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微芯片和用于制造微芯片的方法技术

技术编号:11122614 阅读:107 留言:0更新日期:2015-03-11 11:35
提供了用于增加构造微芯片的多个基板层的各基本层之间的接合强度的技术。提供了微芯片,该微芯片包括多个基板层,以及接合层,该接合层设置在基板层之间的界面处并且被配置为包括硅化合物,接合层的至少一个被配置为包括有机硅化合物。在该微芯片,即使结合不同材料的多个基板层,也可以增强多个基板层的各基板层之间的接合强度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
[0001 ] 本技术涉及包括多个基板层的微芯片。更具体地,本技术涉及具有设置在基板层之间的界面处的接合层的微芯片。
技术介绍
近几年,已经开发了微芯片,该微芯片设置有用于在由硅或玻璃制成的基板上通过将微机电技术应用于半导体工业执行化学和生物学分析的井或流路。这类微芯片开始用于,例如,在液相色谱法中的电化学检测器或在医学领域中的紧凑型电化学传感器。 使用这类微芯片的分析系统称为微全分析系统(μ-TAS)、芯片实验室或生物芯片,并且该分析系统作为能够高速、高效、高集成化学和生物学分析或分析器的微型化的技术而得到关注。μ-TAS允许以小量的样品执行分析并且允许微芯片用完即可丢弃,并且因此特别期望其能够应用于生物学分析,该生物学分析处理有价值且脆弱的微量的样品或大量的待试验物。 如上所述的这类微芯片通常通过将具有井或流路模制在其中的基板接合到另一个基板而制造。当接合基板时,必须可靠密封样品引进至其的微结构而不损坏诸如设置在基板中的流路的微结构。 例如,专利文献I公开了 “包括溶液引入的区域同时保持该区域的内部压力相对于大气压为负的微芯片”。这种微芯片通过接合由不同材料制成的多个基板层而形成。由这类复合材料基板层组成的微芯片可能在基板层之间的接合强度不足。 引用列表 专利文献 专利文献I JP 2011-163984Α
技术实现思路
技术问题 在一些情况下,取决于构成微芯片的基板层的材料的组合,基板层之间的接合强度可能是不足的。因此,本技术的主要目标是提供用于增强基板层之间的接合强度的技术。 技术方案 为了解决问题,本技术提供了一种微芯片,该微芯片包括多个基板层,以及接合层,该接合层设置在基板层之间的界面处并且被配置为包括硅化合物。接合层的至少一层被配置为包括有机娃化合物。 多个基板层可以包括由非硅树脂制成的基板层和由聚二甲基硅氧烷制成的基板层。由聚二甲基硅氧烷制成的基板层的两个表面可以通过接合层接合到由非硅树脂制成的第一基板层和由非娃树脂制成的第二基板层。 由非硅树脂制成的第一基板层在接合到由聚二甲基硅氧烷制成的基板层的接合面上可以具有凹槽。由非硅树脂制成的第二基板层和由聚二甲基硅氧烷制成的基板层可以通过由有机硅化合物制成的接合层接合,由非硅树脂制成的第二基板层在接合到由聚二甲基硅氧烷制成的基板层的接合面上不具有凹槽。 此外,由聚二甲基硅氧烷制成的基板层可以通过由无机硅化合物制成的接合层接合到由非硅树脂制成的第一基板层。 此外,由聚二甲基硅氧烷制成的基板层在接合到由非硅树脂制成的第一基板层的接合面上可以具有凹槽。由非硅树脂制成的第一基板层和由非硅树脂制成的第二基板层可以通过由有机硅化合物制成的接合层分别接合到由聚二甲基硅氧烷制成的基板层。 由非硅树脂制成的第一基板层和由非硅树脂制成的第二基板层可以由丙烯酸树脂或聚碳酸酯组成,并且可以是不透气的。 此外,由聚二甲基硅氧烷制成的基板层可以由于弹性形变而具有自密封能力。凹槽可以具有相对于大气压是负压的内部空间。 本技术提供了用于制造微芯片的方法,该方法包括将包含硅化合物的可交联组合物涂覆由非硅树脂制成的第一基板层的凹槽形成表面的沉积处理,第一基板层的凹槽形成表面设置有凹槽;以及将包含有机硅化合物的可交联组合物涂覆由非硅树脂制成的第二基板层的表面的涂覆处理,第二基板层的表面未设置有凹槽。 根据权利要求9所述的用于制造微芯片的方法,该方法可以包括将由非硅树脂制成的第一基板层的凹槽形成表面和由非硅树脂制成的第二基板层的表面接合到由聚二甲基硅氧烷制成的基板层的接合处理,第一基板层的凹槽形成表面涂覆有包含硅化合物的可交联组合物,第二基板层的表面涂覆有包含有机硅化合物的可交联组合物并且未设置有凹槽。 技术效果 根据本技术,提供了在基板层之间具有增强的接合强度的微芯片。 【附图说明】 图1的A和B是用于描述根据本技术的第一实施方式的微芯片Ia的构造的示意图。 图2是用于描述用于制造微芯片Ia的方法的流程图。 图3的A至F是用于描述用于制造微芯片Ia的方法的示意图。 图4是用于描述根据本技术的第二实施方式的微芯片Ib的构造的示意图。 图5是用于描述用于制造微芯片Ib的方法的流程图。 图6的A至F是用于描述用于制造微芯片Ib的方法的示意图。 图7是用于描述根据本技术的第三实施方式的微芯片Ic的构造的示意图。 图8的A至F是用于描述用于制造微芯片Ic的方法的示意图。 【具体实施方式】 在下文中,将描述用于贯彻本技术的优选实施方式。应注意,以下描述的实施方式仅旨在示出本技术的示例性实施方式并且本技术的范围不解释为限于所描述的实施方式。按照以下顺序进行说明。 1.根据本技术第一实施方式的微芯片的构造 2.根据本技术第一实施方式的用于制造微芯片的方法 (I)模制基板层 (2)层压可交联组合物 (3)硬化可交联组合物 (4)接合基板层 3.根据本技术第二实施方式的微芯片的构造 4.根据本技术第二实施方式的用于制造微芯片的方法 (I)涂覆可交联组合物 5.根据本技术第三实施方式的微芯片的构造 6.根据本技术第三实施方式的用于制造微芯片的方法 (I)模制基板层 (2)涂覆可交联组合物 1.根据本技术第一实施方式的微芯片的构造 图1是示出了根据本技术第一实施方式的微芯片Ia的构造的示意图。图1的A是示意性顶视图,并且图1的B是对应于从图1的A的线P-P截取的截面的示意性截面图。 在图中由参考数字Ia表示的微芯片设置有进入部3、井51至55、以及流路41至45。进入部3用作用于引进诸如样品溶液的液体的区域并且允许液体从外部引进。井51至55用作要被分析的物体的反应场。流路41至45用于将进入部3与井51至55的每个连接。在图1和其描述中,描述基于以下假设:通过流路41提供液体的五个井均视为井51,并且类似地,通过流路42、43、44和45提供液体的五个井分别视为井52、53、54、和55。根据本技术的微芯片的构造不限于如在图1中示出的进入部3、流路41至45、以及井51至55的数量和布置。 根据本技术的微芯片被配置为包括多个基板层和接合层。接合层由设置在基板层之间的界面处的硅化合物制成。此外,接合层的至少一个由有机硅化合物制成。根据本实施方式在图1的B中示出的微芯片Ia被配置为包括例如,三个基板层11、12、和13。组成微芯片Ia的多个基板层11、12、和13优选地包括由非硅树脂制成的基板层和由聚二甲基硅氧烷制成的基板层。此外,由聚二甲基硅氧烷制成的基板层的两个表面通过接合层接合到由非硅树脂制成的第一基板层和由非硅树脂制成的第二基板层。在根据本实施方式的微芯片Ia中,为了方便描述,由聚二甲基硅氧烷制成的基板层称为基板层11,将要被接合到基板层11的两个基板层中的“由非硅树脂制成的第一基板层”称为“基板层12”,并且将要被接合到基板层11的两个基板层中的“由非硅树脂制成的第二基板层”称为“基板层13”。类似地,这可适用于稍后描述的第二和第三实施方式。 在微芯片Ia中,基板层12在接合到基板层11的表面上具有凹槽。凹槽对应于用于引进诸如样品溶液的液体的区域,并且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微芯片,包括:多个基板层;以及接合层,设置在所述基板层之间的界面处并且所述接合层被配置为包括硅化合物,其中,所述接合层中的至少一层被配置为包括有机硅化合物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.07.09 JP 2012-1535841.一种微芯片,包括: 多个基板层;以及 接合层,设置在所述基板层之间的界面处并且所述接合层被配置为包括硅化合物, 其中,所述接合层中的至少一层被配置为包括有机硅化合物。2.根据权利要求1所述的微芯片, 其中,所述多个基板层包括由非硅树脂制成的基板层以及由聚二甲基硅氧烷制成的基板层,以及 其中,由聚二甲基硅氧烷制成的所述基板层的两个表面通过所述接合层接合到由非硅树脂制成的第一基板层以及由非硅树脂制成的第二基板层。3.根据权利要求2所述的微芯片, 其中,由非硅树脂制成的所述第一基板层在接合到由聚二甲基硅氧烷制成的所述基板层的接合面上具有凹槽, 其中,由非硅树脂制成的所述第二基板层和由聚二甲基硅氧烷制成的所述基板层通过由有机硅化合物制成的所述接合层接合,由非硅树脂制成的所述第二基板层在接合到由聚二甲基硅氧烷制成的所述基板层的接合面上不具有凹槽。4.根据权利要求3所述的微芯片,其中,由聚二甲基硅氧烷制成的所述基板层通过由无机硅化合物制成的接合层接合到由非硅树脂制成的所述第一基板层。5.根据权利要求2所述的微芯片, 其中,由聚二甲基硅氧烷制成的所述基板层在接合到由非硅树脂制成的所述第一基板层的接合面上具有凹槽, 其中,由非硅树脂制成的所述第一基板层以及由非硅...

【专利技术属性】
技术研发人员:渡边英俊濑川雄司加藤义明
申请(专利权)人:索尼公司
类型:发明
国别省市:日本;JP

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