柔性阻变存储器、单元结构及制备方法技术

本发明专利技术提供了柔性阻变存储器、单元结构及制备方法，该柔性阻变存储器的单元结构包括：柔性衬底；位于柔性衬底上的基于半导体性单壁碳纳米管的场效应晶体管；场效应晶体管的栅极用于与存储字线信号相连，场效应晶体管的源极用于与接地信号相连；覆盖于场效应晶体管的漏极上的有机阻变存储单元，其一端与场效应晶体管的漏极相连接，另一端用于与存储位线信号相连。采用基于柔性衬底的半导体性单壁碳纳米管晶体管，充分利用了单壁碳纳米管独特的电学特性和优异的材料特性，可用于实现柔性有机阻变存储单元的信号读写，并可进一步利用柔性碳纳米管晶体管构建存储阵列的译码电路，从而真正实现超高密度的柔性有机阻变存储器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种柔性阻变存储器的单元结构，及具有该单元结构的柔性阻变存储器，以及制备该柔性阻变存储器的单元结构的方法。
技术介绍
物联网是近年来兴起的一项综合技术，其核心技术涉及到智能传感、数据存储以及信号处理等多个方面。柔性可穿戴电子系统作为物联网的基本元素，近年来得到了迅速发展，对于柔性晶体管、传感器、存储器等方面的研究也逐渐成为热点课题。基于有机材料构建的有机阻变存储器(RRAM)是目前柔性存储器研究中的一个重要方向，有机材料的低成本、易加工、可折叠等优点和特性使其具有非常广阔的应用前景，目前已经有众多研究结果报道了基于各种类型有机材料的柔性存储器的性能，主要包括有机小分子、聚合物、施主/受主型有机复合物以及掺杂无机纳米颗粒的有机化合物等。但是所有这些研究结果都只是展示了柔性存储器的基本单元结构的性能，而任何存储器要获得真正的实际应用都必须实现超高密度的存储阵列，以及与之相对应的译码电路和单元读写电路。对于>RRAM存储单元而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种柔性阻变存储器的单元结构，其特征在于，包括：柔性衬底；基于半导体性单壁碳纳米管的场效应晶体管，其位于所述柔性衬底上；所述场效应晶体管的栅极用于与存储字线信号相连，所述场效应晶体管的源极用于与接地信号相连；基于有机材料的有机阻变存储单元，其覆盖于所述场效应晶体管的漏极上，其一端与所述场效应晶体管的漏极相连接，另一端用于与存储位线信号相连。

【技术特征摘要】
1.一种柔性阻变存储器的单元结构，其特征在于，包括：
柔性衬底；
基于半导体性单壁碳纳米管的场效应晶体管，其位于所述柔性衬底上；所
述场效应晶体管的栅极用于与存储字线信号相连，所述场效应晶体管的源极用
于与接地信号相连；
基于有机材料的有机阻变存储单元，其覆盖于所述场效应晶体管的漏极上，
其一端与所述场效应晶体管的漏极相连接，另一端用于与存储位线信号相连。
2.根据权利要求1所述的柔性阻变存储器的单元结构，其特征在于，所用
柔性衬底材料包括聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚二甲基硅氧烷、聚对二
甲苯。
3.根据权利要求1所述的柔性阻变存储器的单元结构，其特征在于，所述
场效应晶体管包括采用碳纳米管薄膜、单根碳纳米管、或碳纳米管平行阵列制
备的场效应晶体管。
4.根据权利要求3所述的柔性阻变存储器的单元结构，其特征在于，所述
场效应晶体管包括采用顶栅结构或背栅结构。
5.根据权利要求1所述的柔性阻变存储器的单元结构，其特征在于，所述
有机阻变存储单元采用的有机材料包括：有机小分子、聚合物、施主/受主型有
机复合物或掺杂无机纳米颗粒的有机化合物。
6.一种柔性阻变存储器，其特征在于，其包括柔性阻变存储器单元阵列，
所述柔性阻变存储器单元阵列具有权利要求1所述的单元结构。
7.一种权利要求1所述的柔性阻变存储器的单元结构的制备方法，其特征
在于，包括：
步骤01：在柔性衬底上制备半导体性单壁碳纳米管的场效应晶体管，包括
制备源极、漏极和栅极；
步骤02：在所述场效应晶体管的漏极上制备所述基于有机材料的有机阻变
存储单元；
步骤03：将所述有机阻变存储单元的一端引出，用于与存储位线信号连接；
将所述场效应晶体管的栅极引出，用于与存储字线信号相连接；将所述场效应
晶体管的源极引出，用于与接地信号相连接。
8.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭奥，胡少坚，周伟，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，上海华虹集团有限公司，成都微光集电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31