【技术实现步骤摘要】
一种表面型半导体激光器件防短路结构
本专利技术涉及半导体激光器制备封装技术,特别是指一种表面型半导体激光器件防短路结构。
技术介绍
由于半导体激光器件具有体积小、效率高、可靠性好、易集成等优点,已经成为光电行业中最有发展前途的产品,被广泛应用于工业、军事、医疗和材料处理等领域。以蓝宝石为衬底的蓝光半导体激光器经济实用,结构简单,可靠性高,在市场上的占有率高居不下。由于其衬底是由电导率较低的蓝宝石构成,故在生长器件时需通过外延生长、化学腐蚀、扩散、制作电极等方法将其生长成具有台阶的表面型结构(如图2)。这种结构解决了蓝宝石衬底不能导电的问题,但表面型半导体器件在封装过程中,由于其为台阶型结构,故表面高低不平,容易造成电极接触不良,进而导致器件在使用中可能出现烧毁或寿命缩短等情况,这会严重影响半导体激光器件的性能及应用。 目前弥补表面型半导体激光器件存在高度差的方法通常是增厚焊料或制造台阶型热沉。在应用增厚焊料的方法时,因器件尺寸过小,P型电极与N型电极之间的绝缘沟道过窄,以致在焊接过程中,两侧电极的焊料易溢出导通而造成短路现象,这大大增加了封装的难度。
技术实现思路
为解决上述技术问题,本专利技术提供一种表面型半导体激光器件防短路结构,其有效得防止了在焊接中可能发生的短路情况,减小了封装的难度,优化了封装效果。 本专利技术提供一种表面型半导体激光器件防短路结构,其包括:蓝宝石衬底、外延生长层、P型电极和N型电极,所述外延生长层逐层沉积于所述蓝宝石衬底的上方,所述外延生长层上方形成P面和N面,所述P型电极和N型电极分别生于所 ...
【技术保护点】
一种表面型半导体激光器件防短路结构,其包括:蓝宝石衬底、外延生长层、P型电极和N型电极,所述外延生长层逐层沉积于所述蓝宝石衬底的上方,所述外延生长层上方形成P面和N面,所述P型电极和N型电极分别生于所述P面和N面上,所述P型电极和N型电极之间存在高度差,其特征在于,还包括:一绝缘挡板;所述P型电极和N型电极之间形成绝缘沟道;所述绝缘挡板生于所述绝缘沟道之上,位于所述P型电极和N型电极之间;且所述绝缘挡板通过光刻腐蚀所述外延生长层并镀绝缘层生成。
【技术特征摘要】
1.一种表面型半导体激光器件防短路结构,其包括:蓝宝石衬底、外延生长层、P型电极和N型电极,所述外延生长层逐层沉积于所述蓝宝石衬底的上方,所述外延生长层上方形成P面和N面,所述P型电极和N型电极分别生于所述P面和N面上,所述P型电极和N型电极之间存在高度差,其特征在于,还包括:一绝缘挡板; 所述P型电极和N型电极之间形成绝缘沟道; 所述绝缘挡板生于所述绝缘沟道之上,位于所述P型电极和N型电极之间; 且所述绝缘挡板通过光刻腐蚀所述外延生长层并镀绝缘层生成。2.如权利要求1所述的表面型半导体激光器件倒装焊电极结构,其特征在于, 所述绝缘挡板表面采用PVD的方式镀SiN或S12绝缘层。3.如权利要求1所述的表面型半导体激光器件倒装焊电极结构,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:尧舜,雷宇鑫,王智勇,邱运涛,贾冠男,高祥宇,吕朝蕙,
申请(专利权)人:北京工业大学,
类型:发明
国别省市:北京;11
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