大电流共模电感制造技术

技术编号:11085510 阅读:103 留言:0更新日期:2015-02-26 12:03
本实用新型专利技术提供了一种大电流共模电感,包括磁芯及两个导电片;所述两个导电片中部包裹于磁芯中,两个导电片于磁芯包裹处设有共轭的共模段。区别于普通共模线圈采用铜线圈绕的结构,本实用新型专利技术的有益效果在于:直接采用导电片作为共模线圈,由于导电片本身就有一定宽度且呈条形,因此其在同等体积下能有更高的阻抗以及更好的大电流耐受性。通常其阻抗可轻易设计到10-20欧,而电流耐受则可达20A,教以往产品8-19A而言大为提高。

【技术实现步骤摘要】
大电流共模电感
[0001 ] 本技术涉及一种电子元器件,尤其是指一种大电流共模电感。
技术介绍
共模电感(Common mode Choke),也叫共模扼流圈,常用于电脑的开关电源中过滤共模的电磁干扰信号。在板卡设计中,共模电感也是起EMI滤波的作用,用于抑制高速信号线产生的电磁波向外辐射发射。随着时下电子产品的集成度越来越高,对体积要求的越来越小,出现了贴片式共模电感,其常见于各类主板上,其结构和功能与直立式共模电感几乎是一样的。如图1所示就是一种传统的共模电感,其体积小巧,但限于其结构设计,现有共模电感普遍存在阻抗普遍低,且耐电流小的问题,
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是:提供一种体积小巧且可耐大电流的共模电感。 为了解决上述技术问题,本技术采用的技术方案为:一种大电流共模电感,包括磁芯及两个导电片;所述两个导电片中部包裹于磁芯中,两个导电片于磁芯包裹处设有共轭的共模段; 上述结构中,所述导电片两端设有引导段及折弯段;所述引导段沿磁芯侧壁延伸,所述折弯段向磁芯底部弯折; 上述结构中,所述导电片的共模段呈波浪形; 上述结构中,所述导电片的共模段呈锯齿形; 上述结构中,所述磁芯呈长方体; 上述结构中,所述磁芯长7.6±1.Ctam,宽 6.0±1.Ctam,厚 3.2±1.Ctam。 区别于普通共模线圈采用铜线圈绕的结构,本技术的有益效果在于:直接采用导电片作为共模线圈,由于导电片本身就有一定宽度且呈条形,因此其在同等体积下能有更高的阻抗以及更好的大电流耐受性。通常其阻抗可轻易设计到10-20欧,而电流耐受则可达20A,教以往产品8-19A而言大为提高。 【附图说明】 下面结合附图详述本技术的具体结构 图1为本技术的外部结构示意图; 图2为本技术一实施例的结构剖视图; 图3为本技术另一实施例的结构剖视图。 1-磁芯;2_导电片;21_共模段;22_引导段;23_折弯段。【具体实施方式】 为详细说明本技术的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果,以下结合实施方式并配合附图详予说明。 请参阅图1以及图2,一种大电流共模电感,包括磁芯I及两个导电片2 ;所述两个导电片2中部包裹于磁芯1,两个导电片2于磁芯I包裹处设有共轭的共模段21。 从上述描述可知,区别于普通共模线圈采用铜线圈绕的结构,本技术的有益效果在于直接采用导电片作为共模线圈,由于导电片本身就有一定宽度且呈条形,因此其在同等体积下能有更高的阻抗以及更好的大电流耐受性。通常其阻抗可轻易设计到10-20欧,而电流耐受则可达20A,教以往产品8-19A而言大为提高。 实施例1: 上述结构中,所述导电片2两端设有引导段22及折弯段23 ;所述引导段22沿磁芯I侧壁延伸,所述折弯段23向磁芯I底部弯折。此结构不仅解决了以往共模线圈外引接线问题,通过一个导电片2弯折成不同段即可实现,简化了产品的生产,且提高了可靠度。 实施例2: 上述结构中,所述导电片2的共模段21呈波浪形,曲折的波浪形教平直结构而言可以提供更多的工作面积从而提高阻抗,但生产则会较平直结构可以直接插入磁芯I而言来说较为困难。 实施例3: 如图3所示,上述结构中,所述导电片2的共模段21呈锯齿形。同样锯齿形可增加导电片2的工作面积,从而提高其阻抗。 实施例4: 上述结构中,所述磁芯I呈长方体。长方体磁芯I不仅结构规整便于电路中应用,且采用此形状磁芯I包裹导电片2部分的均匀性更容易控制,可确保更高的良品率。 实施例5: 上述结构中,结合大量实验得出,在磁芯I采用长方体的时候,其磁芯I长7.6± 1.Ctam,宽 6.0± 1.Ctam,厚 3.2± 1.0mm 为最佳。 以上所述仅为本技术的实施例,并非因此限制本技术的专利范围,凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的
,均同理包括在本技术的专利保护范围内。本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种大电流共模电感,其特征在于:包括磁芯及两个导电片;所述两个导电片中部包裹于磁芯中,两个导电片于磁芯包裹处设有共轭的共模段。

【技术特征摘要】
1.一种大电流共模电感,其特征在于:包括磁芯及两个导电片;所述两个导电片中部包裹于磁芯中,两个导电片于磁芯包裹处设有共轭的共模段。2.如权利要求1所述的大电流共模电感,其特征在于:所述导电片两端设有引导段及折弯段;所述引导段沿磁芯侧壁延伸,所述折弯段向磁芯底部弯折。3.如权利要求1所述的大电流共模电感,其特征在于:...

【专利技术属性】
技术研发人员:张海道钟裕祥
申请(专利权)人:深圳市瑞劲电子有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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