掩模板、阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种掩模板、阵列基板及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的掩模板在制备薄膜晶体管源、漏极时导致有源层的导电沟道区断裂的问题。本发明专利技术的掩模板，用于形成薄膜晶体管的源、漏极，所述掩模板包括与基底上薄膜晶体管的有源层的导电沟道区位置对应的第一透光区和与所述薄膜晶体管的源、漏极位置对应的第一非透光区；其中，在所述掩模板的第一透光区所在位置处设置有半透明膜层带，用于削减曝光时所述第一透光区的光强。本发明专利技术可用于制备阵列基板。

【技术实现步骤摘要】
掩模板、阵列基板及其制备方法、显示装置
本专利技术属于显示
，具体涉及一种掩模板、阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
目前,液晶显示器(LiquidCrystal Display:简称LCD)以其优异的性能与成熟的技术成为市场上的主流产品。伴随着显示技术的发展，高透过率、大尺寸低功耗、低成本已成为未来显示器领域的发展方向。 在液晶面板的生产过程中，单狭缝曝光(SSM)工艺是中比较先进的技术，其较传统的灰阶掩模板(GTM)或半透明掩模板(HTM)技术，曝光形成的薄膜晶体管有源层的导电沟道的尺寸较小，从而减小薄膜晶体管的尺寸，进而提升显示面板的开口率，以及提升1n。 结合图1至4所示，专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题:如图3所示，通过单狭缝曝光工艺形成具有尺寸较小的有源层导电沟道2的有源层后，在基底上形成源漏金属薄膜1，并在源漏金属薄膜上涂覆光刻胶层3 (负性光刻胶)，然后采用与源、漏极相对应的掩模板(如图1和2所示)对光刻胶层3进行曝光，由于在曝光时照射到掩模板上与源极、漏极位置对应的光不能透过(也就是掩模板上的第一非透光区10)，而该掩模板与有源层的导电沟道区位置对应处存在狭缝(也就是第一透光区20)，因而照射到源极位置11、漏极位置12的光将发生衍射，从第一透光区20)处透过照射到导电沟道区位置的光刻胶上，导致导电沟道区位置的光线较强(如图3中所示的光强度曲线4)，使得该区域的光刻胶的厚度较薄，进而导致在刻蚀的形成源极111、漏极112的同时有源层导电沟道也将被刻蚀，造成有源层导电沟道2(图4中填充的点较稀疏的位置，即导电沟道中间会被过早刻蚀的位置)的断裂。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题包括，针对现有的掩模板存在的上述问题，提供一种可以避免在构图形成源、漏极的同时将有源层的导电沟道区破坏的掩模板、阵列基板及其制备方法、显示装置。 解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种掩模板，用于形成薄膜晶体管的源、漏极，所述掩模板包括与基底上薄膜晶体管的有源层的导电沟道区位置对应的第一透光区和与所述薄膜晶体管的源、漏极位置对应的第一非透光区；其中， 在所述掩模板的第一透光区所在位置处设置有半透明膜层带，用于削减曝光时所述第一透光区的光强。 本专利技术的掩模板的第一非透光区位置光不能透过，但由于第一非透光区与第一透光区相邻，故光线照射到第一非透光区后发生衍射将从第一透光区透过，而在本实施例中的掩模板的第一透光区中设置有半透明膜层带，故可以削弱照射在该区域的光线的强度，从而可以避免现有技术中由于光线较强导致有源层的导电沟道区的光刻胶层厚度被削薄，进而导致在刻蚀过程中导电沟道区过早刻蚀，而导致导电沟道区断裂的现象。 优选的是，所述半透膜层带的宽度占所述第一透光区的宽度的范围为1%?99%。 优选的是，所述半透膜层带为氧化铬薄膜或钥硅薄膜。 优选的是，所述掩模板还包括与数据线位置对应的第二非透光区。 解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板的制备方法，其包括在形成有薄膜晶体管的有源层的基底上形成源、漏极的步骤，其中，所述源、漏极是通过上述的任意一种掩模板曝光形成的。 由于本专利技术的阵列基板的制备方法中采用上述掩模板，故其制备的阵列基板的性能较好。 优选的是，形成所述薄膜晶体管源、漏极的同时还形成包括数据线的图形。 解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，该阵列基板是通过上述制备方法制备的。 由于本专利技术的阵列基板是采用上述方法制备的，故其性能较好。 解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括上述阵列基板。 由于本专利技术的显示装置包括上述阵列基板，故显示装置的成本有所降低，且性能较好。 【附图说明】 图1为现有的用于制备薄膜晶体管源、漏极的掩模板的示意图； 图2为图1的A-A的剖面图； 图3为现有的形成源、漏极时涂敷在源漏金属薄膜上的光刻胶的示意图； 图4为现有的形成源、漏极的示意图； 图5为本专利技术的实施例1的用于制备薄膜晶体管源、漏极的掩模板的示意图； 图6为图3的B-B的剖面图； 图7为本专利技术的实施例1、2的形成源、漏极时涂敷在源漏金属薄膜上的光刻胶的示意图； 图8为本专利技术的实施例1、3的形成源、漏极的示意图。 其中附图标记为:1、源漏金属薄膜；111、源极；112、漏极；2、有源层导电沟道；3、光刻胶层；4、光强度曲线；10、第一非透光区；11、代表掩模板上与源极对应的位置；12、代表掩模板上与漏极对应的位置；20、第一透光区；21、半透明膜层带。 【具体实施方式】 为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本专利技术作进一步详细描述。 实施例1: 如图5和图6所示，本实施例提供一种掩模板，其用于形成薄膜晶体管的源极111、漏极112，该掩模板包括与基底上薄膜晶体管的有源层的导电沟道位置对应的第一透光区20和与薄膜晶体管的源极111、漏极112位置对应的第一非透光区10 ;其中，在所述掩模板的第一透光区20所在位置处设置有半透明膜层带21，用于削减曝光时所述第一透光区的光强。 需要说明的是，薄膜晶体管的有源层包括源极接触区、漏极接触区，以及位于源、漏接触区之间的有源层导电沟道2 ;其中，薄膜晶体管的源极通过源极接触区与有源层连接，漏极通过漏极接触区与有源层连接。相应的，用于形成源、漏极的掩模板包括与源极111、漏极位置112对应的第一非透光区10 (包括掩模板上与源极对应的位置11和掩模板上与源极对应的位置12)、与有源层的有源层导电沟道2位置对应的第一透光区20，在本实施例的掩模板中除了第一透光区20以外的能够透光的位置为第二透光区。 具体的，如图7所示在形成有薄膜晶体管有源层的基底上形成源漏金属薄膜1，并涂覆光刻胶层3 (该光刻胶层的材料为负性光刻胶)，通过本实施例的掩模板对该光刻胶层3进行曝光，该掩模板的第一非透光区10位置光不能透过，但由于第一非透光区10与第一透光区20相邻，故光线照射到第一非透光区10后发生衍射将从第一透光区20透过，而在本实施例中的掩模板的第一透光区20中设置有半透明膜层带21，故可以削弱照射在该区域的光线的强度(光强曲线4如图7所示)，从而可以避免现有技术中由于光线较强导致有源层导电沟道2的光刻胶层厚度被削薄，进而导致在刻蚀过程中有源层导电沟道2过早刻蚀，而有源层导电沟道2断裂的现象。 在本实施例中，优选地，半透明膜层带21的宽度占所述第一透光区的宽度的范围为1%?99%，在这个范围内可以根据实际情况具体设定；该半透明膜层带21优选为氧化铬薄膜或钥硅薄膜，当然也可是其他材料所制成的半透明的薄膜。 在本实施例中掩模板还包括与数据线位置对应的第二非透光区(图中未示)。故采用的本实施例的掩模板在形成薄膜晶体管源极111、漏极112的同时还可以形成数据线，从而可以节约阵列基板的生产成本，以及提高生产效率。 实施例2: 如图7、8所示，本实施例提供一种阵列基板的制备方法，其包括在形成有薄膜晶体管的有源层的基底上形成源极111、漏极112的步骤，其中，所述形成源极111、漏极112是通过实施例1中任意一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩模板，用于形成薄膜晶体管的源、漏极，其特征在于，所述掩模板包括与基底上薄膜晶体管的有源层的导电沟道区位置对应的第一透光区和与所述薄膜晶体管的源、漏极位置对应的第一非透光区；其中，在所述掩模板的第一透光区所在位置处设置有半透明膜层带，用于削减曝光时所述第一透光区的光强。

【技术特征摘要】
1.一种掩模板，用于形成薄膜晶体管的源、漏极，其特征在于，所述掩模板包括与基底上薄膜晶体管的有源层的导电沟道区位置对应的第一透光区和与所述薄膜晶体管的源、漏极位置对应的第一非透光区；其中， 在所述掩模板的第一透光区所在位置处设置有半透明膜层带，用于削减曝光时所述第一透光区的光强。2.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述半透膜层带的宽度占所述第一透光区的宽度的范围为1%?99%。3.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述半透膜层带为氧化铬薄膜或钥硅薄膜。4.根据权利要求1所述的掩模...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴洪江，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11