一种提高烧结钕铁硼磁性能的晶界扩散方法技术

本发明专利技术涉及一种提高烧结钕铁硼磁性能的晶界扩散方法，将烧结态钕铁硼磁体和扩散合金片叠放在一起，放在热压炉中；对热压炉抽真空，待真空度达到设定值，对热压炉升温，当温度达到设定值时，开始施加压力并保压；将扩散后的试样放入高真空炉中退火处理；扩散合金片为低熔点共晶扩散合金，表示为R-TM，R为Sc、Y、La、Ce、Pr或Nd中的一种或几种，TM为Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu或Zn中的一种或几种。与现有技术相比，按照本发明专利技术提供的加压扩散方法改性后的烧结钕铁硼磁体具有扩散剂扩散深度大，晶界相分布均匀，矫顽力高等优点。特别是本发明专利技术设计出的低熔点扩散合金不含贵重的重稀土元素镝，原料成本相对低廉，扩散温度低，扩散过程中能耗少。

【技术实现步骤摘要】
一种提高烧结钕铁硼磁性能的晶界扩散方法
本专利技术涉及一种提高烧结钕铁硼磁性能的晶界扩散方法，属于稀土永磁材料

技术介绍
具有“磁王”美誉的第三代永磁材料——钕铁硼(NdFeB)自从问世以来一直是学术界和工业界研究的热点。目前，大多数高矫顽力钕铁硼磁体的制备都是通过重稀土元素镝对钕元素的替换加入来实现的，例如，室温下具有3T高矫顽力的钕铁硼磁体中的镝的含量高达10wt％。但是采用镝元素替换钕元素存在以下不足：一方面，镝原子与铁原子的反磁化耦合降低了磁体的磁化强度；另一方面，镝在自然界储量远低于钕，其市场价格远高于钕，镝的加入大大增加了磁体的生产制造成本和对自然资源的压力。近年来，国内外研究学者开发出的镝的氟化物涂覆晶界扩散和镝的饱和蒸气渗透技术成为烧结钕铁硼性能改进的研究热点。然而，对于烧结钕铁硼磁体来说，目前的晶界渗透技术的扩散深度有限，对样品的尺寸要求严格，一般只能处理薄片磁体。同时，镝及其化合物扩散剂价格昂贵，在扩散过程中利用率较低。目前晶界扩散技术工业化应用尚未成熟，还不能大范围替代现有的利用重稀土添加的方式来制备高矫顽力烧结钕铁硼磁体的传统工艺。就目前的技术水平和晶界扩散技术的特点来看，在短期内提高扩散剂的利用和回收效率的可能性不大。因此，能否寻找出更加先进的晶界扩散工艺与相对廉价的扩散剂已成为晶界扩散技术在钕铁硼永磁材料制备领域能否推广应用的关键所在。中国专利CN101845637A公布了一种烧结钕铁硼(Nd-Fe-B)磁体合金改性的加工工艺，通过对烧结钕铁硼磁体合金成分的局部改变，即将适当重量的重稀土氧化物(Dy2O3，Tb4O7)或氟化物(DyF3，TbF3)的粉末溶于浓度适当的酸溶剂内，将磁体浸泡其中适当时间后，取出烘干，磁体表面即覆盖重稀土粉末薄层，将此磁体置于氩气炉内先后进行热扩散处理，然后进行退火处理。该方法既能有效提高磁体矫顽力，又能降低所需添加的重稀土用量。但是该处理方法还是存在着目前常见扩散工艺扩散深度不足的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种提高烧结钕铁硼磁性能的晶界扩散方法。本专利技术的目的可以通过以下技术方案来实现：一种提高烧结钕铁硼磁性能的晶界扩散方法，包括以下步骤：步骤一、将烧结态钕铁硼磁体和扩散合金片叠放在一起，放在热压炉中；步骤二、对热压炉抽真空，待真空度达到设定值，对热压炉升温，当温度达到设定值时，开始施加压力并保压，压力方向与易磁化轴(C轴)平行，融化的扩散合金片合金在压力的作用下，扩散到部分熔融的晶界处，扩散合金片内合金和熔融的晶界发生化学反应，在晶界处形成均匀的稀土元素富集层，起到有效的磁隔离效果，保压结束后随炉冷却至室温，取出试样；步骤三、将扩散后的试样放入高真空炉中退火处理，，退火可以有效降低热压过程产生的内应力，均匀化晶界相成分，减少晶界缺陷，有效提高磁体的磁性能，退火处理结束后随炉冷却至室温。步骤二中，真空度设定值为1×10-2Pa以下，温度设定值为550～800℃，施加压力为10～60MPa，保压时间1～6h。步骤三中，高真空炉内真空度＜1×10-3Pa，退火处理的温度为450～600℃，退火处理时间为1～6h。所述的烧结态钕铁硼磁体指平均晶粒尺寸在1～10μm之间的钕铁硼磁体。所述的扩散合金片为低熔点共晶扩散合金，表示为R-TM，所述的R为Sc、Y、La、Ce、Pr或Nd中的一种或几种，所述的TM为Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu或Zn中的一种或几种。作为优选，所述的R为Ce、Pr或Nd。作为优选，所述的TM为Cr、Fe、Co、Cu或Zn。作为进一步优选，所述的扩散合金片为低熔点三元共晶合金Nd63.5Cu30Fe6.5。所述的扩散合金片切割成0.3～0.6mm的合金薄片。步骤一中，在烧结态钕铁硼磁体和扩散合金片叠放前，将待处理的烧结态钕铁硼磁体及扩散合金片用砂纸打磨并用酒精超声清洗干净；步骤二中，烧结态钕铁硼磁体及扩散合金片与热压炉模具接触部分均用石墨纸隔开。与现有技术相比，本专利技术具有以下优点及有益效果：1)本专利技术扩散工艺之所以能克服目前常用的扩散工艺扩散深度的不足是因为本专利技术的扩散过程是在压力下完成的，压力的存在增加了熔融扩散合金的扩散动能，使熔融的R-TM合金能够沿着熔融的晶界扩散到磁体内部。同时，压力在一定程度了也使晶界沿着垂直于压力的方向(C轴)增宽，而研究表明，垂直于C轴方向的A面从晶体学取向上来说是扩散剂难以附着的面，沿着C轴的增宽在一定程度上弥补了这一缺点；2)本专利技术根据相图软件设计出扩散合金均为低熔点共晶合金，共晶合金具有熔点低、流动性好等优点。例如，本专利技术首选的低熔点三元共晶合金Nd63.5Cu30Fe6.5，其熔点仅为486℃。低的扩散合金熔点意味着在相同的扩散温度下，扩散合金液有更高的过热度，更大的扩散势能，从而在扩散过程中达到更大的扩散深度。目前，烧结钕铁硼磁体的扩散一般都采用镝化物或者镝蒸气，扩散温度较高，一般在900℃左右，扩散深度较浅，对扩散磁体的尺寸要求严格。相比之下，该扩散工艺更加节能环保，适用性更广；3)本专利技术在热处理过程中均采用随炉升温和随炉降温的热处理工艺，没有采用一般预研试验保温后快速冷却的工艺。同时，宽松的扩散温度区间范围保证了合金在工业化大批量生产制造过程中的产品质量稳定性，降低了对退火设备的技术要求。因此，本专利技术更接近生产实践。按照本专利技术提供的加压扩散方法改性后的烧结钕铁硼磁体具有扩散剂扩散深度大，晶界相分布均匀，矫顽力高等优点。特别是本专利技术设计出的低熔点扩散合金不含贵重的重稀土元素镝，原料成本相对低廉，扩散温度低，扩散过程中能耗少。本专利技术提供的新型扩散方法因其相对低廉的技术成本和优异的磁性能将在高性能钕铁硼制备领域具有巨大的潜在应用前景。附图说明图1为对比例1、对比例2、对比例3及实施例3中磁体的退磁曲线；图2为对比例1和实施例3中磁体的B-H曲线。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细说明。由于本专利技术设计出的扩散用R-TM低熔点共晶合金种类较多，其扩散实施过程和作用机理基本相同，下面仅以具有代表性的低熔点共晶Nd63.5Cu30Fe6.5扩散合金为例，通过几组具有代表性的实施例和对比例的制备及性能检测来对本专利技术作进一步的说明，但本专利技术并不仅仅局限于这些实施例，本专利技术所用的烧结态钕铁硼磁体来源于工业生产一线，磁体均为同一批次，同一牌号。Nd63.5Cu30Fe6.5扩散合金片的制备：根据合金成分配比(Nd63.5Cu30Fe6.5)称取纯度大于99.9％的Nd、Fe和Cu，将原料放入电弧炉中，抽真空至1×10-3Pa以下，先将吸氧Ti块融化耗尽残留腔内的氧气，然后反复将各个试样熔炼4～5遍，并在熔炼的过程中施加电磁搅拌，保证组分分布均匀。将熔炼好的纽扣状铸锭用砂轮打磨干净表层，利用电火花切割机切割成厚度在0.3～0.6mm的薄片，切割后将薄片用细砂纸打磨掉氧化皮，放在酒精中超声清洗干净。实施例11)将尺寸为4×7×27mm3的烧结态样品用砂纸打磨掉表层氧化层，用酒精超声清洗干净。2)将一片Nd63.5Cu30Fe6.5合金片放在步骤1所准备的磁体下方，将合金片与磁体放在热压模具块中间，合金片与模具，磁体与模具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高烧结钕铁硼磁性能的晶界扩散方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、将烧结态钕铁硼磁体和扩散合金片叠放在一起，放在热压炉中；步骤二、对热压炉抽真空，待真空度达到设定值，对热压炉升温，当温度达到设定值时，开始施加压力并保压，保压结束后随炉冷却至室温，取出试样；步骤三、将扩散后的试样放入高真空炉中退火处理，退火处理结束后随炉冷却至室温。

【技术特征摘要】
1.一种提高烧结钕铁硼磁性能的晶界扩散方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、将烧结态钕铁硼磁体和扩散合金片叠放在一起，放在热压炉中；步骤二、对热压炉抽真空，待真空度达到1×10-2Pa以下，对热压炉升温，当温度达到550～800℃时，开始施加压力10～60MPa，并保压1～6h，保压结束后随炉冷却至室温，取出试样；步骤三、将扩散后的试样放入高真空炉中退火处理，退火处理结束后随炉冷却至室温；所述的烧结态钕铁硼磁体指平均晶粒尺寸在1～10μm之间的钕铁硼磁体；所述的扩散合金片为低熔点共晶扩散合金，表示为R-TM，所述的R为Sc、Y、La、Ce、Pr或Nd中的一种或几种，所述的TM为Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu或Zn中的一种或几种。2.根据权利要求1所述的一种提高烧结钕铁硼磁性能的晶界扩散方法，其特征在于，步骤三中，高真空炉内真空度在1×10-3Pa以下，退火处理的温度为45...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈夫刚，张澜庭，张铁桥，王静，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：上海;31