等离子体加热流化床制备三氯氢硅的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种等离子体加热流化床制备三氯氢硅的装置，包括：流化床反应器（10），流化床反应器（10）内设置有热电阻丝（8），流化床反应器（10）器壁设置有硅粉加料口（11）、温度测控口（12）和压力计（9），流化床反应器（10）底部设置有等离子体枪（3）以及氢气和四氯化硅气体混合器（6），等离子体枪（3）与等离子热源体（2）相连，等离子热源体（2）与等离子电源工作气体入口（1）相连，氢气和四氯化硅气体混合器（6）与氢气入口（4）和汽化器（14）相连，汽化器（14）上设置有四氯化硅入口（5），流化床反应器（10）顶部设置有尾气出口（13）。本实用新型专利技术改善流化床反应器内的温度梯度，使流化床反应器内得热场均匀，提供氢等离子体，显著提高四氯化硅转化率、降低能耗。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
等离子体加热流化床制备三氯氢硅的装置
本技术涉及一种等离子体加热流化床制备三氯氢硅的装置。属多晶硅制备
。
技术介绍
目前全球多晶硅企业，超过80%采用改良西门子法。改良西门子法生产多晶硅，不可避免地要产生大量四氯化硅。为了实现降本降耗，国内早期项目普遍采用热氢化工艺将四氯化硅转化为三氯氢硅，具体反应方程如下: SiCl4 + H2 — SiHCl3 + HCl 该反应的反应温度为1150°C?1250°C，反应压力OMPa (G)?0.6MPa (G)0 热氢化工艺主要采用钟罩式反应器，通过给电加热件通电发热达到表面温度1200°C?1300°C之间，由于电加热件表面积有限，导致钟罩式反应器内的温度梯度大、热场不均匀，四氯化硅和氢气在电加热件表面反应生成三氯氢硅，转化率低(20%以下)，同时为了保持较高转化率，采用较小进料量，热量利用率低，能耗较高(2.0?3.0kW.h/kg-SiCl4)。 近年来，为了降低多晶硅生产成本，国内多晶硅企业已开始使用冷氢化工艺处理四氯化硅，通过氢气、硅粉歧化还原四氯化硅来制备三氯氢硅。具体反应方程如下: 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体加热流化床制备三氯氢硅的装置，其特征在于：所述装置包括：流化床反应器（10），流化床反应器（10）内设置有热电阻丝（8），流化床反应器（10）器壁设置有硅粉加料口（11）、温度测控口（12）和压力计（9），流化床反应器（10）底部设置有等离子体枪（3）以及氢气和四氯化硅气体混合器（6），等离子体枪（3）与等离子热源体（2）相连，等离子热源体（2）与等离子电源工作气体入口（1）相连，氢气和四氯化硅气体混合器（6）与氢气入口（4）和汽化器（14）相连，汽化器（14）上设置有四氯化硅入口（5）、热媒入口（15）和热媒出口（16），流化床反应器（10）顶部设置有尾气出口（13）。

【技术特征摘要】
1.一种等离子体加热流化床制备三氯氢硅的装置，其特征在于:所述装置包括:流化床反应器(10)，流化床反应器(10)内设置有热电阻丝(8)，流化床反应器(10)器壁设置有硅粉加料口(11)、温度测控口(12)和压力计(9)，流化床反应器(10)底部设置有等离子体枪(3)以及氢气和四氯化硅气体混合器(6)，等离子体枪(3)与等离子热源体(2)相连，等离子热源体(2 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：王东京，赵建，詹水华，盛斌，孙惺惺，
申请(专利权)人：江苏双良新能源装备有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32