OLED发光器件及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种OLED发光器件，其包括依次设置的基板、透明阳极、空穴注入层、空穴传输层、激子阻隔层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极；其中电子传输层和发光层的主体材料相同，主体材料包括苯并咪唑基团和二苯基磷氧基团。本发明专利技术还提供一种显示装置。本发明专利技术的OLED发光器件及显示装置通过设置相同主体材料的电子传输层和发光层，提高了电子传输层的电子迁移率，进而提高了OLED发光器件的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光材料领域，特别是涉及一种OLED发光器件及显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)由于具有质轻、材料来源广、节能环保、可与柔性基底兼容等众多优点而越来越受到人们的关注，成为公认的下一代的显示和照明的光源器件。然而结构简单，发光效率高、性能稳定并且工作寿命长的磷光OLED器件仍然是制约OLED产业化的一大技术瓶颈。这是因为传统的OLED发光器件中，电子传输层和发光层材料是选择不同的材料，这样就会造成两者的能级不匹配，同时在发光层和电子传输层的界面处会有比较大的注入能垒产生，导致对于大多数磷光主体材料来说，电子迁移率普遍低于空穴迁移率。故，有必要提供一种OLED发光器件及显示装置，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可以有效的提高电子迁移率，从而提高发光效率的OLED发光器件及显示装置；以解决现有的OLED发光器件及显示装置的电子迁移率较低，从而导致发光效率较低的技术问题。本专利技术实施例提供一种OLED发光器件，其包括依次设置的基板、透明阳极、空穴注入层、空穴传输层、激子阻隔层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极；其中所述电子传输层和所述发光层的主体材料相同，所述主体材料包括苯并咪唑基团和二苯基磷氧基团。在本专利技术所述的OLED发光器件中，所述发光层的主体材料为mNBIPO，所述发光层的客体材料为磷光材料Ir(ppy)3；所述电子传输层的主体材料为TmPyPB。在本专利技术所述的OLED发光器件中，所述发光层的主体材料为mNBIPO，所述发光层的客体材料为磷光材料Ir(ppy)3；所述电子传输层的主体材料为mNBIPO。在本专利技术所述的OLED发光器件中，所述透明阳极为ITO，所述空穴注入层为MoO3，所述空穴传输层为TAPC，所述激子阻挡层为TCTA，所述电子注入层为LiF，所述阴极为Al。在本专利技术所述的OLED发光器件中，所述电子传输层和所述发光层的厚度之和为50nm-60nm。在本专利技术所述的OLED发光器件中，所述发光层的厚度为15nm-25nm，所述电子传输层的厚度为35nm-45nm。在本专利技术所述的OLED发光器件中，所述空穴注入层的厚度为8nm至11nm，所述空穴传输层的厚度为35nm至45nm，所述激子阻挡层的厚度为4nm至6nm，所述电子注入层的厚度为0.8nm至1.2nm，所述阴极厚度为90nm至110nm。在本专利技术所述的OLED发光器件中，所述mNBIPO的结构通式如下所示：所述Ir(ppy)3的结构通式如下所示：所述TmPyPB的结构通式如下所示：所述TAPC的结构通式如下所示：所述TCTA的结构通式如下所示：在本专利技术所述的OLED发光器件中，通过蒸镀的方式在所述基板上依次形成所述透明阳极、所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述激子阻隔层、所述发光层、所述电子传输层、所述电子注入层以及所述阴极。本专利技术实施例还提供一种使用上述OLED发光器件的显示装置。相较于现有的OLED发光器件及显示装置，本专利技术的OLED发光器件及显示装置通过设置相同主体材料的电子传输层和发光层，提高了电子传输层的电子迁移率，进而提高了OLED发光器件的发光效率；解决了现有的OLED发光器件及显示装置的电子迁移率较低，从而导致发光效率较低的技术问题。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：附图说明图1为本专利技术的OLED发光器件的第一优选实施例的结构示意图；图2为本专利技术的OLED发光器件的第一优选实施例的结构能级示意图；图3为本专利技术的OLED发光器件的第二优选实施例的结构示意图；图4为本专利技术的OLED发光器件的优选实施例的亮度-电压-电流密度曲线图；图5为本专利技术的OLED发光器件的优选实施例的功率效率-电流效率-亮度曲线图；图6为本专利技术的OLED发光器件的优选实施例的外部量子效率-亮度曲线图；图7为本专利技术的OLED发光器件的优选实施例的电致发光效率-波长曲线图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。请参照图1和图2，图1为本专利技术的OLED发光器件的第一优选实施例的结构示意图；图2为本专利技术的OLED发光器件的第一优选实施例的结构能级示意图。本优选实施例的OLED发光器件10包括依次设置的基板11、透明阳极12、空穴注入层13、空穴传输层14、激子阻隔层15、发光层16、电子传输层17、电子注入层18以及阴极19。其中电子传输层17和发光层16的主体材料相同，该主体材料包括苯并咪唑基团和二苯基磷氧基团。其中可通过蒸镀的方式在基板11上依次形成透明阳极12、空穴注入层13、空穴传输层14、激子阻隔层15、发光层16、电子传输层17、电子注入层18以及阴极19。本优选实施例的OLED发光器件10的透明阳极12的材料为ITO(IndiumTinOxides，氧化铟锡)；空穴注入层13的材料为MoO3(三氧化钼)；空穴传输层14的材料为TAPC；激子阻挡层15的材料为TCTA；发光层16的客体材料为磷光材料Ir(ppy)3，发光层16的主体材料为mNBIPO；电子传输层17的主体材料为TmPyPB；电子注入层18的材料为LiF(氟化锂)；阴极19的材料为Al。其中mNBIPO的结构通式如下所示：Ir(ppy)3的结构通式如下所示：TmPyPB的结构通式如下所示：TAPC的结构通式如下所示：TCTA的结构通式如下所示：本优选实施例的OLED发光器件中，空穴注入层13的厚度为8nm至11nm，优选为10nm；空穴传输层14的厚度为35nm至45nm，优选为40nm；激子阻挡层15的厚度为4nm至6nm，优选为5nm；发光层16的厚度为15nm-25nm，优选为20nm；电子传输层17的厚度为35nm-45nm，优选为40nm；电子注入层18的厚度为0.8nm至1.2nm，优选为1nm；阴极19厚度为90nm至110nm，优选为100nm。请参照图3，图3为本专利技术的OLED发光器件的第二优选实施例的结构示意图。本优选实施例的OLED发光器件30包括依次设置的基板31、透明阳极32、空穴注入层33、空穴传输层34、激子阻隔层35、发光层36、电子传输层37、电子注入层38以及阴极39。其中电子传输层37和发光层36的主体材料相同，该主体材料包括苯并咪唑基团和二苯基磷氧基团。本优选实施例和第一优选实施例的区别在于发光层36的主体材料为mNBIPO，电子传输层37的主体材料也为mNBIPO。下面根据本优选实施例的OLED发光器件的参数曲线来说明本优选实施例的OLED发光器件的具体性能参数。请参照图4至图7。图4为本专利技术的OLED发光器件的优选实施例的亮度-电压-电流密度曲线图；图5为本专利技术的OLED发光器件的优选实施例的功率效率-电流效率-亮度曲线图；图6为本专利技术的OLED发光器件的优选实施例的外部量子效率-亮度曲线图；图7为本专利技术的OLED发光器件的优选实施例的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED发光器件，其特征在于，包括依次设置的基板、透明阳极、空穴注入层、空穴传输层、激子阻隔层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极；其中所述电子传输层和所述发光层的主体材料相同，所述主体材料包括苯并咪唑基团和二苯基磷氧基团。

【技术特征摘要】
1.一种OLED发光器件，其特征在于，包括依次设置的基板、透明阳极、空穴注入层、空穴传输层、激子阻隔层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极；其中所述电子传输层和所述发光层的主体材料相同，所述主体材料包括苯并咪唑基团和二苯基磷氧基团。2.根据权利要求1所述的OLED发光器件，其特征在于，所述发光层的主体材料为mNBIPO，所述发光层的客体材料为磷光材料Ir(ppy)3；所述电子传输层的主体材料为TmPyPB。3.根据权利要求1所述的OLED发光器件，其特征在于，所述发光层的主体材料为mNBIPO，所述发光层的客体材料为磷光材料Ir(ppy)3；所述电子传输层的主体材料为mNBIPO。4.根据权利要求2或3所述的OLED发光器件，其特征在于，所述透明阳极为ITO，所述空穴注入层为MoO3，所述空穴传输层为TAPC，所述激子阻挡层为TCTA，所述电子注入层为LiF，所述阴极为Al。5.根据权利要求1所述的OLED发光器件，其特征在于，所述电子传输层和所述发光层的厚度之和为50nm-60...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘彪，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42