一种逻辑保护射极耦合式放大电路制造技术

本发明专利技术公开了一种逻辑保护射极耦合式放大电路，其特征在于，主要由三极管Q1，三极管Q2，功率放大器P1，功率放大器P2，串接在功率放大器P1的反相端与输出端之间的电阻R3，串接在功率放大器P2的同相端与输出端之间的极性电容C3，串接在功率放大器P1的同相端与三极管Q1的集电极之间的电阻R1，串接在三极管Q1的集电极与三极管Q2的基极之间的电阻R2，与电阻R2相并联的电容C2，负极与功率放大器P1的同相端相连接等组成。本发明专利技术整体结构较为简单，其制作和使用非常方便。同时，本发明专利技术还能有效的降低电路自身和外界的射频干扰。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种放大电路，具体是指一种逻辑保护射极耦合式放大电路。
技术介绍
目前，功率放大电路的运用非常广泛，其主要是根据需求将相关的电压信号、电流信号及其他脉冲信号进行功率放大。然而，传统的功率放大电路在进行功率驱动放大后，不仅其放大信号的衰减幅度较大，而且还会受到外部的电磁干扰，进而使得放大信号性能较为不稳定，严重的制约了其深层次的使用和推广。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服目前功率放大电路存在的放大后的信号衰减幅度较大以及放大后信号性能不稳定的缺陷，提供一种逻辑保护射极耦合式放大电路。本专利技术的目的通过下述技术方案实现：一种逻辑保护射极耦合式放大电路，主要由三极管Q1，三极管Q2，功率放大器P1，功率放大器P2，串接在功率放大器P1的反相端与输出端之间的电阻R3，串接在功率放大器P2的同相端与输出端之间的极性电容C3，串接在功率放大器P1的同相端与三极管Q1的集电极之间的电阻R1，串接在三极管Q1的集电极与三极管Q2的基极之间的电阻R2，与电阻R2相并联的电容C2，负极与功率放大器P1的同相端相连接、正极经电阻R4后与三极管Q1的发射极相连接的极性电容C1，串接在三极管Q2的基极与极性电容C1的正极之间的电阻R5，正极与三极管Q2的发射极相连接、负极顺次经稳压二极管D1和电阻R6后与功率放大器P1的输出端相连接的电容C4，P极与功率放大器P2的输出端相连接、N极经电阻R8和电阻R7后与稳压二极管D1与电阻R6的连接点相连接的二极管D2，以及P极与电容C4的负极相连接、N极与二极管D2与电阻R8的连接点相连接的稳压二极管D3组成。所述三极管Q1的基极与极性电容C1的正极相连接，其发射极与三极管Q2的发射极相连接，其集电极与功率放大器P1的反相端相连接；三极管Q2的集电极与功率放大器P2的反相端相连接，功率放大器P2的同相端与功率放大器P1的输出端相连接。为确保使用效果，所述电容C2和电容C4优先采用贴片电容来实现。本专利技术较现有技术相比，具有以下优点及有益效果：（1）本专利技术整体结构较为简单，其制作和使用非常方便。同时，本专利技术还能有效的降低电路自身和外界的射频干扰。（2）本专利技术能确保经其放大后的信号不会发生较大的衰减，从而能确保放大信号的质量和性能。附图说明图1为本专利技术的整体结构示意图。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步地详细说明，但本专利技术的实施方式不限于此。实施例如图1所示，本专利技术主要由三极管Q1，三极管Q2，功率放大器P1，功率放大器P2，电阻R1，电阻R2，电阻R3，电阻R4，电阻R5，电阻R6，电阻R7，电阻R8，稳压二极管D1，二极管D2，稳压二极管D3，极性电容C1，电容C2，极性电容C3及电容C4组成。连接时，电阻R3串接在功率放大器P1的反相端与输出端之间，极性电容C3串接在功率放大器P2的同相端与输出端之间，电阻R1串接在功率放大器P1的同相端与三极管Q1的集电极之间，电阻R2则串接在三极管Q1的集电极与三极管Q2的基极之间，所述电容C2与电阻R2相并联。所述极性电容C1的负极与功率放大器P1的同相端相连接，其正极经电阻R4后与三极管Q1的发射极相连接；电阻R5串接在三极管Q2的基极与极性电容C1的正极之间；而电容C4的正极与三极管Q2的发射极相连接，其负极顺次经稳压二极管D1和电阻R6后与功率放大器P1的输出端相连接；稳压二极管D2的P极与功率放大器P2的输出端相连接、N极经电阻R8和电阻R7后与稳压二极管D1与电阻R6的连接点相连接；稳压二极管D3的P极与电容C4的负极相连接，其N极与二极管D2与电阻R8的连接点相连接。同时，所述三极管Q1的基极与极性电容C1的正极相连接，其发射极与三极管Q2的发射极相连接，其集电极与功率放大器P1的反相端相连接；三极管Q2的集电极与功率放大器P2的反相端相连接，功率放大器P2的同相端与功率放大器P1的输出端相连接。为确保使用效果，所述电容C2和电容C4为贴片电容，且其电容量均为5μF。如上所述，便可以很好的实现本专利技术。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种逻辑保护射极耦合式放大电路，其特征在于，主要由三极管Q1，三极管Q2，功率放大器P1，功率放大器P2，串接在功率放大器P1的反相端与输出端之间的电阻R3，串接在功率放大器P2的同相端与输出端之间的极性电容C3，串接在功率放大器P1的同相端与三极管Q1的集电极之间的电阻R1，串接在三极管Q1的集电极与三极管Q2的基极之间的电阻R2，与电阻R2相并联的电容C2，负极与功率放大器P1的同相端相连接、正极经电阻R4后与三极管Q1的发射极相连接的极性电容C1，串接在三极管Q2的基极与极性电容C1的正极之间的电阻R5，正极与三极管Q2的发射极相连接、负极顺次经稳压二极管D1和电阻R6后与功率放大器P1的输出端相连接的电容C4，P极与功率放大器P2的输出端相连接、N极经电阻R8和电阻R7后与稳压二极管D1与电阻R6的连接点相连接的二极管D2，以及P极与电容C4的负极相连接、N极与二极管D2与电阻R8的连接点相连接的稳压二极管D3组成；所述三极管Q1的基极与极性电容C1的正极相连接，其发射极与三极管Q2的发射极相连接，其集电极与功率放大器P1的反相端相连接；三极管Q2的集电极与功率放大器P2的反相端相连接，功率放大器P2的同相端与功率放大器P1的输出端相连接。...

【技术特征摘要】
1.一种逻辑保护射极耦合式放大电路，其特征在于，主要由三极管Q1，三极管Q2，功率放大器P1，功率放大器P2，串接在功率放大器P1的反相端与输出端之间的电阻R3，串接在功率放大器P2的同相端与输出端之间的极性电容C3，串接在功率放大器P1的同相端与三极管Q1的集电极之间的电阻R1，串接在三极管Q1的集电极与三极管Q2的基极之间的电阻R2，与电阻R2相并联的电容C2，负极与功率放大器P1的同相端相连接、正极经电阻R4后与三极管Q1的发射极相连接的极性电容C1，串接在三极管Q2的基极与极性电容C1的正极之间的电阻R5，正极与三极管Q2的发射极相连接、负极顺次经稳压二极管D1和电阻R6后与功...

【专利技术属性】
技术研发人员：高小英，车容俊，
申请(专利权)人：成都措普科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51