【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】连续的整体芯片三维DEP细胞分选器及相关制造方法相关申请交叉引用本申请根据35U.S.C.§119(e)要求2012年3月27日提交的题为“CONTINUOUSWHOLE-CHIP3-DIMENSIONALDEPCELLSORTERANDITSFABRICATION”的美国临时专利申请第61/616,385号和2013年3月15日提交的题为“CONTINUOUSWHOLE-CHIP3-DIMENSIONALDEPCELLSORTERANDRELATEDFABRICATIONMETHOD”的美国临时专利申请第61/799,451号的权益,两者的全部内容以引用的方式纳入本文。政府许可权本专利技术在由自然科学基金授予的批准号为第0901154号的美国政府支持下进行。美国政府在该专利技术中享有一定权利。
技术介绍
微流控装置对不同流体夹带样品进行小规模的流体操控具有一个成本-效益机制。例如,一些微流控装置可用来对流体样品中所含有的细胞进行输送、分选和分析。多层软光刻(MSL)是迄今为止使用最广泛的用于制造微流控装置的方法。已有多种装置用来提供通用的微流控功能,包括液体输送、混合和计量,这些装置从简单的单层聚二甲基硅氧烷(PDMS)通道,到具有气动控制泵和阀的多层结构。已有以微流控多路复用器的形式实现了微流控大规模集成(MLSI),例如芯片实验室装置,从而对用于进行复杂的多步骤生化分析的数以千计的阀门和数百个腔室进行单独寻址。到目前为止,大部分的多层PDMS装置被证明是不是真正的三维微流控装置。虽然多层二维微流控网络可堆叠,但是由于难以高产率地制造用于不同层流体性连接的高 ...
【技术保护点】
一种三维介电电泳(DEP)分选装置,该装置包括:第一电极;第二电极;以及电绝缘层,所述电绝缘层夹在所述第一电极与所述第二电极之间,其中:所述电绝缘层包括分离通路,所述分离通路的壁部分地由所述第一电极和所述第二电极界定,所述电绝缘层包括收集通路,所述收集通路在横截面厚度上小于所述分离通路并位于所述第一电极与所述第二电极之间的电极间位置,所述分离通路形状做成产生电磁场,所述电磁场导致介电电泳作用将响应的细胞或颗粒抽至所述第一电极与所述第二电极之间的位置,该位置实质上与所述收集通路的电极间位置相对应,以及所述收集通路和所述分离通路构造成使得被抽至所述分离通路中的在所述第一电极与所述第二电极之间的电极间位置的细胞或颗粒随后流入所述收集通路。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.03.27 US 61/616,385;2013.03.15 US 61/799,4511.一种三维介电电泳分选装置,该装置包括:第一电极层;第二电极层;电绝缘层,所述电绝缘层介于所述第一电极层与所述第二电极层之间并具有第一子层和第二子层;位于所述第一子层中的第一通路;以及位于所述第二子层中的第二通路;其中:所述第一电极层、所述第二电极层以及所述电绝缘层形成基本平坦的组件,所述第一电极层在所述第一子层的与第二子层相反的侧上,所述第二电极层在所述第二子层的与第一子层相反的侧上,所述第一通路和所述第二通路遵循所述电绝缘层的介电电泳分离区域内的共同路径并在所述介电电泳分离区域内彼此直接流体连通,所述第一通路和所述第二通路每个具有不同的垂直于所述共同路径并垂直于标准基本平坦组件的横截面宽度,以及在后介电电泳分离区域中,所述第一通路从所述第二通路岔开,所述后介电电泳分离区域位于所述介电电泳分离区域的下游。2.根据权利要求1所述的三维介电电泳分选装置,进一步包括:所述电绝缘层的第三子层;以及位于所述第三子层中的第三通路;其中:所述第二子层介于所述第一子层与所述第三子层之间,所述第三子层介于所述第二子层与所述第二电极层之间,所述第三通路遵循在所述介电电泳分离区域内的所述共同路径并与所述介电电泳分离区域内的第二通路直接流体连通,所述第三通路具有垂直于所述共同路径并垂直于所述标准的基本平坦组件的横截面宽度,该横截面宽度不同于所述第二通路的横截面宽度,以及在所述后介电电泳分离区域中,所述第三通路从所述第二通路岔开。3.根据权利要求2所述的三维介电电泳分选装置,其特征在于:所述第二通路的横截面宽度小于所述第一通路和所述第三通路的横截面宽度。4.根据权利要求2所述的三维介电电泳分选装置,其特征在于:所述第二通路的横截面宽度大于所述第一通路和所述第三通路的横截面宽度。5.根据权利要求2至4任一项所述的三维介电电泳分选装置,其特征在于:所述第一通路、所述第二通路以及所述第三通路沿垂直于所述介电电泳分离区域内的所述共同路径并平行于所述基本平坦组件的方向上位于彼此的正中心。6.根据权利要求1所述的三维介电电泳分选装置,进一步包括:一个或多个附加的通路,每个位于附加的子层中,其中:所述一个或多个附加的通路包括第三通路,所述一个或多个附加的通路遵循所述电绝缘层的介电电泳分离区域内的共同路径并在所述介电电泳分离区域内彼此直接流体连通且与所述第一通路和所述第二通路流体连通,所述一个或多个附加的通路每个具有垂直于所述共同路径并垂直于所述标准基本平坦组件的横截面宽度,每个特定的附加通路的横截面宽度不同于与该特定的附加通路相邻的每个附加通路的横截面宽度,以及所述一个或多个附加通路中的至少一个在后介电电泳分离区域中从所述第二通路岔开。7.根据权利要求1至4和6任一项所述的三维介电电泳分选装置,其特征在于:所述第一电极层和所述第二电极层包括在所述介电电泳分离区域中的图案化电极。8.根据权利要求1至4和6任一项所述的三维介电电泳分选装置,其特征在于:所述第一电极层和所述第二电极层是基本平坦的板,所述基本平坦的板具有面向所述电绝缘层的导电表面。9.根据权利要求8所述的三维介电电泳分选装置,进一步包括:所述导电表面基本上延伸穿过所有的电绝缘层。10.根据权利要求8所述的三维介电电泳分选装置,进一步包括:所述导电表面在由所述介电电泳分离区域和所述第一通路的侧壁界定的区域中或者由所述介电电泳分离区域和所述第二通路的侧壁界定的区域中是均匀的。11.根据权利要求8所述的三维介电电泳分选装置,其特征在于:一个或两个所述导电表面涂覆有厚度小于2微米的非导电涂层。12.根据权利要求1至4和6任一项所述的三维介电电泳分选装置,其特征在于:所述电绝缘层是聚二甲基硅氧烷结构。13.根据权利要求1至4和6任一项所述的三维介电电泳分选装置,其特征在于:所述电绝缘层是通过将多层单独的聚二甲基硅氧烷层结合在一起而形成的聚二甲基硅氧烷结构。14.根据权利要求13所述的三维介电电泳分选装置,其特征在于:所述第一子层由一层或多层单独的聚二甲基硅氧烷层形成,以及所述第二子层由一层或多层单独的聚二甲基硅氧烷层形成。15.根据权利要求13所述的三维介电电泳分选装置,其特征在于:所述电绝缘层是包括不同材料组合的复合结构。16.根据权利要求15所述的三维介电电泳分选装置,其特征在于:所述电绝缘层是包括悬浮在聚二甲基硅氧烷中的非聚二甲基硅氧烷材料的复合结构。17.根据权利要求1至4和6任一项所述的三维介电电泳分选装置,其特征在于:所述第一子层的厚度为1微米至100微米,而所述第二子层的厚度为10微米至100微米。18.根据权利要求1至4和6任一项所述的三维介电电泳分选装置,其特征在于:所述第一子层的厚度为100微米至500微米,而所述第二子层的厚度为100微米至500微米。19.根据权利要求1至4和6任一项所述的三维介电电泳分选装置,其特征在于:所述第一通路的横截面宽度为至少1微米,而所述第二通路的横截面宽度为至少2微米。20.根据权利要求1至4和6任一项所述的三维介电电泳分选装置...
【专利技术属性】
技术研发人员:邱培钰,黄国威,范育睿,龚育谆,
申请(专利权)人:加利福尼亚大学董事会,
类型:发明
国别省市:美国;US
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