过孔制作方法、阵列基板制作方法及阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示技术领域，公开了一种过孔制作方法、阵列基板制作方法及阵列基板、显示装置，用以防止在制作过孔时形成倒角，以提高产品质量并改善显示装置的显示效果。所述过孔制作方法，包括：采用第一刻蚀工艺对电极上方需要形成过孔的区域的顶层膜层进行部分刻蚀，其中采用第一刻蚀工艺的竖直刻蚀量小于顶层膜层的厚度；采用竖直刻蚀速率大于横向刻蚀速率的第二刻蚀工艺对需要形成过孔区域中的剩余部分进行刻蚀至漏出所述电极。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及显示
，公开了一种过孔制作方法、阵列基板制作方法及阵列基板、显示装置，用以防止在制作过孔时形成倒角，以提高产品质量并改善显示装置的显示效果。所述过孔制作方法，包括：采用第一刻蚀工艺对电极上方需要形成过孔的区域的顶层膜层进行部分刻蚀，其中采用第一刻蚀工艺的竖直刻蚀量小于顶层膜层的厚度；采用竖直刻蚀速率大于横向刻蚀速率的第二刻蚀工艺对需要形成过孔区域中的剩余部分进行刻蚀至漏出所述电极。【专利说明】过孔制作方法、阵列基板制作方法及阵列基板、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种过孔制作方法、阵列基板制作方法及阵 列基板、显示装置。
技术介绍
参照图1和图2所示，目前显示装置的阵列基板的基本结构通常包括：由下至上依 次设置的衬底基板1、栅极2和栅线2'、栅绝缘层3、有源材料层5、源极6a、漏极6b及数据 线6'、保护层7、第一钝化层8、公共电极10'、第二钝化层11、像素电极。通常需要经过八 次构图工艺才能完成阵列基板的制作，其中包括刻蚀形成不同层设置的电极之间导电用过 孔。 然而，由于不同层的材质不同，刻蚀形成透过至少两层的过孔的过程中，极易导致 在同一刻蚀工艺下因横向刻蚀速率不同而造成过孔的倒角不良（如图2所示），从而造成 电学性能下降。尤其是像素电极和漏极（或者源极）导电搭接处的过孔需要穿透沟道保护 层、第一钝化层和第二钝化层，而沟道保护层的材质通常为氮化硅，第一钝化层的材质通常 为感光树脂等，第二钝化层的材质通常为低温氮化硅等，上述三种材料在同一刻蚀工艺下 的横向刻蚀速率明显不同而造成过孔的倒角不良，使得像素电极与漏极（或者源极）的接 触不良而带来显示屏的常亮点、暗点、隔行明暗交替等像素显示异常的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种过孔制作方法、阵列基板制作方法及阵列基板、显示装 置，用以防止在制作过孔时形成倒角，以提高产品质量并改善显示装置的显示效果。 本专利技术首先提供一种过孔制作方法，包括 采用第一刻蚀工艺对电极上方需要形成过孔的区域的顶层膜层进行部分刻蚀，其 中采用第一刻蚀工艺的坚直刻蚀量小于顶层膜层的厚度； 采用坚直刻蚀速率大于横向刻蚀速率的第二刻蚀工艺对需要形成过孔区域中的 剩余部分进行刻蚀至漏出所述电极。 采用本技术方案提供的包括两个步骤的过孔制作方法制作过孔，能够有效地防止 在过孔处形成倒角，从而使得电极之间的接触较为可靠，有效地改善了电学性能，提高了产 品质量；并且由于在过孔制作过程中，仅仅在采用第一刻蚀工艺时横向刻蚀速率较为明显， 而采用第二刻蚀工艺时横向刻蚀速率较小，坚直刻蚀占主导作用，因此，制作完成的过孔较 小，尤其当该实施例提供的过孔制作方法应用于阵列基板的制作时，能够节省更多的空间， 从而提高开口率，增大像素密度，大大地改善具有该阵列基板产品的显示效果。 优选的，所述采用第一刻蚀工艺的坚直刻蚀量小于顶层膜层的厚度具体为： 采用第一刻蚀工艺的坚直刻蚀量为顶层膜层的厚度的百分之七十。 优选的，所述采用坚直刻蚀速率大于横向刻蚀速率的第二刻蚀工艺对需要形成过 孔区域中的剩余部分进行刻蚀至漏出所述电极具体包括： 采用坚直刻蚀速率与横向刻蚀速率的比值不小于3的第二刻蚀工艺对需要形成 过孔区域中的剩余部分进行刻蚀至漏出所述电极。 本专利技术还提供一种阵列基板的制作方法，包括： 由下至上依次在衬底基板上形成包括栅线和栅极的图形的金属层、栅极绝缘层和 有源层； 形成包括源极和漏极图形的金属层； 形成覆盖基板的保护层和包括位于漏极上方漏出保护层的第一过孔的第一钝化 层； 形成包括第一电极的图形的金属层； 形成第二钝化层；所述阵列基板的制作方法还包括以下步骤： 采用前述任一技术方案所述的过孔制作方法在第二钝化层上制作位于所述漏极 上方的第二过孔； 形成包括第二电极的图形的金属层，实现相应电极图形之间的电连接。 由于阵列基板的制作方法采用上述任一种过孔的制作方法，因此本技术方案提供 的阵列基板的制作方法也具有上述有益效果。 本专利技术还提供一种采用上述阵列基板的制作方法制作的阵列基板，该阵列基板的 电学性能较好，产品质量较高，具有较高的像素密度，且应用于显示装置时使得显示装置具 有较高的开口率，大大地改善了显示效果。 本专利技术还提供一种显示装置，包括上述任一种阵列基板。该显示装置的开口率较 商，进而提商背光源的利用率，提商广品的显不壳度，降低功耗，尤其对于商分辨率的显不 装置，上述有益效果尤为明显；并且由于阵列基板的电学性能较好，因此能够有效地改善显 示装置的显示效果。 【专利附图】【附图说明】 图1为现有的一种阵列基板在制作完成第二钝化层及其过孔后的俯视结构示意 图； 图2为图1示出的阵列基板中A-A处的截面结构示意图； 图3为本专利技术提供的过孔制作方法一实施例的流程示意图； 图4为本专利技术提供的阵列基板的制作方法一实施例的流程示意图； 图5?图17为本专利技术提供的阵列基板在各个制作步骤完成后的结构示意图。 附图标记： 1-衬底基板 2-栅极 2'-栅线 3-栅绝缘层 4-欧姆材料层5-有源材料层 6a_源极 6b_漏极 6c_金属引线 6'-数据线 7-保护层 8-第一钝化层 9-第一过孔 10-第一电极 11-第二钝化层 12-第二过孔 13-第四过孔 14-光刻胶 15-第二电极 1〇'_公共电极 【具体实施方式】 为了防止在制作过孔时形成倒角，以提高产品质量并改善显示装置的显示效果， 本专利技术实施例提供了一种过孔制作方法、阵列基板制作方法及阵列基板、显示装置。该技 术方案中，采用包括第一刻蚀工艺对电极上方需要形成过孔的区域的顶层膜层进行部分刻 蚀，其中采用第一刻蚀工艺的坚直刻蚀量小于顶层膜层的厚度；和采用坚直刻蚀速率大于 横向刻蚀速率的第二刻蚀工艺对需要形成过孔区域中的剩余部分进行刻蚀至漏出所述电 极的两个步骤刻蚀形成过孔，能够有效地防止在制作过孔时形成倒角，以提高产品质量并 改善显示装置的显示效果。为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，以下举具体实施 例对本专利技术作进一步详细说明。 如图3所示，并参照图13?15所示，本专利技术第一实施例提供一种过孔制作方法， 包括： 步骤301 :采用第一刻蚀工艺对电极上方需要形成过孔的区域的顶层膜层进行部 分刻蚀，其中采用第一刻蚀工艺的坚直刻蚀量小于顶层膜层的厚度； 步骤301中采用第一刻蚀工艺的坚直刻蚀量不限，具体根据第一刻蚀工艺、刻蚀 均一性（采用同一刻蚀工艺一次刻蚀多个过孔时刻蚀量相同）的要求确定，例如采用所述 第一刻蚀工艺的坚直刻蚀量为顶层膜层的厚度的百分之七十。 第一刻蚀工艺的具体刻蚀条件不限，例如可以采用以化学性刻蚀为主的物理化学 干法刻蚀或者化学干法刻蚀均可。 步骤302 :采用坚直刻蚀速率大于横向刻蚀速率的第二刻蚀工艺对需要形成过孔 区域中的剩余部分进行刻蚀至漏出所述电极。 参照图13所示，在本实施例提供的过孔制作方法中，步骤301之前通常还包括制 作覆盖第二钝化层的掩膜板，例如涂覆光刻胶，涂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过孔制作方法，其特征在于，包括：采用第一刻蚀工艺对电极上方需要形成过孔的区域的顶层膜层进行部分刻蚀，其中采用第一刻蚀工艺的竖直刻蚀量小于顶层膜层的厚度；采用竖直刻蚀速率大于横向刻蚀速率的第二刻蚀工艺对需要形成过孔区域中的剩余部分进行刻蚀至漏出所述电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：阎长江，卢凯，郭建，谢振宇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11