【技术实现步骤摘要】
一种软恢复续流的二极管
本技术涉及二极管制作
，特别涉及一种软恢复续流的二极管。
技术介绍
大功率快速软恢复二极管主要应用在高频电力电子电路中，它与主回路中的晶闸管或IGBT等新型电力半导体开关器件相并联，开关器件反向时，流过负载中的无功电流，减小电容的充电时间，同时抑制因负载电流瞬时反向而感应的过电压尖峰。传统的二极管的反向恢复时间不够快，耐压性不够；这样在硬开关过程中存在二极管反向恢复电流(Irm)增加了开关器件开通损耗率和过电压尖峰，并且在快速di/dt开关时能够产生电磁干扰。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题，在于提供一种软恢复续流的二极管，缩短二极管的反向恢复时间，提高反向恢复软度，同时使二极管具有较高的耐压，从而达到控制自调节发射效率和缩短反向恢复时间的目的。 本技术是这样实现的:一种软恢复续流的二极管，所述二极管的阳极和阴极之间的基区采用缓冲层结构，所述的缓冲层结构为:在基区的N区从上至下依次设置有N1区和队区；在基区的P区中镶嵌有至少4个P +区；所述P区和4个P +区结构能控制空穴的注入效应。 进一步地，所述4个P+区均匀分布于P区。 本技术的优点在于:本专利技术在基区的N区从上至下依次设置有NI区和N2区；在基区的P区中镶嵌有至少4个P+区；快速软恢复二极管的基区和阳极之间采用缓冲层结构，使得在空间电荷区扩展后的剩余基区内驻留更多的残存电荷，并且驻留时间更长，提高了二极管的软度。 【附图说明】 图1是本技术的结构示意图。 【具体实施方式】 请参阅图1所示，一种软恢复续流的二极管，所述二...
【技术保护点】
一种软恢复续流的二极管，其特征在于：所述二极管的阳极和阴极之间的基区采用缓冲层结构，所述的缓冲层结构为：在基区的N区从上至下依次设置有N1区和N2区；在基区的P区中镶嵌有至少4个P+区；所述P区和4个P+区结构能控制空穴的注入效应。
【技术特征摘要】
1.一种软恢复续流的二极管，其特征在于:所述二极管的阳极和阴极之间的基区采用缓冲层结构，所述的缓冲层结构为:在基区的N区从上至下依次设置有N1区和1区；在基区的P...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄福仁，黄赛琴，戴峰，
申请(专利权)人：福建安特微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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