嵌入式闪存的形成方法技术

一种嵌入式闪存的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括存储区域和外围电路区域；在半导体衬底的存储区域上形成栅极堆叠层；在栅极堆叠层上形成间隔排列的侧墙；沿着侧墙之间的间隔刻蚀栅极堆叠层，以在栅极堆叠层内形成沟槽；在沟槽以及间隔内形成字线栅；在字线栅上形成保护层，保护层为多层堆叠结构；在半导体衬底的外围电路区域形成逻辑电路的器件；形成逻辑电路的器件之后，以侧墙、字线栅、以及剩余的保护层为掩模刻蚀栅极堆叠层，以形成栅极结构。本发明专利技术解决了下述问题：现有嵌入式闪存的形成方法中，在形成栅极结构的过程中，字线栅的顶部会被去除，对闪存的结构造成破坏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器
，特别是涉及一种嵌入式闪存(Embedded Flash Memory)的形成方法。
技术介绍
在目前的半导体产业中，集成电路产品主要可分为三大类型，分别为逻辑电路、存储器、模拟电路，其中存储器在集成电路产品中占了相当大的比例。而在存储器中，近年来闪存的发展尤为迅速。它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，具有集成度高、存储速度快、易于擦除和重写等多项优点，因而在微机、自动化控制等多个领域具有广泛的应用。随着半导体技术的发展需要，要求将存储器与其他器件同时形成在同一个芯片上，以形成嵌入式存储器。现有一种嵌入式闪存的形成方法包括：如图1所示，提供半导体衬底1，半导体衬底1包括存储区域Ⅰ和外围逻辑区域Ⅱ；在半导体衬底1的存储区域Ⅰ上形成栅极堆叠层2，栅极堆叠层2自上至下依次包括遂穿氧化材料层21、浮栅层22、介电材料层23、以及控制栅层24；在栅极堆叠层2上形成间隔设置的侧墙3；沿着侧墙3之间的间隔刻蚀栅极<br>堆叠层2，以在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种嵌入式闪存的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括存储区域和外围电路区域；在所述半导体衬底的存储区域上形成栅极堆叠层；在所述栅极堆叠层上形成间隔排列的侧墙；沿着所述侧墙之间的间隔刻蚀所述栅极堆叠层，以在所述栅极堆叠层内形成沟槽；在所述沟槽以及间隔内形成字线栅；在所述字线栅上形成保护层，所述保护层为多层堆叠结构；在所述半导体衬底的外围电路区域形成逻辑电路的器件；形成所述逻辑电路的器件之后，以所述侧墙、字线栅、以及剩余的保护层为掩模刻蚀所述栅极堆叠层，以形成栅极结构。

【技术特征摘要】
1.一种嵌入式闪存的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括存储区域和外围电路区域；
在所述半导体衬底的存储区域上形成栅极堆叠层；
在所述栅极堆叠层上形成间隔排列的侧墙；
沿着所述侧墙之间的间隔刻蚀所述栅极堆叠层，以在所述栅极堆叠层内
形成沟槽；
在所述沟槽以及间隔内形成字线栅；
在所述字线栅上形成保护层，所述保护层为多层堆叠结构；
在所述半导体衬底的外围电路区域形成逻辑电路的器件；
形成所述逻辑电路的器件之后，以所述侧墙、字线栅、以及剩余的保护
层为掩模刻蚀所述栅极堆叠层，以形成栅极结构。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述多层堆叠结构包括：第
一氧化硅层、以及位于所述第一氧化硅层上的氮化硅层，所述第一氧化硅
层位于保护层的最底层。
3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述第一氧化硅层利用氧化
工艺形成。
4.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述氮化硅层利用低压化学
气相沉积工艺形成。
5.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述侧墙的形成方法包括：
在所述栅极堆叠层、以及半导体衬底的外围逻辑区...

【专利技术属性】
技术研发人员：王哲献，高超，江红，李冰寒，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31