逻辑保护射极耦合式三滤波型多输出LED保护系统技术方案

本发明专利技术公开了逻辑保护射极耦合式三滤波型多输出LED保护系统，主要由栅极驱动电路，逻辑控制电路，功率放大器P1，功率放大器P2，脉冲比较器U1，脉冲比较器U2等组成，还设置有三滤波放大器和逻辑保护射极耦合式放大电路。本发明专利技术能够很好的对电路中的杂波进行过滤，大大提高了产品的精准性与适用范围，其不仅具有短路保护、过压保护及开路保护的功能，而且其功耗较低，仅为传统保护电路功耗的1/3。同时，本发明专利技术设有多路输出稳压电源，因此能确保保护电路自身的用电需求，能有效的避免外部电磁干扰，提高控制的灵敏度和精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种LED保护电路，具体是指逻辑保护射极耦合式三滤波型多输出LED保护系统。
技术介绍
目前，由于LED灯具有能耗低、使用寿命长以及安全环保等特点，其已经成为了人们生活照明的主流产品之一。由于LED灯不同于传统的白炽灯，其需要由专用的驱动电路来进行驱动，因此市面上便出现了各式各样的用于防止驱动系统免受内部或外部不利因素干扰的保护系统。虽然这些保护系统大多都具备短路保护功能和过热保护功能，但这些保护系统的结构往往都比较复杂，其维修难度较大。同时，这些保护系统的能耗较高，能有效避免LED灯驱动电路自身电路影响的力度较差，不能有效的整个驱动电路进行保护。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服目前LED灯保护系统所存在的结构复杂、能耗较高，以及全面保护力度较差的缺陷，提供逻辑保护射极耦合式三滤波型多输出LED保护系统。本专利技术的目的通过下述技术方案实现:逻辑保护射极耦合式三滤波型多输出LED保护系统，主要由栅极驱动电路，逻辑控制电路，与逻辑控制电路相连接的功率放大器Pl和功率放大器P2，与逻辑控制电路相连接的脉冲比较器Ul和脉冲比较器U2，栅极均与栅极驱动电路相连接的场效应管MOSl、场效应管MOS2、场效应管MOS3及场效应管M0S4，串接在脉冲比较器Ul的负极输入端和脉冲比较器U2的负极输入端之间的振荡器，输出端均与脉冲比较器Ul的正极输入端和脉冲比较器U2的正极输入端相连接的主误差放大器Wl和安全误差放大器W2，源极均与主误差放大器Wl和安全误差放大器W2的输出端相连接的场效应管MOS5和场效应管MOS6，以及分别与场效应管MOS1、场效应管MOS3、功率放大器Pl和功率放大器P2相连接并为其提供电流的多路输出稳压电源组成；在主误差放大器Wl的正极输入端和安全误差放大器W2的正极输入端之间串接有三滤波放大电路和逻辑保护射极耦合式放大电路。所述场效应管MOSl的漏极与场效应管MOS2的源极相连接，其源极与多路输出稳压电源的Vl电压端相连接；场效应管MOS2的栅极与功率放大器Pl的正极输入端相连接，其漏极接地；场效应管MOS3的漏极与场效应管M0S4的源极相连接，其源极与多路输出稳压电源的Vl电压端相连接；场效应管M0S4的栅极与功率放大器P2的正极输入端相连接，其漏极接地；所述功率放大器Pl的负极输入端与多路输出稳压电源的V2电压端相连接，功率放大器P2的负极输入端与多路输出稳压电源的V3电压端相连接；所述脉冲比较器Ul的正极输入端、脉冲比较器U2的正极输入端、主误差放大器Wl的输出端和安全误差放大器W2的输出端均与多路输出稳压电源的V2电压端相连接；所述主误差放大器Wl的负极输入端和安全误差放大器W2的负极输入端均外接1.23V电压；所述场效应管MOS5的漏极和场效应管M0S6的漏极均接地。所述三滤波放大电路由三极管VT101，三极管VT102，三极管VT103，三极管VT104，三极管VT105，三极管VT106，三极管VT107，运算放大器P101，运算放大器P102，运算放大器P103，运算放大器P104，一端作为输入端、另一端与三极管VT107的基极相连接的电阻R101，与电阻RlOl并联的电容C101，一端与三极管VT107的基极相连接、另一端经电阻R105后与三极管VT107的发射极相连接的电阻R103，一端与三极管VT107的基极相连接、另一端经电阻R104后与三极管VT107的集电极相连接的电阻R102，正极与三极管VT107的发射极相连接、负极与电阻R103和电阻R105的连接点相连接的电容C104，串接在三极管VTlOl的基极与发射极之间的电阻Rl 14，一端接地、另一端与三极管VT102的基极相连接的电阻R113，P极与三极管VT103的基极相连接、N极经电容C103后与三极管VT107的集电极相连接的二极管DlOl，P极经二极管D102后与二极管DlOl的N极相连接、N极与三极管VT106的基极相连接的二极管D103，一端与三极管VT106的基极相连接、另一端与运算放大器P104的输出端相连接的电阻R111，一端接地、另一端与三极管VT104的发射极相连接的电阻R112，负极接地、正极经电阻R106后与电容C104的正极相连接的电容C105，一端与电容C105的正极相连接、另一端与运算放大器PlOl的负输入端相连接的电阻R108，一端与电容C105的正极相连接、另一端与运算放大器PlOl的输出端相连接的电阻R107，串接在运算放大器PlOl的负输入端与输出端之间的电容C106，负极接地、正极与运算放大器P102的正输入端相连接的电容C108，负极经电阻Rl 09后与运算放大器P1I的输出端相连接、正极与运算放大器P102的负输入端相连接的电容C107，一端与电容C107的负极相连接、另一端与电容C108的正极相连接的电阻Rl 10，负极与三极管VT107的基极相连接、正极经电阻Rl 15后与三极管VT104的发射极相连接的电容C102，负极接地、正极经电阻Rl 16后与电阻R102和电阻R104的连接点相连接的电容C109，一端与电容C109的正极相连接、另一端与运算放大器P103的负输入端相连接的电阻R118，一端与电容C109的正极相连接、另一端与运算放大器P103的正输入端相连接的电阻Rl 17，串接在运算放大器P103的负输入端与输出端之间的电容Cl 10，负极接地、正极经电阻Rl 19后与电容C104的负极相连接的电容Cl 11，一端与电容Clll的正极相连接、另一端与运算放大器P104的负输入端相连接的电阻R121，一端与电容Clll的正极相连接、另一端与运算放大器P104的输出端相连接的电阻R120，以及串接在运算放大器P104的负输入端与输出端之间的电容C112组成；其中，电容C104的负极还同时与三极管VT106的集电极和三极管VT105的集电极相连接，三极管VTlOl的发射极、三极管VT103的集电极和三极管VT104的集电极均与运算放大器P103的输出端相连接，运算放大器P103的正输入端接地，三极管VTlOl的基极与三极管VT102的发射极相连接，三极管VTlOl的集电极与三极管VT102的基极相连接，三极管VT102的集电极与三极管VT103的基极相连接，三极管VT103的发射极与三极管VT104的基极相连接，三极管VT104的发射极与三极管VT105的发射极相连接，三极管VT105的基极与三极管VT106的发射极相连接，运算放大器PlOl的正输入端接地，电容C107的正极还同时与运算放大器P102的输出端以及二极管DlOl的N极相连接，运算放大器P104的正输入端接地，所述三极管VT104的发射极作为输出端且与安全误差放大器W2的正极输入端相连接。所述逻辑保护射极耦合式放大电路主要由三极管Q1，三极管Q2，功率放大器P3，功率放大器P4，串接在功率放大器P3的负极输入端与输出端之间的电阻R16，串接在功率放大器P4的正极输入端与输出端之间的极性电容C15，串接在功率放大器P3的正极输入端与三极管Ql的集电极之间的电阻R15，串接在三极管Ql的集电极与三极管Q2的基极之间的电阻R17，与电阻R17相并联的电容C14，负极与功本文档来自技高网...

【技术保护点】
逻辑保护射极耦合式三滤波型多输出LED保护系统，主要由栅极驱动电路(50)，逻辑控制电路(40)，与逻辑控制电路(40)相连接的功率放大器P1和功率放大器P2，与逻辑控制电路(40)相连接的脉冲比较器U1和脉冲比较器U2，栅极均与栅极驱动电路(50)相连接的场效应管MOS1、场效应管MOS2、场效应管MOS3及场效应管MOS4，串接在脉冲比较器U1的负极输入端和脉冲比较器U2的负极输入端之间的振荡器(30)，输出端均与脉冲比较器U1的正极输入端和脉冲比较器U2的正极输入端相连接的主误差放大器W1和安全误差放大器W2，源极均与主误差放大器W1和安全误差放大器W2的输出端相连接的场效应管MOS5和场效应管MOS6，以及分别与场效应管MOS1、场效应管MOS3、功率放大器P1和功率放大器P2相连接并为其提供电流的多路输出稳压电源组成，其特征在于，在主误差放大器W1的正极输入端和安全误差放大器W2的正极输入端之间串接有三滤波放大电路(10)和逻辑保护射极耦合式放大电路(20)；所述场效应管MOS1的漏极与场效应管MOS2的源极相连接，其源极与多路输出稳压电源的V1电压端相连接；场效应管MOS2的栅极与功率放大器P1的正极输入端相连接，其漏极接地；场效应管MOS3的漏极与场效应管MOS4的源极相连接，其源极与多路输出稳压电源的V1电压端相连接；场效应管MOS4的栅极与功率放大器P2的正极输入端相连接，其漏极接地；所述功率放大器P1的负极输入端与多路输出稳压电源的V2电压端相连接，功率放大器P2的负极输入端与多路输出稳压电源的V3电压端相连接；所述脉冲比较器U1的正极输入端、脉冲比较器U2的正极输入端、主误差放大器W1的输出端和安全误差放大器W2的输出端均与多路输出稳压电源的V2电压端相连接；所述主误差放大器W1的负极输入端和安全误差放大器W2的负极输入端均外接1.23V电压；所述场效应管MOS5的漏极和场效应管MOS6的漏极均接地；所述三滤波放大电路(10)由三极管VT101，三极管VT102，三极管VT103，三极管VT104，三极管VT105，三极管VT106，三极管VT107，运算放大器P101，运算放大器P102，运算放大器P103，运算放大器P104，一端作为输入端、另一端与三极管VT107的基极相连接的电阻R101，与电阻R101并联的电容C101，一端与三极管VT107的基极相连接、另一端经电阻R105后与三极管VT107的发射极相连接的电阻R103，一端与三极管VT107的基极相连接、另一端经电阻R104后与三极管VT107的集电极相连接的电阻R102，正极与三极管VT107的发射极相连接、负极与电阻R103和电阻R105的连接点相连接的电容C104，串接在三极管VT101的基极与发射极之间的电阻R114，一端接地、另一端与三极管VT102的基极相连接的电阻R113，P极与三极管VT103的基极相连接、N极经电容C103后与三极管VT107的集电极相连接的二极管D101，P极经二极管D102后与二极管D101的N极相连接、N极与三极管VT106的基极相连接的二极管D103，一端与三极管VT106的基极相连接、另一端与运算放大器P104的输出端相连接的电阻R111，一端接地、另一端与三极管VT104的发射极相连接的电阻R112，负极接地、正极经电阻R106后与电容C104的正极相连接的电容C105，一端与电容C105的正极相连接、另一端与运算放大器P101的负输入端相连接的电阻R108，一端与电容C105的正极相连接、另一端与运算放大器P101的输出端相连接的电阻R107，串接在运算放大器P101的负输入端与输出端之间的电容C106，负极接地、正极与运算放大器P102的正输入端相连接的电容C108，负极经电阻R109后与运算放大器P101的输出端相连接、正极与运算放大器P102的负输入端相连接的电容C107，一端与电容C107的负极相连接、另一端与电容C108的正极相连接的电阻R110，负极与三极管VT107的基极相连接、正极经电阻R115后与三极管VT104的发射极相连接的电容C102，负极接地、正极经电阻R116后与电阻R102和电阻R104的连接点相连接的电容C109，一端与电容C109的正极相连接、另一端与运算放大器P103的负输入端相连接的电阻R118，一端与电容C109的正极相连接、另一端与运算放大器P103的正输入端相连接的电阻R117，串接在运算放大器P103的负输入端与输出端之间的电容C110，负极接地、正极经电阻R119后与电容C104的负极相连接的电容C111，一端与电容C111的正极相连接、另一端与运算放大器P104的负输入端相连接的电阻R121，一端与电容C111的正极相连接、另一端与运算放大器P...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄涛，
申请(专利权)人：成都雷克尔科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51