多层配线基板及其制造方法与半导体制品技术

本发明专利技术公开了多层配线基板及其制造方法与半导体制品。该多层配线基板包括：形成在绝缘层的一个表面上的沟槽，该沟槽的深度比绝缘层的厚度浅；以及被施加到沟槽的铜镀。另外，该半导体制品包括该多层配线基板。

【技术实现步骤摘要】
多层配线基板及其制造方法与半导体制品相关申请的交叉参考本申请要求于2013年7月23日提交的日本在先专利申请JP2013-152896的利益，其全部内容通过引用并入本文。
本专利技术涉及一种多层配线基板及其制造方法，以及半导体制品。更具体地，本专利技术涉及一种在不增厚总板厚度的情况下防止翘曲(wraping，扭曲)的多层配线基板及其制造方法与半导体制品。
技术介绍
通过层压多种材料提供的一种多层配线基板可以由于相应的材料的热膨胀系数之间或者热固化收缩率之间的差异而翘曲。为了防止翘曲，如通常已知的，导体和绝缘层的厚度被扩大以提供刚度，采用具有低热膨胀系数或热固化收缩率的材料，匹配不同导体层的铜残留率，等等。然而，如果导体和绝缘层的厚度被扩大，其总厚度增加，则不能满足对薄的和小型的多层配线基板的要求。此外，因为具有低热膨胀系数的材料是昂贵的，所以不能满足对低成本的要求。日本专利申请公开号2000-13019提出，导体虚设图案被布置在制品的外周上，其不被用于制品配线，以提供刚度并防止翘曲。日本专利申请公开号2002-324952提出，将导体虚设图案布置在未被用于制品配线的制品的外周边，以提供刚度并防止翘曲。日本专利申请公开号2002-324952提出导通孔被布置在可舍去(wastable)基板以提供刚度并防止翘曲。此外，日本专利申请公开号2007-67010提出，虚设缝隙被布置在除具有制品的导体图案的电路区域以外的区域，并穿透内层导体，以提供刚度并防止翘曲。
技术实现思路
在日本专利申请公开号2000-13019的提议中，提供了低于预期的刚度，而翘曲防止效果可能降低，作为响应薄的多层配线基板上的需求，薄的导体是有必要的。在日本专利申请公开号2002-324952的提议中，预期可以在基板的安装步骤中提供刚度。然而，制品区域没有导通孔。在安装之后，当制品区域被分离时，可能会产生翘曲。在日本专利申请公开号2007-67010的提议中，穿透绝缘层的虚设缝隙，应当布置在不被用于制品配线的区域，而且配线对于内层中的虚设缝隙是必要的。因此，由于对小尺寸多层配线基板的需求，存在其中不能布置虚设缝隙的区域，所以翘曲防止效果可能会降低。鉴于上述情况，需要在不增厚和使用昂贵的材料的情况下，防止多层配线基板的翘曲，同时可以以低的成本提供薄和小尺寸的多层配线基板。可期望的是不增厚总板厚度的情况下提供在防止翘曲的多层配线基板。根据本技术的一个实施方式，提供了一种多层配线基板，包括：在绝缘层的一个表面上形成的沟槽，所述沟槽的深度比绝缘层的厚度浅；以及对所述沟槽施加的铜镀(copperplating，镀铜)。绝缘层是堆积层(build-uplayer)。绝缘层是核心层。绝缘层是包括玻璃纤维织物(glasscloth)的环氧材料。铜镀层被施加以填充沟槽。形成未从所述沟槽的一个表面穿透到另一侧表面的沟槽。沟槽产生在约绝缘层的一半深度处。沟槽产生在接地或电源图案(agroundorapowersourcepattern)中的绝缘层的一个表面上。根据本技术的实施方式，提供了一种制造多层配线基板的方法，包括：在绝缘层的一个表面上产生深度比绝缘层厚度浅的沟槽；以及对产生在绝缘层上的沟槽施加铜镀。根据本技术的实施方式中，提供一种半导体制品，包括：多层配线基板，具有：在绝缘层的一个表面上产生的沟槽，所述沟槽的深度比绝缘层的厚度浅；以及施加于所述沟槽的铜镀。半导体制品是相机模块。根据本技术的实施方式，深度比绝缘层厚度更浅的沟槽产生在绝缘层的一个表面上，并且铜被镀到绝缘层上所产生的沟槽中。根据本技术的实施方式，多层配线基板包括：产生在绝缘层的一个表面上的其深度比绝缘层的厚度更浅的沟槽，以及施加到所述沟槽的铜镀。根据本技术，提供了一种在不增加总板厚度的情况下防止翘曲的多层配线基板。本领域技术人员应当理解，根据设计需求和其他因素，在所附权利要求或其等价物范围内，可以进行各种变形、组合、子组合、以及修改。如附图所示，鉴于对其最佳模式实施方式的如下详细描述，本专利技术公开的这些和其他目标、特征和优点将会变得更加明显。附图说明图1是示出制造根据本技术一个实施方式的多层配线基板的装置的构造的方框图；图2是用于制造多层配线基板的步骤的流程图；图3A至图3C各示出了用于制造多层配线基板的步骤；图4A和图4B各示出了用于制造多层配线基板的步骤；图5示出了内层核心的其它构造；图6示出了穿透结构的配置；图7表示非穿透结构(沟槽)的配置；图8示出了沟槽的配置；图9示出了使用具有虚设缝隙的多层配线基板的相机模块的实施方式；以及图10示出了使用具有沟槽的多层配线基板的相机模块的实施方式。具体实施方式在下文中，将参照附图对本公开的实施方式进行说明。本专利技术的实施方式将按照以下顺序进行描述。1，第一实施方式(多层配线基板)2，第二实施方式(半导体制品)<1.第一实施方式>【制造装置的构造】图1是示出制造应用本技术一个实施方式的多层配线基板的装置的构造的方框图。所述制造装置由内层核心制造单元11、堆积层制造单元12、铜箔表面处理单元13、通孔制造单元14、沟槽制造单元15，镀层制造单元16、以及多层配线基板制造单元17构成。内层核心制造单元11制造内层核心61(图3A)。堆积层制造单元12在内层核心61的上部和下部形成堆积层73(图3B)。在制造堆积层73之后，铜箔表面处理单元13执行铜箔表面处理。在铜箔表面处理后，通孔制造单元14产生通孔76(图3B)，其在堆积层73的预定位置穿透堆积层73。沟槽制造单元15制造沟槽75(图3B)，其在堆积层73的上表面上的预定位置未穿透到堆积层73的下表面。镀层制造单元16在堆积层73上通孔76和沟槽75产生之处产生籽晶层(未示出)和电解铜镀层81(图3C)。多层配线基板制造单元17在电解铜镀层81上产生蚀刻抗蚀剂，并蚀刻铜，以产生电路，由此产生多层配线基板101(图4A)。【多层配线基板的制造】接着，参照图2中所示的流程图以及图3和图4所示的步骤图。将描述由制造多层配线基板的装置执行的制造多层配线基板的步骤。首先，在步骤S11中，内层核心制造单元11制造内层核心61，其为所述多层配线基板的中心。具体地说，如图3A所示，内层核心制造单元11在芯材(corematerial)51中产生贯通孔53。围绕贯通孔53，导体52被施加以产生内层核心61。作为芯材51，可以使用用于配线基板的普通材料，诸如环氧材料和包括玻璃纤维织物的聚酰亚胺材料。在步骤S12中，堆积层制造单元12在内层核心61的上部和下部层压绝缘树脂71和铜箔72以产生堆积层73。作为绝缘树脂71，可以使用构成配线基板的一般的材料，如包括玻璃纤维织物77的环氧材料(epoxymaterial)。在步骤S13中，为了很好地吸收激光，在产生堆积层73后，铜箔表面处理单元13执行铜箔表面处理。铜箔表面处理未示出。在步骤S14中，在铜箔表面处理后，通孔制造单元14使用激光束钻孔设备(未示出)在堆积层73的预定位置处制造从堆积层73的上表面穿透到下表面的通孔76，如图3B所示。在本实施方式中，各堆积层73的下表面是指与内层核心61接触的表面，而各堆积层73的上表面是指电解铜镀层81此后施加到其上的表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层配线基板，包括：沟槽，形成在绝缘层的一个表面上，所述沟槽的深度比所述绝缘层的厚度浅；以及铜镀，被施加到所述沟槽。

【技术特征摘要】
2013.07.23 JP 2013-1528961.一种多层配线基板，包括：沟槽，形成在绝缘层的一个表面上，所述沟槽的深度比所述绝缘层的厚度浅；以及铜镀，被施加到所述沟槽，其中，所述沟槽形成于接地或电源图案中的所述绝缘层的一个表面上，其中，所述绝缘层是环氧材料，其中，所述沟槽被形成为从所述绝缘层的一个表面未穿透到另一个表面，并且其中，玻璃纤维织物设置在所述绝缘层中，并且所述玻璃纤维织物到所述绝缘层的形成有所述沟槽的一个表面的距离等于所述沟槽的深度。2.根据权利要求1的多层配线基板，其中所述绝缘层是堆积层。3.根据权利要求1的多层配线基板，其中所述绝缘层是核心层。4.根据权利要求1的多层配线基板，其中所述铜镀被施加为填充所述沟槽。5.根据权利要求1的多层配线基板，其中所述沟槽是以所述绝缘层的一半的深度形成的。6.根据权利要求1的多层配线基板，其中所述沟槽的宽度是从50μm至150μm。7.一种制造多层配线基板的...

【专利技术属性】
技术研发人员：稻冈俊幸，浦辻淳广，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP