一种OLED发光器件及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种OLED发光器件及显示装置，涉及显示技术领域，改善了现有的载流子注入不平衡以及激子在界面处堆积使得有机发光二极管猝灭的问题。该OLED发光器件包括：衬底基板、设置在所述衬底基板上的阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的发光层，所述OLED发光器件还包括解离层，所述解离层用于使到达所述解离层的激子解离成空穴和电子；其中，在电子迁移率大于空穴迁移率的情况下，所述解离层设置在所述发光层和所述阳极之间；在空穴迁移率大于电子迁移率的情况下，所述解离层设置在所述发光层和所述阴极之间。用于OLED发光器件、包含该OLED发光器件的显示装置。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED发光器件及显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)是一种有机薄膜电致发光器件，其具有制备工艺简单、成本低、易形成柔性结构、视角宽等优点；因此，利用有机发光二极管的显示技术已成为一种重要的显示技术。如图1所示，OLED发光器件包括：阳极1、阴极2、以及位于所述阳极1和所述阴极2之间的发光层3。其发光原理为：从阳极1注入的空穴(h)和从阴极2注入的电子(e)在发光层3的复合区域相结合形成激子，激子衰减辐射出光子，而使该OLED发光器件发光。然而，研究人员发现，受限于发光层3材料的影响，空穴在发光层3中的迁移率和电子在发光层3中的迁移率是不相同的，在此基础上，一方面，迁移率不同会造成注入到发光层3的空穴和电子的数目不同，而载流子(即电子和空穴)注入不平衡会严重影响器件的性能和寿命。另一方面，迁移率不同会造成部分空穴和电子在发光层3与阴极2或发光层3与阳极1的界面处复合形成激子。例如，如图2所示，在空穴的迁移率大于电子的迁移率的情况下，由于从阳极1注入的空穴在发光层3中传输的相对较快，而使得部分空穴和电子在发光层3与阴极2界面处的复合区域31形成激子。如图3所示，在电子的迁移率大于空穴的迁移率的情况下，由于从阴极2注入的电子在发光层3中传输的相对较快，而使得部分空穴和电子在发光层3与阳极1界面处的复合区域31形成激子。而激子在界面处严重堆积会使得有机发光二极管猝灭，进一步影响器件的性能和寿命。技术内容本技术的实施例提供一种OLED发光器件及显示装置，改 善了现有的载流子注入不平衡以及激子在界面处堆积使得有机发光二极管猝灭的问题。为达到上述目的，本技术的实施例采用如下技术方案：一方面，提供了一种OLED发光器件，该OLED发光器件包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的发光层，所述OLED发光器件还包括解离层，所述解离层用于使到达所述解离层的激子解离成空穴和电子；其中，在电子迁移率大于空穴迁移率的情况下，所述解离层设置在所述发光层和所述阳极之间；在空穴迁移率大于电子迁移率的情况下，所述解离层设置在所述发光层和所述阴极之间。另一方面，提供了一种显示装置，包括上述的OLED发光器件。本技术实施例提供了一种OLED发光器件及显示装置，本技术实施例通过设置解离层，使得扩散到解离层的激子解离成空穴和电子，在电子迁移率大于空穴迁移率的情况下，解离层设置在发光层和阳极之间，阴极和阳极同时加载电压，在外电场作用下，由解离层解离出的空穴重新回到发光层参与发光，而部分电子向阳极运动，从而使得注入到发光层的电子数目减少，进而改善载流子(包括空穴和电子)注入不平衡的问题；在空穴迁移率大于电子迁移率的情况下，解离层设置在发光层和阴极之间，阴极和阳极同时加载电压，在外电场作用下，由解离层解离出的电子重新回到发光层参与发光，而部分空穴向阴极运动，从而使得注入到发光层的空穴数目减少，进而改善载流子注入不平衡的问题；且由于解离层将激子解离成空穴和电子，则在发光层和解离层界面处产生的激子就不会堆积，从而避免发生激子猝灭，进而改善了器件的性能和寿命。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中提供的一种OLED发光器件的结构示意图一；图2为现有技术中提供的一种OLED发光器件的结构示意图二；图3为现有技术中提供的一种OLED发光器件的结构示意图三；图4为本技术提供的一种OLED发光器件的结构示意图一；图5为本技术提供的一种OLED发光器件的结构示意图二；图6为本技术提供的一种OLED发光器件的结构示意图三；图7为图6解离层的结构示意图；图8为图4解离层的结构示意图；图9为本技术提供的一种OLED发光器件的结构示意图四；图10为本技术提供的一种OLED发光器件的结构示意图五；图11为本技术提供的一种OLED发光器件的结构示意图六。附图标记：20-衬底基板；1-阳极；2-阴极；3-发光层；31-复合区域；4-空穴传输层；5-电子传输层；6-空穴注入层；7-电子注入层；10-解离层；101-给体层；101a-给体；102-受体层；102a-受体。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术实施例提供了一种OLED发光器件，如图4-图6所示，该OLED发光器件包括衬底基板20、设置在衬底基板20上的阳极1、发光层3、阴极2，OLED发光器件还包括解离层10，解离层10用于使到达解离层10的激子解离成空穴(h)和电子(e)。其中，在电子迁移率大于空穴迁移率的情况下，解离层10设置在发光层3和阳极1之间；在空穴迁移率大于电子迁移率的情况下，解离层10 设置在发光层3和阴极2之间。需要说明的是，第一，在空穴迁移率大于电子迁移率的情况下，发光层的材料可以为空穴传输型材料；在电子迁移率大于空穴迁移率的情况下，发光层的材料可以为电子传输型材料。发光层的材料具体可根据实际情况进行设定，在此不做限定。第二，本技术实施例中并不限于在阳极和阴极之间仅包括发光层，为了增加电子和空穴的注入和/或传输效率，还可以在阳极和发光层之间，阴极和发光层之间设置其他有机层，具体在此不做限定。第三，不对解离层的材料进行限定，只要其能使到达的激子解离成空穴和电子即可。本技术实施例提供了一种OLED发光器件，如图4-图6所示，通过设置解离层10，使得扩散到解离层10的激子解离成空穴和电子，在此基础上，在电子迁移率大于空穴迁移率的情况下，解离层10设置在发光层3和阳极1之间，一方面，在外电场作用下，由解离层10解离出的空穴重新回到发光层3参与发光，而部分电子向阳极1运动，从而使得注入到发光层3的电子数目减少，进而改善由于载流子注入不平衡而导致的对器件的性能和寿命的影响，另一方面，由于解离层10将激子解离成空穴和电子，则在界面处产生的激子就不会堆积，从而也就不会发生猝灭现象，进而改善了器件的性能和寿命。同理，在空穴迁移率大于电子迁移率的情况下，解离层10设置在发光层3和阴极2之间，一方面，在外电场作用下，由解离层10解离出的电子重新回到发光层3参与发光，而部分空穴向阴极2运动，从而使得注入到发光层3的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED发光器件，包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的发光层，其特征在于，所述OLED发光器件还包括解离层，所述解离层用于使到达所述解离层的激子解离成空穴和电子；其中，在电子迁移率大于空穴迁移率的情况下，所述解离层设置在所述发光层和所述阳极之间；在空穴迁移率大于电子迁移率的情况下，所述解离层设置在所述发光层和所述阴极之间。

【技术特征摘要】
1.一种OLED发光器件，包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的发光层，其特征在于，所述OLED发光器件还包括解离层，所述解离层用于使到达所述解离层的激子解离成空穴和电子；
其中，在电子迁移率大于空穴迁移率的情况下，所述解离层设置在所述发光层和所述阳极之间；
在空穴迁移率大于电子迁移率的情况下，所述解离层设置在所述发光层和所述阴极之间。
2.根据权利要求1所述的OLED发光器件，其特征在于，
所述解离层包括至少一层，且每层均由给体材料和受体材料混合形成；或者，
所述解离层包括至少两层，且每层由给体材料或受体材料形成且相邻两层为不同材料；
其中，所述给体材料的LUMO值大于所述受体材料的LUMO值。
3.根据权利要求2所述的OLED发光器件，其特征在于，
所述给体材料是P型有机空穴传输材料，包括：P3...

【专利技术属性】
技术研发人员：李彦松，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11