ABS远侧的变化数据写入器侧屏蔽间隙制造技术

本申请公开了ABS远侧的变化数据写入器侧屏蔽间隙。数据写元件可至少配置有写入极，所述写入极定位成沿第一轴线邻近第一屏蔽件且沿第二轴线邻近第二屏蔽件。使所述第二屏蔽件在气浮表面(ABS)上与所述写入极隔开第一间隙距离且在所述ABS远侧与写入极隔开第二间隙距离，所述第一和第二间隙距离在平行于ABS取向的过渡表面处会合。

【技术实现步骤摘要】
专利技术概述各个实施方案总体涉及能够在各种数据存储环境中对数据位编程的磁元件。匹配的实施方案调谐数据写入元件，至少一个写入极定位成沿第一轴线邻近第一屏蔽件且沿第二轴线邻近第二屏蔽件。第二屏蔽件可以在气浮表面(ABS)上与写入极隔开第一间隙距离且在ABS远侧与写入极隔开第二间隙距离，第一和第二间隙距离在平行于ABS取向的过渡表面处会合。附图说明图1是依照各个实施方案构造和操作的实施例的数据存储系统的框图表示。图2示出了能够在图1的数据存储设备中使用的数据存储设备的部分的框图表示。图3示出了能够在图2的数据存储设备中使用的实施例的磁元件的部分的框图表示。图4显示了依照各个实施方案构造的实施例的磁元件的剖视框图表示。图5示出了依照一些实施方案配置的实施例的磁元件的部分的剖视框图表示。图6是依照匹配的实施方案构造的实施例的磁元件的部分的剖视框图表示。图7显示了依照各个实施方案配置的实施例的磁元件的部分的剖视框图表示。图8显示了依照一些实施方案构造的实施例的磁元件的部分的剖视框图表示。图9提供了依照配平的实施方案执行的实施例的写元件制造工序的流程图。专利技术详述数据存储部件的物理尺寸的减小已经为数据存储设备形状因数减小以及数据容量增加铺平了道路。在数据存储设备的数据写方面，磁屏蔽件关于发射磁通的写入极定位，并且下磁道后屏蔽件能够经调谐以提高写磁场、场梯度、场角和曲率锐度。然而，数据存储介质上数据磁道的物理尺寸的最小化会导致磁通沿着交叉磁道轴线横向地发射而不利地影响特征在于相邻磁道干扰(ATI)和写后擦除(EAW)状态的相邻数据位。因此，行业持续性的目标是增强写入极的侧屏蔽，特别是在形状因数减小的、高面积数据位密度的数据存储环境中。在考虑到这些问题的情况下，数据存储设备能够配置有沿第一轴线邻近第一屏蔽件定位且沿第二轴线邻近第二屏蔽件定位的写入极，第二屏蔽件在气浮表面(ABS)上与写入极隔开第一间隙距离且在ABS远侧与所述写入极隔开第二间隙距离，第一和第二间隙距离在平行于ABS取向的过渡表面处会合。关于ABS的非正形的侧屏蔽间隙距离允许在保持写入极的磁性程度的情况下有更大的磁场和场梯度。可以在材料和构造方面进一步调谐侧屏蔽件，如匹配的实施方案将侧屏蔽件形成为屏蔽子层的水平层叠件，每个子层接触ABS。可设想的是，经调谐的写入极和侧屏蔽件能够用于不受限制的各种数据存储环境。图1提供了依照各个实施方案构造的实施例的数据存储环境100的框图表示。环境100具有至少一个处理器102或控制器，其分别地或者同时地与一个或多个数据存储设备104通信且控制一个或多个数据存储设备104。数据存储设备104能够由存储数据位形式的数据的至少一个数据存储介质106来构造和操作。匹配的实施方案可以将处理器102封装在数据存储设备104内，而其它实施方案使用位于数据存储设备104内部和外部的多个处理器102。一个或多个本地处理器102的使用能够允许多个数据存储设备104用作本地数据存储方案的部分。处理器102与其它设备108、存储器110和控制器112经由适当的协议在网络114上通信的能力允许在提供增强的处理能力的同时实现其它的数据存储方案，类似于冗余独立磁盘阵列(RAID)和数据高速缓存。值得注意的是，网络114可以是有线或无线的以将本地处理器102连接到不受限制的多种计算部件，无限制。因此，数据存储环境100能够经调谐以使用多种多样的计算部件来提供几乎任何类型的数据存储能力，诸如云计算、虚拟机和冗余存储阵列。图2显示了依照匹配的实施方案构造和操作的实施例的数据存储设备120的部分的框图表示。数据存储系统120使用邻近数据存储介质124定位且与数据存储介质124隔开气浮面126的数据位编程换能器122。主轴电动机128能够通过一个或多个本地或远程的控制器来控制以旋转数据存储介质124并且产生预定的气浮面126尺寸。通过数据换能器122的致动运动结合数据存储介质124的旋转，作为不同数据磁道132的部分的选定数据位130能够被访问以读和写与逻辑主体和数字存储器对应的预定磁极。一个或多个数据位130的编程能够通过不受限制的各种换能构造来实现。如图2的剖面部分所示，数据换能器122具有主极134，其通过磁屏蔽件138和气浮表面(ABS)上的写间隙与复位极136隔开。相应的极134和136可以具有有利于从主极134通过数据存储介质134到达复位极136完成磁路的形状和尺寸。由于磁轭140朝向主极134传导磁通，磁路能够发射由磁线圈产生且从主极134发射的磁通。换能部122可以单独地或者与诸如数据传感电阻传感器的其他换能装置结合地位于致动组件144的头部平衡圈环组件142部分上。行业在增强数据存储容量上的重点具有减小宽度的数据磁道132，从而适应数据存储介质124上的更多数据磁道132。这种数据磁道130宽度的减小能够与写入极134的更精确的磁范围对应，由于与具有固定枢转点的致动组件144相关联的斜角，写入极134的更精确的磁范围难以在与各数据磁道132对准的同时而产生。能够通过磁屏蔽来补偿数据磁道132的最小化和更宽范围的斜角，而不会随着主极134与屏蔽件之间的磁分路增加而导致性能下降。图3是能够在图2的数据存储设备120中使用的实施例的数据写入元件150的部分的框图表示。写入极152具有大致梯形形状，其能够有助于将磁通定位在前边缘154处，这样能够有助于对配置有高面密度的数据位进行编程。能够对前屏蔽件156、后屏蔽件158和侧屏蔽件160进一步调谐尺寸和形状以使磁屏蔽与磁分路的风险平衡。虽然能够调节后屏蔽件158以增强写入极152的磁性能，但是调谐侧屏蔽件160使得平衡屏蔽与分路更难。由于这些困难，磁通会从写入极152横向地泄漏并且在写后擦除(EAW)和相邻磁道干扰(ATI)状态下会不利地影响相邻数据磁道上的数据位。因此，无效的侧屏蔽件60会妨碍通过调谐写入极152和后屏蔽件158所带来的任何益处。图4提供了依照一些实施方案构造成具有大致T形截面写入极172的实施例的数据写入器170的部分的剖面框图表示，大致T形截面写入极172能够增强到ABS的磁通输送。写入极172具有收敛于ABS近侧的喉部区域174的连续曲线侧壁。能够对喉部区域174进行沿X轴线的宽度176的调谐以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括沿第一轴线与第一屏蔽件相邻且沿第二轴线与第二屏蔽件相邻的写入极，所述第二屏蔽件在气浮表面(ABS)上与所述写入极隔开第一间隙距离且在所述ABS远侧与所述写入极隔开第二间隙距离，所述第一和第二间隙距离在平行于所述ABS取向的第一过渡表面处会合。

【技术特征摘要】
2013.09.25 US 14/036,6981.一种装置，包括沿第一轴线与第一屏蔽件相邻且沿第二轴线与第
二屏蔽件相邻的写入极，所述第二屏蔽件在气浮表面(ABS)上与所述写
入极隔开第一间隙距离且在所述ABS远侧与所述写入极隔开第二间隙距
离，所述第一和第二间隙距离在平行于所述ABS取向的第一过渡表面处会
合。
2.如权利要求1所述的装置，其中所述第一屏蔽件包括后屏蔽件，
所述后屏蔽件定位在所述写入极的下磁道。
3.如权利要求2所述的装置，其中所述第二屏蔽件包括侧屏蔽件，
所述侧屏蔽件定位成横向地邻近所述写入极且在所述第一屏蔽的上磁道。
4.如权利要求3所述的装置，其中所述写入极布置在匹配的侧屏蔽
件之间。
5.如权利要求1所述的装置，其中所述写入极包括以第一形状从所
述ABS延伸出的第一侧壁，所述第二屏蔽件包括以第二形状从所述ABS
延伸出的第二侧壁，所述第一形状和第二形状不同。
6.如权利要求1所述的装置，其中所述第二屏蔽件包括平行于所述
ABS取向的第二过渡表面，所述第一和第二过渡表面与所述ABS隔开不
同的距离。
7.如权利要求6所述的装置，其中所述第一和第二过渡表面具有不
同的长度，所述长度是平行于所述ABS测量到的。
8.如权利要求1所述的装置，其中所述第一过渡表面将所述第一间
隙距离增加到所述第二间隙距离。
9.磁元件，包括沿第一轴线邻近第一屏蔽件且沿第二轴线邻近第二
屏蔽件的写入极，所述第二屏蔽件构造为具有第一和第二屏蔽子层的水平
层叠件，所述第二屏蔽件在气浮表面(ABS)与所述写入极隔开第一间隙
距离且在所述ABS远侧与所述写入极隔开第二间隙距离，所述第一和第二

【专利技术属性】
技术研发人员：M·A·巴谢尔，M·格宾斯，S·巴苏，M·B·穆尼，
申请(专利权)人：希捷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US