薄膜晶体管及其制造方法、显示装置和电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种具有简单结构而在栅极负偏压时可以减小漏电流的薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法以及显示装置和电子设备。所述薄膜晶体管包括：栅极；包括对向所述栅极的通道区域的半导体膜；和绝缘膜，所述绝缘膜至少设置在接近所述半导体膜的侧壁的栅极侧上的端部的位置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供了一种具有简单结构而在栅极负偏压时可以减小漏电流的薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法以及显示装置和电子设备。所述薄膜晶体管包括：栅极；包括对向所述栅极的通道区域的半导体膜；和绝缘膜，所述绝缘膜至少设置在接近所述半导体膜的侧壁的栅极侧上的端部的位置。【专利说明】薄膜晶体管及其制造方法、显示装置和电子设备
本技术涉及一种具有底栅极结构的薄膜晶体管（TFT)及其制造方法，以及包含该 薄膜晶体管的显示装置和电子设备。
技术介绍
在栅极断开时的薄膜晶体管中，漏电流（断开状态电流）可能在源极与漏极之间 流动。如果大量的这种断开状态电流流入构成显示装置的薄膜晶体管中，那么会产生不光 亮斑点及光亮斑点，并且会在面板上出现诸如不均匀和粗糙等特性缺陷，从而降低可靠性。 断开状态电流主要是由由于在源极与通道之间以及漏极与通道之间的高电场区域而产生 的载流子引起的，并且在栅极负偏压的状态下较为显著。 另一方面，从响应速度及确保驱动电流的观点来看，确保接通状态电流也是很 重要的。有鉴于此，需要一种具有高接通/断开比的薄膜晶体管，例如，作为在不降低接 通状态电流的情况下抑制断开状态电流的方法，专利文献1?3提出了多种轻掺杂漏极 (lightly doped drain，LDD)结构。 日本未审查专利申请公开No. 2002-313808 日本未审查专利申请公开No. 2010-182716 日本未审查专利申请公开No. 2008-258345
技术实现思路
然而，由于具有LDD结构的薄膜晶体管具有复杂的结构，因而在制造过程中容易 产生变化。 因此，期望提供一种具有简单结构以便在栅极负偏压时允许漏电流减小的薄膜晶 体管、其制造方法以及显示装置和电子设备。 根据本技术的实施方案，提供了一种薄膜晶体管，其包括：栅极；包括对向所述栅 极的通道区域的半导体膜；和绝缘膜，所述绝缘膜至少设置在接近所述半导体膜的侧壁的 栅极侧上的端部的位置。 根据本技术的实施方案，提供了一种显示装置，所述显示装置设有多个元件和驱 动所述多个元件的薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括：栅极；包括对向所述栅极的通道区 域的半导体膜；和绝缘膜，所述绝缘膜至少设置在接近所述半导体膜的侧壁的栅极侧上的 端部的位置。 根据本技术的实施方案，提供了一种电子设备，所述电子设备包括设有多个元件 和驱动所述多个元件的薄膜晶体管的显示装置。所述薄膜晶体管包括：栅极；包括对向所 述栅极的通道区域的半导体膜；和绝缘膜，所述绝缘膜至少设置在接近所述半导体膜的侧 壁的栅极侧上的端部的位置。 在根据本技术实施方案的薄膜晶体管中，由于设置在半导体膜侧壁上的绝缘膜位 于栅极侧的端部，因此栅极负偏压时的高电场区域远离半导体膜。 根据本技术的实施方案，提供了一种薄膜晶体管的制造方法。所述方法包括如下 步骤：在基板上形成栅极；在所述栅极上形成半导体膜，所述半导体膜包括对向所述栅极 的通道区域；以及至少在接近所述半导体膜的侧壁的栅极侧上的端部的位置处形成绝缘 膜。 根据本技术实施方案的薄膜晶体管及其制造方法、显示装置和电子设备，由于绝 缘膜设置在栅极侧的侧壁端部处的半导体膜上，因而可以使半导体膜与高电场区域彼此分 离。因此，半导体膜的电场得以缓和，并且在栅极负偏压时可以减小漏电流。 需要指出的是，上述的概括说明以及下面的详细说明都是示例性的，其旨在进一 步说明所请求保护的技术。 【专利附图】【附图说明】 所包含的附图是为了提供对本公开的进一步理解，并且其包含在本说明书中并构 成本说明书的一部分。附图示出了实施方案，并且与说明书一起用来解释本技术的原理。 图IA是示出根据本技术第一实施方案的薄膜晶体管的结构的平面图。 图IB是图IA所示的薄膜晶体管的断面图。 图2A是按步骤顺序示出图IB所示的薄膜晶体管的制造方法的断面图。 图2B是示出图2A所示步骤的下一步骤的断面图。 图2C是示出图2B所示步骤的下一步骤的断面图。 图2D是示出图2C所示步骤的下一步骤的断面图。 图2E是示出图2D所示步骤的下一步骤的断面图。 图3是包括图IB所示的薄膜晶体管的显示装置的断面图。 图4是示出图3所示的显示装置的整体构成的视图。 图5是示出图4所示的像素驱动电路的例子的电路图。 图6是示出在暗状态下电流与电压之间关系的特性图。 图7是根据本技术第二实施方案的薄膜晶体管的断面图。 图8A是按步骤顺序示出图7所示的薄膜晶体管的制造方法的断面图。 图8B是示出图8A所示步骤的下一步骤的断面图。 图9A是示出根据变形例1的薄膜晶体管的结构的平面图。 图9B是图9A所示的薄膜晶体管的断面图。 图10是示出根据变形例2的薄膜晶体管的结构的断面图。 图IlA是示出根据变形例3的薄膜晶体管的示例性结构的断面图。 图IlB是示出根据变形例3的薄膜晶体管的另一示例性结构的断面图。 图IlC是示出根据变形例3的薄膜晶体管的另一示例性结构的断面图。 图IlD是示出根据变形例3的薄膜晶体管的另一示例性结构的断面图。 图12是示出根据上述实施方案等中任一个薄膜晶体管的应用例1的外观的立体 图。 图13A是示出了从正面看到的应用例2的外观的立体图。 图13B是示出了从背面看到的应用例2的外观的立体图。 图14是示出应用例3的外观的立体图。 图15是示出应用例4的外观的立体图。 图16A示出在折叠状态下的应用例5的正视图、左视图、右视图、俯视图和仰视图。 图16B示出在打开状态下的应用例5的正视图和侧视图。 【具体实施方式】 在下文中，将参照附图详细说明本技术的实施方案。需要指出的是，将按照下面的 顺序进行说明。 L第一实施方案（采用侧壁和完全遮光结构的例子） 1-1.整体构成 1-2.制造方法 1-3.显示装置 1-4.功能和效果 2.第二实施方案（采用矩形绝缘膜和完全遮光结构的例子） 3.变形例1 (采用侧壁和部分遮光结构的例子） 4.变形例2 (采用矩形绝缘膜和部分遮光结构的例子） 5.变形例3 (在半导体膜上设有通道保护膜的例子） 6.应用例 (第一实施方案） (I. 1整体构成） 图IA示出了根据本公开第一实施方案的底栅型（反向交错型）薄膜晶体管（薄 膜晶体管10)的平面构成，图IB示意性地示出了薄膜晶体管10沿着图IA所示的虚线I-I 的断面构成。例如，薄膜晶体管10是采用多晶硅等作为半导体膜14的TFT，并且例如用作 有机EL显示器等的驱动元件。薄膜晶体管10包括：依次设置在基板11上的栅极12、栅极 绝缘膜13、形成通道区域14C的半导体膜14、以及一对源极和漏极（源极15A和漏极15B)。 在本实施方案中，在半导体膜14的侧面14A上设有绝缘膜16。另外，半导体膜14的平面尺 寸小于栅极12的平面尺寸。换句话说，从基板11侧看，栅极12完全覆盖半导体膜14。具 体地，在液晶显示装置中使用薄膜晶体管10时，从背面射出的光（诸如背光等）完全被栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其包括：基板；在所述基板上的栅极；对向所述栅极的半导体膜；在所述半导体膜中的通道形成区域；在所述基板上的一对源极区域和漏极区域；以及在所述半导体膜的侧面的至少一部分上的绝缘膜。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：菅野道博，河村隆宏，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP