微型皮拉尼计的制备方法及其与体硅器件集成加工的方法技术

本发明专利技术公开了一种微型皮拉尼计的制备方法及其与体硅器件集成加工的方法。集成加工的方法包括：在硅基片正面制备体硅器件所需的绝缘层及电路引线；在硅基片的背面或正面沉积一层绝缘隔热材料，刻蚀去除其四周部分得到绝缘隔热层；在绝缘隔热层上制备加热体和电极；在没有加热体的一面制备图形化的光刻胶掩膜；在有加热体的一面沉积金属膜；将金属膜粘贴在表面有氧化层的硅托片上；对有光刻胶掩膜的一面进行感应耦合等离子体干法刻蚀，刻穿硅基片；去除光刻胶掩膜和金属膜，得到集成结构。本发明专利技术能有效提高皮拉尼计的制备与其它工艺的兼容性，解决皮拉尼计与体硅器件集成封装工艺难度大，风险高，成本高且产量低的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种微型皮拉尼计与体硅器件集成加工的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在双面抛光的硅基片正面制备体硅器件所需的绝缘层及电路引线；(2)在硅基片的背面或正面沉积一层绝缘隔热材料；(3)对该层绝缘隔热材料进行刻蚀，去除其四周部分，得到微型皮拉尼计的绝缘隔热层；(4)在绝缘隔热层上制备微型皮拉尼计的加热体和电极；(5)用双面对准工艺在没有加热体和电极的一面制备图形化的光刻胶掩膜；(6)在制备有加热体和电极的一面沉积金属膜，使其覆盖绝缘隔热层、加热体、电极和硅基片表面；(7)用真空油将金属膜粘贴在表面有氧化层的硅托片上；(8)对制备有光刻胶掩膜的一面进行感应耦合等离子体干法刻蚀，刻穿硅基片，得到微型皮拉尼计的背部空腔和体硅微结构；(9)去除图形化的光刻胶掩膜和金属膜，得到微型皮拉尼计和体硅器件的集成结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：范继，涂良成，刘金全，王超，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42