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本发明提供了柔性阻变存储器、单元结构及制备方法，该柔性阻变存储器的单元结构包括：柔性衬底；位于柔性衬底上的基于半导体性单壁碳纳米管的场效应晶体管；场效应晶体管的栅极用于与存储字线信号相连，场效应晶体管的源极用于与接地信号相连；覆盖于场效应晶...该专利属于上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司;成都微光集电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司;成都微光集电科技有限公司授权不得商用。