一种基于恒流保护的逻辑保护射极耦合式指纹识别系统技术方案

本发明专利技术公开了一种基于恒流保护的逻辑保护射极耦合式指纹识别系统，其由指纹采集器，设置在指纹采集器内部的控制芯片HV，与该控制芯片HV相连接的指纹扫描电路，与指纹扫描电路相连接的图像采集单元，与该图像采集单元相连接的成像镜头，设置在指纹扫描电路与图像采集单元的连接点之间的射极耦合式非对称触发电路，与控制芯片HV相连接的光束激发式逻辑放大电路，以及串接在光束激发式逻辑放大电路与射极耦合式非对称电路之间的逻辑保护射极耦合式放大电路组成；本发明专利技术设置有恒流保护电路，其可以对本发明专利技术的工作电流进行锁定，从而使本发明专利技术的工作电流维持在一定的范围内，避免因电流波动而影响本发明专利技术的精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种指纹识别系统，具体是指一种基于恒流保护的逻辑保护射极耦合式指纹识别系统。
技术介绍
目前，现在指纹识别装置已广泛应用到人们的生活当中，其给人们生活带来了很大的便利。但现有的指纹识别系统其容易受到电流波动的影响，从而导致其识别精度不高。
技术实现思路
本专利技术的目的在指纹识别系统其容易受到电流波动影响的缺陷，提供一种基于恒流保护的逻辑保护射极耦合式指纹识别系统。本专利技术通过以下技术方案来实现:一种基于恒流保护的逻辑保护射极耦合式指纹识别系统，其由指纹采集器，设置在指纹采集器内部的控制芯片HV，与该控制芯片HV相连接的指纹扫描电路，与指纹扫描电路相连接的图像采集单元，与该图像采集单元相连接的成像镜头，设置在指纹扫描电路与图像采集单元的连接点之间的射极耦合式非对称触发电路，与控制芯片HV相连接的光束激发式逻辑放大电路，串接在光束激发式逻辑放大电路与射极耦合式非对称电路之间的逻辑保护射极耦合式放大电路，以及串接在光束激发式逻辑放大电路与控制芯片HV之间的恒流保护电路组成。所述射极耦合式非对称触发电路则由射极耦合式非对称电路，以及与其输出端相连接的无源π型滤波电路组成。进一步的，所述的恒流保护电路由保护芯片U1，三极管Q7，三极管Q8，串接在保护芯片Ul的COMP管脚与VREF管脚之间的二极管D8，P极与保护芯片Ul的RT管脚相连接、N极则经电阻R27后与保护芯片Ul的FB管脚相连接的二极管D9，一端与保护芯片Ul的CS管脚相连接、另一端接地的电阻R28，一端与保护芯片Ul的DVR管脚相连接、另一端则与三极管Q7的基极相连接的电阻R29，一端与三极管Q7的集电极相连接、另一端则经电阻R32后与三极管Q8的集电极相连接的电阻R31，一端与三极管Q8的发射极相连接、另一端接地的电阻R30，以及正极与三极管Q8的发射极相连接、负极则与控制芯片HV的CSl管脚相连接的极性电容C15组成；所述二极管D9的N极与光束激发式逻辑放大电路相连接；三极管Q8的基极与电阻R32和电阻R31的连接点相连接，而三极管Q7的发射极接地；所述保护芯片Ul的VREF管脚与其VCC管脚相连接、其GND管脚接地。所述光束激发式逻辑放大电路由功率放大器Ρ3，与非门ICl，与非门IC2，与非门IC3，负极与功率放大器Ρ3的同相端相连接、正极经光二极管D3后接地的极性电容C8，一端与极性电容C8的正极相连接、另一端经二极管D4后接地的电阻R25，正极与电阻R25和二极管D4的连接点相连接、负极接地的极性电容C10，一端与与非门ICl的负极输入端相连接、另一端与功率放大器Ρ3的同相端相连接的电阻R26，串接在功率放大器Ρ3的反相端与输出端之间的电阻R14，一端与与非门ICl的输出端相连接、另一端与与非门IC3的负极输入端相连接的电阻R16，正极与与非门IC2的输出端相连接、负极与与非门IC3的负极输入端相连接的电容C9，以及一端与极性电容ClO的正极相连接、另一端与与非门IC2的负极输入端相连接的电阻R15组成；所述与非门ICl的正极输入端与功率放大器P3的反相端相连接，其输出端与与非门IC2的正极输入端相连接，与非门IC3的正极输入端与功率放大器P3的输出端相连接；所述与非门IC3的输出端则二极管D9的N极相连接；所述逻辑保护射极耦合式放大电路主要由三极管Q5，三极管Q6，功率放大器P4，功率放大器P5，串接在功率放大器P4的反相端与输出端之间的电阻R18，串接在功率放大器P5的同相端与输出端之间的极性电容C13，串接在功率放大器P4的同相端与三极管Q5的集电极之间的电阻R17，串接在三极管Q5的集电极与三极管Q6的基极之间的电阻R19，与电阻R19相并联的电容C12，负极与功率放大器P4的同相端相连接、正极经电阻R20后与三极管Q5的发射极相连接的极性电容C11，串接在三极管Q6的基极与极性电容Cll的正极之间的电阻R21，正极与三极管Q6的发射极相连接、负极顺次经稳压二极管D5和电阻R22后与功率放大器P4的输出端相连接的电容C14，P极与功率放大器P5的输出端相连接、N极经电阻R24和电阻R23后与稳压二极管D5与电阻R22的连接点相连接的二极管D6，以及P极与电容C14的负极相连接、N极与二极管D6与电阻R24的连接点相连接的稳压二极管D7组成；所述三极管Q5的基极与极性电容Cll的正极相连接，其发射极与三极管Q6的发射极相连接，其集电极与功率放大器P4的反相端相连接；三极管Q6的集电极与功率放大器P5的反相端相连接，功率放大器P5的同相端与功率放大器P4的输出端相连接；所述极性电容Cll的正极与与非门IC3的负极输入端相连接，电阻R24与电阻R23的连接点则与射极耦合式非对称电路相连接。所述射极耦合式非对称电路由三极管Ql，三极管Q2，三极管Q3，串接在三极管Q2的发射极与三极管Q3的基极之间的一级滤波电路，串接在三极管Q3的集电极与二极管Q2的集电极之间的电阻R7，串接在三极管Ql的集电极与三极管Q2的集电极之间的电阻R3，串接在三极管Ql的发射极与无源π型滤波电路之间的二级滤波电路，串接在三极管Ql的基极与无源π型滤波电路之间的三级滤波电路，以及串接在三极管Ql的基极与无源π型滤波电路之间的电阻R2和串接在三极管Q3的基极与无源型滤波电路之间的电阻R6组成；所述三极管Q2的基极与三极管Ql的集电极相连接，其集电极与无源π型滤波电路相连接，所述三极管Q2的发射极与三极管Q3的发射极均接地；所述电阻R24与电阻R23的连接点则与三级滤波电路相连接。所述无源型滤波电路由电容Cl、电容C2，以及串接在电容Cl的正极与电容C2的正极之间的电阻R8组成；所述三极管Q2的集电极则与电容C2的正极相连接。所述指纹扫描电路由基极与主控芯片HV的GATE管脚相连接、集电极经变压器Tl的原边线圈LI后与主控芯片HV的CS管脚相连接、而发射极则依次经电阻R9和电阻RlO后与主控芯片HV的CS管脚相连接的三极管Q4，以及两个互为备份并分别与LED灯相连接的副边链路I和副边链路II组成。所述副边链路I由N极与变压器Tl的副边线圈L2的同名端相连接、而P极则经电阻R12后与副边线圈L2的非同名端相连接的二极管D1，以及与电阻R12相并联的电容C6组成，且该电容C6的两端则分别与LED灯的正负极相连接；同时，电容C6的正极与电容Cl的正极相连接，其负极与电容Cl的负极相连接。所述副边链路II由N极与变压器Tl的副边线圈L3的同名端相连接、而P极则经电阻R13后与副边线圈L3的非同名端相连接的二极管D2，以及与电阻R13相并联的电容C7组成，且该电容C7的两端分别与LED灯的正负极相连接；同时，电容C7的正极与电容Cl的正极相连接，其负极则与电容Cl的负极相连接。所述的电容Cl、电容C2均为贴片电容。所述的一级滤波电路、二级滤波电路及三级滤波电路均为RC滤波电路。所述的控制芯片HV采用9910B型集成芯片。所述的保护芯片Ul为AP3843CP型集成芯片。本专利技术与现有技术相比，具有以下优点及有益效果:(I)本专利技术不仅整体结构非常简单，其制作和使用非常方便，而且其在同一时间内还可以对多个用户进行指纹识别，因此其功能非常强大，能显著的提高识处本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于恒流保护的逻辑保护射极耦合式指纹识别系统，其由指纹采集器，设置在指纹采集器内部的控制芯片HV，与该控制芯片HV相连接的指纹扫描电路，与指纹扫描电路相连接的图像采集单元，与该图像采集单元相连接的成像镜头，设置在指纹扫描电路与图像采集单元的连接点之间的射极耦合式非对称触发电路，与控制芯片HV相连接的光束激发式逻辑放大电路，以及串接在光束激发式逻辑放大电路与射极耦合式非对称电路之间的逻辑保护射极耦合式放大电路组成；所述射极耦合式非对称触发电路则由射极耦合式非对称电路，以及与其输出端相连接的无源π型滤波电路组成；其特征在于，在光束激发式逻辑放大电路与控制芯片HV之间还串接有恒流保护电路；所述的恒流保护电路由保护芯片U1，三极管Q7，三极管Q8，串接在保护芯片U1的COMP管脚与VREF管脚之间的二极管D8，P极与保护芯片U1的RT管脚相连接、N极则经电阻R27后与保护芯片U1的FB管脚相连接的二极管D9，一端与保护芯片U1的CS管脚相连接、另一端接地的电阻R28，一端与保护芯片U1的DVR管脚相连接、另一端则与三极管Q7的基极相连接的电阻R29，一端与三极管Q7的集电极相连接、另一端则经电阻R32后与三极管Q8的集电极相连接的电阻R31，一端与三极管Q8的发射极相连接、另一端接地的电阻R30，以及正极与三极管Q8的发射极相连接、负极则与控制芯片HV的CS1管脚相连接的极性电容C15组成；所述二极管D9的N极与光束激发式逻辑放大电路相连接；三极管Q8的基极与电阻R32和电阻R31的连接点相连接，而三极管Q7的发射极接地；所述保护芯片U1的VREF管脚与其VCC管脚相连接、其GND管脚接地。...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：周云扬，
申请(专利权)人：成都冠深科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51