一种放大式场强检测射极耦合非对称触发系统技术方案

本发明专利技术公开了一种放大式场强检测射极耦合非对称触发系统，由射极耦合式非对称电路，以及无源π型滤波电路组成，其特征在于，在射极耦合式非对称电路与无源π型滤波电路之间还串接有放大式场强检测射极耦合非对称触发电路；该放大式场强检测射极耦合非对称触发电路由：放大式场强检测电路和光束激发式逻辑放大电路组成；所述光束激发式逻辑放大电路由功率放大器P1，与非门IC1，与非门IC2，与非门IC3，负极与功率放大器P1的正极输入端相连接、正极经光二极管D1后接地的极性电容C6等组成。本发明专利技术整体结构简单，其制作和使用非常方便。同时，本发明专利技术的性能稳定，不仅能有效的克服外部电磁干扰，而且还能有效的防止电流突变。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种触发电路，具体是指一种放大式场强检测射极耦合非对称触发系统。
技术介绍
触发电路是目前人们使用较广的一种电路，其广泛的应用于电子、电气设备等领域。但是，目前人们所使用的触发电路不仅结构较为复杂，而且其容易受到外部电磁干扰，尤其是当所连接的负载受温度原因发生变化时，这些传统的触发电路便会显示出非线性的工作状态，会产生较大的电流突变，不利于所连接的电路系统的性能稳定。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服目前触发电路在外部负载发生变化时容易产生电流突变，不利于电路系统稳定的缺陷，提供一种能有效克服上述缺陷的一种放大式场强检测射极耦合非对称触发系统。本专利技术的目的通过下述技术方案实现:一种放大式场强检测射极耦合非对称触发系统，由射极耦合式非对称电路，以及无源π型滤波电路组成。同时，在射极耦合式非对称电路与无源π型滤波电路之间还串接有放大式场强检测射极耦合非对称触发电路。该放大式场强检测射极耦合非对称触发电路由放大式场强检测电路和光束激发式逻辑放大电路组成；所述光束激发式逻辑放大电路由功率放大器Ρ1，与非门IC1，与非门IC2，与非门IC3，负极与功率放大器Pl的正极输入端相连接、正极经光二极管Dl后接地的极性电容C6，一端与极性电容C6的正极相连接、另一端经二极管D2后接地的电阻R9，正极与电阻R9和二极管D2的连接点相连接、负极接地的极性电容C8，一端与与非门ICl的负极输入端相连接、另一端与功率放大器Pl的正极输入端相连接的电阻R10，串接在功率放大器Pl的负极输入端与输出端之间的电阻RU，一端与与非门ICl的输出端相连接、另一端与与非门IC3的负极输入端相连接的电阻R12，正极与与非门IC2的输出端相连接、负极与与非门IC3的负极输入端相连接的电容C7，以及一端与极性电容C8的正极相连接、另一端与与非门IC2的负极输入端相连接的电阻R13组成；所述与非门ICl的正极输入端与功率放大器Pl的负极输入端相连接，其输出端与与非门IC2的正极输入端相连接，与非门IC3的正极输入端与功率放大器Pl的输出端相连接。所述放大式场强检测电路由集成块Ul，功率放大器Ρ2，正极经电阻R19后与集成块Ul的DD脚相连接、负极顺次经电阻R20、电阻R23、二极管D4、电阻R21后与集成块Ul的COMP脚相连接的极性电容C11，N极经电阻R18后与功率放大器P2的负极输入端相连接、P极顺次经电阻R17、极性电容C10、电阻R16、电阻R14、电阻R15、电容C9后与功率放大器P2的正极输入端相连接的二极管D3，基极经电阻R25后与集成块Ul的SW脚相连接、其发射极顺次经电阻R22、电阻R24、电阻R27后与功率放大器P2的输出端相连接、其集电极接地的三极管Q4，以及一端与电阻R22与电阻R24的连接点相连接、另一端与集成块Ul的COMP脚相连接的电阻R26组成；所述集成块Ul的SENSE脚与极性电容ClO与电阻R17的连接点相连接，其PWM脚与极性电容Cll的正极相连接，其ADJ脚与极性电容Cll的负极相连接，其IN脚与电阻R14与电阻R16的连接点相连接并作为输入端与非门IC3的输出端相连接，其GND脚接地；所述电阻R20与电阻R23的连接点接地；所述电阻22与电阻R24的连接点作为输出端。进一步地，所述射极耦合式非对称电路由三极管Q1，三极管Q2，三极管Q3，串接在三极管Q2的发射极与三极管Q3的基极之间的一级滤波电路，串接在三极管Q3的集电极与二极管Q2的集电极之间的电阻R7，串接在三极管Ql的集电极与三极管Q2的集电极之间的电阻R3，串接在三极管Ql的发射极与极性电容C8的正极之间的二级滤波电路，串接在三极管Ql的基极与极性电容CS的正极之间的三级滤波电路，以及串接在三极管Ql的基极与极性电容C8的正极之间的电阻R2和串接在三极管Q3的基极与极性电容C8的正极之间的电阻R6组成；所述三极管Q2的基极与三极管Ql的集电极相连接，其集电极与极性电容C6的正极相连接，所述三极管Q2的发射极与三极管Q3的发射极均接地。所述无源型滤波电路由电容Cl、电容C2，以及串接在电容Cl的正极与电容C2的正极之间的电阻R8组成；所述电容C2的正极与电阻22与电阻R24的连接点相连接；所述与非门IC3的负极输入端则与电容C2的负极与电容Cl的负极的连接点相连接；电容Cl的正极和负极则形成输出端。为确保本专利技术的使用效果，所述的电容Cl、电容C2均为贴片电容，所述的一级滤波电路、二级滤波电路及三级滤波电路均为RC滤波电路，而所述的集成块Ul则优先采用SD42524型集成电路来实现。本专利技术与现有技术相比，具有以下优点及有益效果:(I)本专利技术整体结构简单，其制作和使用非常方便。(2)本专利技术的性能稳定、精度高，不仅能有效的克服外部电磁干扰，而且还能有效的防止电流突变。(3)本专利技术含有多级滤波电路，能有效的去除因负载变化所导致的多次谐波的影响。(4)本专利技术中采用的放大式场强检测电路，能有效的对光束激发式逻辑放大电路触发电路的电流变化进行检测，从而使其保持稳定电流。【附图说明】图1为本专利技术的结构示意图。图2为本专利技术的放大式场强检测电路结构示意图。【具体实施方式】下面结合实施例及附图，对本专利技术作进一步地详细说明，但本专利技术的实施方式不限于此。如图1所示，本专利技术由射极耦合式非对称电路、无源型滤波电路以及串接在射极耦合式非对称电路与无源π型滤波电路之间的放大式场强检测射极耦合非对称触发电路组成。而该放大式场强检测射极耦合非对称触发电路又由放大式场强检测电路和光束激发式逻辑放大电路组成。其中，该光束激发式逻辑放大电路主要由功率放大器P1，与非门IC1，与非门IC2，与非门IC3，负极与功率放大器Pl的正极输入端相连接、正极经光二极管Dl后接地的极性电容C6，一端与极性电容C6的正极相连接、另一端经二极管D2后接地的电阻R9，正极与电阻R9和二极管D2的连接点相连接、负极接地的极性电容C8，一端与与非门ICl的负极输入端相连接、另一端与功率放大器Pl的正极输入端相连接的电阻R10，串接在功率放大器Pl的负极输入端与输出端之间的电阻R11，一端与与非门ICl的输出端相连接、另一端与与非门IC3的负极输入端相连接的电阻R12，正极与与非门IC2的输出端相连接、负极与与非门IC3的负极输入端相连接的电容C7，以及一端与极性电容C8的正极相连接、另一端与与非门IC2的负极输入端相连接的电阻R13组成。所述与非门ICl的正极输入端与功率放大器Pl的负极输入端相连接，其输出端与与非门IC2的正极输入端相连接，与非门IC3的正极输入端与功率放大器Pl的输出端相连接。无源Ji型滤波电路为由电容Cl、电容C2，以及串接在电容Cl的正极与电容C2的正极之间的电阻R8所组成的低通滤波电路。根据实际需求，该无源型滤波电路也可以为高通滤波电路。连接时，电容Cl的负极与电容C2的负极相连接后与与非门IC3的负极输入端相连接，以确保电阻R8、电容Cl和电容C2之间形成一个回路。电容C2的正极与电阻22与电阻R24的连接点相连接；而电容Cl的正极和负极则形成本专利技术的输出端。为确保使用效果，电容Cl和电容C2均为贴片电容。所述射极耦合式非对称电路则由三极管Q1，三极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种放大式场强检测射极耦合非对称触发系统，由射极耦合式非对称电路，以及无源π型滤波电路组成，其特征在于，在射极耦合式非对称电路与无源π型滤波电路之间还串接有放大式场强检测射极耦合非对称触发电路；该放大式场强检测射极耦合非对称触发电路由放大式场强检测电路和光束激发式逻辑放大电路组成；所述光束激发式逻辑放大电路由功率放大器P1，与非门IC1，与非门IC2，与非门IC3，负极与功率放大器P1的正极输入端相连接、正极经光二极管D1后接地的极性电容C6，一端与极性电容C6的正极相连接、另一端经二极管D2后接地的电阻R9，正极与电阻R9和二极管D2的连接点相连接、负极接地的极性电容C8，一端与与非门IC1的负极输入端相连接、另一端与功率放大器P1的正极输入端相连接的电阻R10，串接在功率放大器P1的负极输入端与输出端之间的电阻R11，一端与与非门IC1的输出端相连接、另一端与与非门IC3的负极输入端相连接的电阻R12，正极与与非门IC2的输出端相连接、负极与与非门IC3的负极输入端相连接的电容C7，以及一端与极性电容C8的正极相连接、另一端与与非门IC2的负极输入端相连接的电阻R13组成；所述与非门IC1的正极输入端与功率放大器P1的负极输入端相连接，其输出端与与非门IC2的正极输入端相连接，与非门IC3的正极输入端与功率放大器P1的输出端相连接；所述放大式场强检测电路由集成块U1，功率放大器P2，正极经电阻R19后与集成块U1的DD脚相连接、负极顺次经电阻R20、电阻R23、二极管D4、电阻R21后与集成块U1的COMP脚相连接的极性电容C11，N极经电阻R18后与功率放大器P2的负极输入端相连接、P极顺次经电阻R17、极性电容C10、电阻R16、电阻R14、电阻R15、电容C9后与功率放大器P2的正极输入端相连接的二极管D3，基极经电阻R25后与集成块U1的SW脚相连接、其发射极顺次经电阻R22、电阻R24、电阻R27后与功率放大器P2的输出端相连接、其集电极接地的三极管Q4，以及一端与电阻R22与电阻R24的连接点相连接、另一端与集成块U1的COMP脚相连接的电阻R26组成；所述集成块U1的SENSE脚与极性电容C10与电阻R17的连接点相连接，其PWM脚与极性电容C11的正极相连接，其ADJ脚与极性电容C11的负极相连接，其IN脚与电阻R14与电阻R16的连接点相连接并作为输入端与非门IC3的输出端相连接，其GND脚接地；所述电阻R20与电阻R23的连接点接地；所述电阻22与电阻R24的连接点作为输出端。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：雷明方，
申请(专利权)人：成都颉盛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51