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一种嵌入式闪存的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括存储区域和外围电路区域；在半导体衬底的存储区域上形成栅极堆叠层；在栅极堆叠层上形成间隔排列的侧墙；沿着侧墙之间的间隔刻蚀栅极堆叠层，以在栅极堆叠层内形成沟槽；在沟槽以及间隔内形成...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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