙距离增加到所述第二间隙距离。
9.磁元件，包括沿第一轴线邻近第一屏蔽件且沿第二轴线邻近第二
屏蔽件的写入极，所述第二屏蔽件构造为具有第一和第二屏蔽子层的水平
层叠件，所述第二屏蔽件在气浮表面(ABS)与所述写入极隔开第一间隙
距离且在所述ABS远侧与所述写入极隔开第二间隙距离，所述第一和第二

【专利技术属性】
技术研发人员：M·A·巴谢尔，M·格宾斯，S·巴苏，M·B·穆尼，
申请(专利权)人：希捷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US