【技术实现步骤摘要】
—种调节多磁极运动控制的方法
本专利技术涉及一种通过电机控制磁极垂直运动从而调节局部磁场强度的
,特别是应用在离子注入机中改变束流通过调节区域后的偏转角度。
技术介绍
随着现代CMOS技术的不断推进,离子注入的工艺种类呈不断增加趋势,且随着特质线宽的缩小,工艺复杂程度的提高,传统的中束流注入机已不能满足这种工艺要求,因此离子注入工艺所面临的挑战体现在注入能量向超低端发展,而注入剂量则向高浓度发展,要解决这一制造工艺,必须开发新的离子注入机设备一低能大束流离子注入机来解决浅结注入工艺。与传统的注入机不同,低能大束流离子注入对设备在束平行性、束能量纯度、离子束减速技术、注入晶圆电荷消除技术、离子束扩束技术、注入深度控制、注入重复性、均匀性与生产率等方面都提出了更高的要求。为了有效改善宽带束的均匀性及平行度,可通过多磁极的调节实现,调节每个磁极的垂直位置,改变对称磁极之间的极距从而调节局部磁场的强度,进而改变穿过该区域的离子束的偏转角度,以调节宽带束的平行度。
技术实现思路
本专利技术公开了离子注入机系统中一种用于控制多磁极运动的方法,针对上下12组磁极,提出了一种控制精度高、结构简单的系统。 本专利技术专利通过以下技术方案来实现: —种调节多磁极运动的控制方法,包括工控机(I)、光纤(2)、信号输入输出板 (3)、电机驱动板⑷、开关电源(5)、以及多磁极(6)。 所述的工控机⑴与信号输入输出板⑶通过光纤⑵相连;所述电机驱动板(4)与信号输入输出板⑶和开关电源(5)相连;所述电机驱动板⑷与多磁极(6)相连。 本 ...
【技术保护点】
一种调节多磁极运动的控制方法,其特征在于:工控机(1)、光纤(2)、信号输入输出板(3)、电机驱动板(4)、开关电源(5)、以及多磁极(6)。
【技术特征摘要】
1.一种调节多磁极运动的控制方法,其特征在于:工控机(I)、光纤(2)、信号输入输出板(3)、电机驱动板(4)、开关电源(5)、以及多磁极(6)。2.如权利要求1所述的一种调节多磁极运动的控制方法,其特征在于:仅用4个模拟量信号输入输出板⑵就...
【专利技术属性】
技术研发人员:高婷婷,
申请(专利权)人:北京中科信电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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