本发明专利技术涉及一种烧结钕铁硼磁体的方法，属于稀土磁材料技术领域。按钕铁硼磁体的配方Pr6-8Nd22-24B1-1.2Nb0.2-0.5Co1-2Al0.5-0.8Fe63.5-69.3称取原料并进行熔炼，浇注成甩片；将甩片氢碎、气流磨制成平均粒度为3μm－5μm的粉末；将粉末先取向，然后压制成型，再在180-200MPa下加压进行等静压处理，保压16s-22s形成坯件；最后将坯件置于真空烧结炉中先进行脱氢，再在1050-1060℃、真空度为2E-2帕的条件下高温烧结，然后回火，最后采用氮气风冷至常温出炉得到钕铁硼磁体。本发明专利技术的制备方法简单易行，制得的钕铁硼磁体性能较好。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，属于稀土磁材料
。 技术背景 NdFeB永磁合金，因其具有高剩磁、高矫顽力和高磁能积，已经在计算机硬磁盘驱 动器、电机、人体核磁共振成像仪、音响器件等许多方面得到应用。NdFeB永磁材料的制备 方法主要包括烧结、热变形和粘结。粘结NdFeB由于粘结剂的加入使得磁性能普遍偏低。 而传统烧结NdFeB则因组织不均匀性、存在非磁性相以及高温烧结诱发晶粒粗大等原因， 致使其温度稳定性差、磁化强度和抗腐蚀性能偏低。与粘结、传统烧结NdFeB相比，热变形 (H〇t-Def〇rmati〇n，HD)NdFeB磁体因烧结后的热变形处理晶粒会沿着压力方向（C轴）取 向，并表现出更为优异的磁性能、抗腐蚀性及断裂韧性。目前，研究者们针对热变形工艺、微 观组织及磁性能三者间关系已进行了较为深入的研究，并且注意到传统烧结和后续热变形 过程中的晶粒均易发生长大而导致磁性能恶化。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有技术中存在的不足，提供一种烧结钕铁硼磁体的方 法，使制得的钕铁硼磁体具有较高性能。 本专利技术的目的通过以下技术方案实现，，所述方法包 括如下步骤： SI、按钕铁硼磁体的配方（重量百分比）PiVsNUh.2NbQ.2_Q. 5C〇1_2A1q. 5_Q.8Fe63.5_69.3 称取原料并进行熔炼，将熔炼完全后的合金浇注成甩片； S2、将上述甩片置于氢碎炉中氢碎得平均粒径为10iim- 20iim的粉料，然后使用 气流磨制成平均粒度为3iim- 5iim的粉末，将上述粉末在含量高于99. 99 %的惰性气体的 保护下搅拌Ih- 3h; S3、将搅拌好的粉末在氮气的保护下放入成型压机模具中加磁场进行取向，取向 后压制成型为生坯，将生坯放入等静压机在180-200MPa下加压，保压16s-22s形成坯件； S4、将等静压后的坯件在氮气的保护下先剥油，再置于真空烧结炉中先进行脱氢， 再在1050-1060°C下、真空度为2『2帕下高温烧结，然后回火，最后采用氮气风冷至常温出 炉得到钕铁硼磁体。 本专利技术将钕铁硼磁体按一定质量百分比配比，通过选择具有合适质量百分比的 铌、铝等元素，并适当添加其他元素，细化晶粒，优化晶界相，通过改善烧结工艺，进一步提 高产品的性能和抗腐蚀能力。并添加适量的Pr、Nd，形成适量的Nd-Fe-B主相组织，改善磁 体的显微组织,从而较全面地改善磁体的耐磨蚀性能及温度稳定性。将配料好的原料先直 接进行氢碎，保证重稀土粉末的均匀细化，并通过气流磨将其进一步制成至3-5ym细粉， 在此范围的粉料颗粒均匀、粒度集中度较好。而粉末越细，越有助于磁体内禀矫顽力的提 升，如果粉末太粗，则无法融入晶界，但粉料越细，越容易氧化，导致效能降低，因此合金的 颗粒在3-5 范围时，其内禀矫顽力提升明显，氧含量的控制相对较容易，可以进一步发 挥钕铁硼磁体中各元素之间的协同功效。然后将粉末通过高纯氮气或氩气保护搅拌机混合 后在高磁场中成型压制，接着在1050-1060°C下进行烧结，二级回火，出炉后的磁体晶界的 富稀土相均匀分布、重稀土主要分布在晶界相中，而晶界相中重稀土含量的增加能大大提 高产品的内禀矫顽力，同时产品的Br降低较小，达到高性能低温度系数的要求。 作为优选，步骤Sl中所述熔炼在真空度为0. 2-1.OPa的真空速凝炉中进行，熔炼 温度为1450-1550°C。在该熔炼温度下，能使最终钕铁硼磁体获得比较好的性能及较高的产 率。 作为优选，步骤S2氢碎时脱氢温度为550-570°C，脱氢时间为3-5h。 作为优选，步骤S2气流磨在无氧的氮气保护下进行。 步骤S2中，利用金属间化合物的吸氢特性，将原料置于氢气环境下，氢气沿富钕 相薄层进入原料，使之膨胀爆裂而破碎，沿富钕相层处开裂，从而使原料变为粗粉。并在氧 含量小于200ppm的氮气保护下用高压气流将搅拌后的粗粉吹起，通过相互之间的碰撞使 力度变小，将粗粉制成粒度为3iim-5iim的粉料，增大粉料的接触面积，从而提高钕铁硼粉 料的综合利用率。氢碎与气流磨结合使用可将制粉效率提高2-3倍，达到150-200KG/H. 作为优选，步骤S3取向成型的磁场为1. 5-3. 5T。通过大量实验证明，在1. 5-3. 5T 磁场下进行成型能保证压坯有好的取向度，可进一步提高磁性能。 进一步优选，步骤S3等静压处理的压力为180MPa，保压20min。 作为优选，步骤S3所述生坯密度为3. 5-3. 9g/cm3,坯件密度为4. 1-4. 3g/cm3。一 般情况下，坯件密度越高性能越高。 作为优选，步骤S4中所述脱氢温度为550-560°C，脱氢时间为4-5h。 进一步优选，步骤S4中所述高温烧结的温度为1050°C。 作为优选，步骤S4中所述回火处理为在910-930°C下进行一级回火，一级回火时 间为2-3h，然后冷却至480-5KTC进行二级回火4-5h。 进一步优选，所述回火处理中一级回火温度为920°C，二级回火温度为490°C。 步骤S4中通过将等静压后的坯件先脱氢，在1050-1060°C的烧结，且烧结真空度 必须小于2r2帕，然后再进行上述二级回火，能获得比较好的性能及较高的产率的钕铁硼 磁体。若烧结温度过高和过低都会影响最终钕铁硼的性能，不能达到要求的性能。 与现有技术相比，本专利技术具有如下优点：本专利技术通过合理配比钕铁硼磁体的原料 成分，并通过成型、烧结、回火的简单易行的制备方法制得性能较好的钕铁硼磁体。 【具体实施方式】 以下是本专利技术的具体实施例，对本专利技术的技术方案作进一步的描述，但本专利技术并 不限于这些实施例。 实施例1 按钕铁硼磁体的配方（质量百分比）Pr7Nd23B1.Pbci.3C〇1.5A1Q.6Fe66.5称取原料，将称 取好的原料装入真空速凝炉，将真空甩带炉抽真空到〇. 5Pa时，开始加温熔炼，待炉内料发 红时，充入氩气，并升温至150(TC进行熔炼，直至原材料完全融化，精炼IOmin后浇注成甩 片，待甩片低于80°C时出炉； 将上述制得的甩片于氢碎炉中，往氢碎炉中通入氢气，待甩片完全吸氢后升温至 560°C脱氢4h，氢碎得平均粒径为20ym的粉料，然后将氢碎后的粉料在微氧的氮气保护下 放入气流磨中细磨成平均粒度为4iim的粉末，并在含量高于99. 99%的惰性气体的保护下 搅拌2h; 将所述搅拌均匀的粉末在微氧的氮气保护下放入成型压机模具中，加2. 5T的磁 场进行取向，取向后压制成型密度为3. 8g/cm3的生坯，生坯退磁并真空封装，将真空封装的 生坯放入等静压机在190MPa下保压20s进行等静压处理，形成密度为4. 3g/cm3的坯件； 将等静压后的坯件在氮气的保护下先剥油，再置于真空烧结炉中先在555°C下脱 氢4. 5h，再升温至1055°C进行高温烧结，高温烧结真空度为2E_2帕下烧结，然后在920°C下 进行一级回火，一级回火时间为2. 5h，冷却至490°C进行二级回火4. 5h回火，最后采用高纯 氮气风冷至常温出炉得到钕铁硼磁体。 实施例2 按钕铁硼磁体的配方（质本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种烧结钕铁硼磁体的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：S1、按钕铁硼磁体的配方(重量百分比)Pr6‑8Nd22‑24B1‑1.2Nb0.2‑0.5Co1‑2Al0.5‑0.8Fe63.5‑69.3称取原料并进行熔炼，将熔炼完全后的合金浇注成甩片；S2、将上述甩片置于氢碎炉中氢碎得平均粒径为10μm－20μm的粉料，然后使用气流磨制成平均粒度为3μm－5μm的粉末，将上述粉末在含量高于99.99％的惰性气体的保护下搅拌1h－3h；S3、将搅拌好的粉末在氮气的保护下放入成型压机模具中加磁场进行取向，取向后压制成型为生坯，将生坯放入等静压机在180‑200MPa下加压，保压16s‑22s形成坯件；S4、将等静压后的坯件在氮气的保护下先剥油，再置于真空烧结炉中先进行脱氢，再在1050‑1060℃下、真空度为2E‑2帕下高温烧结，然后回火，最后采用氮气风冷至常温出炉得到钕铁硼磁体。
【技术特征摘要】
1. 一种烧结钕铁硼磁体的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤： 51、 按钕铁硼磁体的配方（重量百分比称 取原料并进行熔炼，将熔炼完全后的合金浇注成甩片； 52、 将上述甩片置于氢碎炉中氢碎得平均粒径为10 y m - 20 y m的粉料，然后使用气流 磨制成平均粒度为3 y m - 5 y m的粉末，将上述粉末在含量高于99. 99 %的惰性气体的保护 下搅拌lh - 3h ; 53、 将搅拌好的粉末在氮气的保护下放入成型压机模具中加磁场进行取向，取向后压 制成型为生坯，将生坯放入等静压机在180-200MPa下加压，保压16s-22s形成坯件； 54、 将等静压后的坯件在氮气的保护下先剥油，再置于真空烧结炉中先进行脱氢，再在 1050-1060°C下、真空度为2『2帕下高温烧结，然后回火，最后采用氮气风冷至常温出炉得 到钕铁硼磁体。2. 根据权利要求1所述烧结钕铁硼磁体的方法，其特征在于，步骤S1中所述熔炼在真 空度为0. 2-1. OPa的真空速凝炉中进行，熔炼温度为1450-1550°C。3. 根据权利要求1所述烧结钕铁硼磁体的方法，其特征在于，步骤S...
【专利技术属性】
技术研发人员：王海涛，
申请(专利权)人：宁波尼兰德磁业有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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