曝光方法和半导体器件的制造方法技术

本申请提供一种曝光方法和半导体器件的制造方法，所述曝光方法包括：在设置于基材表面的光刻胶表面沉积介质层；将光刻板置于所述介质层表面，向所述光刻板照射光，以对所述光刻胶曝光，其中，所述介质层对照射到所述光刻板的光透明。根据本申请的实施例，在光刻胶表面沉积介质层，能够防止在曝光过程中光刻板与光刻胶接触，避免光刻胶对光刻板的粘污，使得清洗光刻板所需的时间和成本减少。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造
，尤其涉及一种曝光方法和半导体器件的制造方法。
技术介绍
接触式(Contact type)曝光是一种广泛应用在半导体集成电路制造过程中的曝光技术。在接触式曝光时，光刻板与光刻胶的距离非常近，甚至相接触，由此，能够达到较高的曝光分辨率，并能使显影后的光刻胶获得良好的图形侧壁，进而在后续的微加工过程中得到高质量的微结构。因此，在微机电系统和超大规模集成电路的制造工艺中，接触式曝光已经成为一种主要的曝光模式。应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。申请内容在现有的接触式曝光工艺中，光刻板不可避免的接触到晶圆表面的光刻胶，光刻板因而被粘上残胶。随着曝光片数的增加，残胶现象越来越严重，特别是在光刻胶较厚的情况下，只对几片晶圆进行曝光，就会在光刻版留下大量残胶。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种曝光方法，所述方法包括：在设置于基材表面的光刻胶表面沉积介质层；将光刻板置于所述介质层表面，向所述光刻板照射光，以对所述光刻胶曝光，其中，所述介质层对照射到所述光刻板的光透明。

【技术特征摘要】
1.一种曝光方法，所述方法包括：
在设置于基材表面的光刻胶表面沉积介质层；
将光刻板置于所述介质层表面，向所述光刻板照射光，以对所述光刻胶曝
光，
其中，所述介质层对照射到所述光刻板的光透明。
2.如权利要求1所述的曝光方法，其中，
使用原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)法，在所述光刻胶表面沉
积所述介质层。
3.如权利要求1所述的曝光方法，其中，
所述介质层是氧化铝层或氮化铝层。
4.如权利要求1所述的曝光方法，其中，
所述介质层能够被使所述光刻胶显影的显影液所腐蚀。
5.如权利要求1所述的曝光方法，其中，
所述介质层的厚度为1-100埃。
6.如权利要求1所述的曝光方法，其中，
在对所述光刻胶曝光时，所述光刻板与所述介质层接触。...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁刘胜，王旭洪，徐元俊，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31