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本实用新型提供了一种软恢复续流的二极管，所述二极管的阳极和阴极之间的基区采用缓冲层结构，所述的缓冲层结构为：在基区的N区从上至下依次设置有N1区和N2区；在基区的P区中镶嵌有至少4个P+区；所述P区和4个P+区结构能控制空穴的注入效应。本实...
该专利属于福建安特微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建安特微电子有限公司授权不得商用。

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