带粘接性树脂层的片和半导体装置的制造方法制造方法及图纸

提供一种在保持了芯片状部件的整齐性（整列性）的情况下能够转印芯片状部件的带粘接性树脂层的片。另外，提供一种使用了该片的半导体装置的制造方法。本发明专利技术的带粘接性树脂层的片包含基材和层叠在该基材上的粘接性树脂层，以70℃加热1分钟后的基材的MD方向和CD方向的收缩率为-0.5~0.5%，基材的硬挺度为80mm以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】带粘接性树脂层的片和半导体装置的制造方法
本专利技术涉及在拾取芯片状部件（半导体芯片）的工序、或者拾取芯片状部件且将芯片状部件小片接合（diebonding）至有机基板、引线框及其它芯片状部件等的工序中使用时特别适合的带粘接性树脂层的片。另外，本专利技术涉及使用了该片的半导体装置的制造方法。
技术介绍
信息终端设备的薄型化、小型化、多功能化正在快速发展，对搭载于它们的半导体装置也同样地要求薄型化、高密度化。尤其是，对于存储芯片而言，通过将硅晶圆减薄加工至极限并进行多层层叠化，从而进行了高容量化。对应于这种半导体装置的趋势，在半导体加工工艺中，晶圆的极薄加工方法成为重点，考量·评价了各种薄型化加工方法。作为这种薄型化加工方法，公开了从晶圆表面侧形成规定深度的槽后，从其背面侧进行研削来制造半导体芯片的方法。这样的工艺也被称为“超薄芯片封装解决法（先ダイシング法）”。对于超薄芯片封装解决法而言，晶圆表面贴附有保护片，在晶圆的背面研削过程中，晶圆进行芯片化。因此，为了防止研削时的洗涤水浸入至芯片间，需要的是，所使用的保护片的在晶圆表面上的贴附性优异。像这样，为了贴附于晶圆的电路面而提高保护片的粘合性时，存在剥离后的电路面的粘合剂残渣变多的倾向，因此在超薄芯片封装解决法中，尤其是需要抑制粘合剂残渣的产生。专利文献1中公开了：为了抑制超薄芯片封装解决法中产生粘合剂残渣，使用具有特定的能量射线固化型粘合剂层的粘合片。另外，作为抑制超薄芯片封装解决法中产生粘合剂残渣的其它方法，还存在通过加热工序使保护片的粘合性降低来剥离保护片的方法。在剥离保护片时，将由用于转粘芯片的芯片粘接用粘接剂层与基材构成的粘接片、由用于进行拾取的粘合剂层与基材构成的粘合片贴附于与贴附有保护片的面相反的面上。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2009-138183号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而，在用于剥离保护片的加热工序中，粘接片或粘合片与保护片一起被加热，有时粘接片或粘合片中的基材会收缩。伴随着基材的收缩，该片的粘接剂层、粘合剂层也会变形，难以保持芯片的整齐性。其结果，有时芯片彼此接触而导致芯片损伤、芯片的拾取性降低。进而，在剥离保护片时要贴附的是粘接片的情况下，有时采取使芯片粘接用粘接剂通过加热而软化从而贴附于芯片的方法，因此有时会产生与加热上述保护片的情况相同的问题。本专利技术是鉴于上述那样的状况而进行的，其目的在于，提供在保持了芯片状部件的整齐性的情况下能够转印芯片状部件的带粘接性树脂层的片。另外，其目的在于，提供使用了该片的半导体装置的制造方法。用于解决问题的手段本专利技术的主旨如下所示。〔1〕带粘接性树脂层的片，其包含基材和层叠在该基材上的粘接性树脂层，以70℃加热1分钟后的基材的MD方向和CD方向的收缩率为-0.5~0.5%，基材的硬挺度为80mm以上。〔2〕根据〔1〕所述的带粘接性树脂层的片，其中，基材的杨氏模量与基材的厚度之积为1.0×105N/m以下。〔3〕根据〔1〕或〔2〕所述的带粘接性树脂层的片，其中，基材是包含低密度聚乙烯膜与聚丙烯膜的层叠体。〔4〕根据〔1〕~〔3〕中任一项所述的带粘接性树脂层的片，其中，基材是将低密度聚乙烯膜、聚丙烯膜以及低密度聚乙烯膜依次层叠而成的层叠体。〔5〕根据〔1〕~〔4〕中任一项所述的带粘接性树脂层的片，其中，粘接性树脂层为树脂膜形成层。〔6〕根据〔5〕所述的带粘接性树脂层的片，其中，树脂膜形成层包含粘结剂聚合物成分（A）和固化性成分（B）。〔7〕根据〔5〕或〔6〕所述的带粘接性树脂层的片，其中，树脂膜形成层具有热粘接性。〔8〕根据〔5〕~〔7〕中任一项所述的带粘接性树脂层的片，其中，树脂膜形成层借助再剥离性粘合剂层而层叠在基材上。〔9〕根据〔1〕~〔4〕中任一项所述的带粘接性树脂层的片，其中，粘接性树脂层为压敏胶粘剂层。〔10〕半导体装置的制造方法，其包括如下工序：在上述〔1〕~〔9〕中任一项所述的带粘接性树脂层的片的粘接性树脂层上贴附芯片状部件的工序；以及拾取该芯片状部件的工序。〔11〕半导体装置的制造方法，其包括如下工序：在上述〔5〕~〔8〕中任一项所述的带粘接性树脂层的片的粘接性树脂层上贴附芯片状部件的工序；使该粘接性树脂层粘固残留于该芯片状部件的背面而从基材上剥离的工序；以及将该芯片状部件借助该粘接性树脂层载置在裸片焊盘（ダイパッド）部上或其它芯片状部件上的工序。专利技术的效果根据本专利技术的带粘接性树脂层的片，在保持了芯片状部件的整齐性的情况下能够转印芯片状部件。另外，本专利技术的带粘接性树脂层的片具有优异的扩展性。其结果，芯片状部件的拾取性优异。另外，通过扩展而能够将粘接性树脂层容易地分割至芯片状部件大小，因此能够简便地获得背面具有粘接性树脂层的芯片状部件、能够使半导体装置的制造工序简化。具体实施方式以下，针对本专利技术，包括其最佳实施方式在内进一步具体地说明。本专利技术所述的带粘接性树脂层的片具有基材和层叠在该基材上的粘接性树脂层。（基材）本专利技术的基材中，以70℃加热1分钟后的基材的MD方向（流线方向）和CD方向（宽度方向）的收缩率为-0.5~0.5%、优选为-0.4~0.4%、更优选为-0.3~0.3%。以70℃加热1分钟后的基材的收缩率是利用热机械分析装置测得的特性值，具体而言，通过后述实施例中记载的步骤来测定。本专利技术的带粘接性树脂层的片的粘接性树脂层贴附有芯片状部件（例如，进行了芯片化的半导体晶圆等），其后被拾取。将粘接性树脂层贴附于芯片状部件时，有时使粘接性树脂层通过加热而软化，从而来实现对芯片状部件的贴附性的提高。具体而言，伴随着加热的贴附工序通常以40~90℃来进行。另外，芯片状部件在贴附于切割胶带、表面保护片等芯片状部件工序用支撑体的状态下进行单片化，因此将粘接性树脂层贴附于芯片状部件时，还借助芯片状部件在粘接性树脂层上贴附芯片状部件工序用支撑体。芯片状部件工序用支撑体需要在进行后述工序（例如拾取工序）的基础上进行剥离，因此，有时一边加热（40~90℃）芯片状部件工序用支撑体，一边降低芯片状部件工序用支撑体与芯片状部件的粘合力。在该工序中，加热的对象是芯片状部件工序用支撑体，但热还会借助芯片状部件而传递至带粘接性树脂层的片。基材的收缩率不足-0.5%时、或超过0.5%时，随着由加热而导致的基材变形，粘接性树脂层也会变形，贴附于粘接性树脂层的芯片状部件的整齐性会降低。因此，有时会产生由芯片状部件的拾取工序中的位置识别错误而引起的拾取不良、或者芯片状部件彼此的接触危险、或者在其它后述工序中产生不良情况。通过将基材的收缩率控制在上述范围，即使在粘接性树脂层上贴附芯片状部件时、将芯片状部件工序用支撑体与芯片状部件进行剥离时经由加热工序，基材的收缩也受到抑制、能够保持芯片状部件的整齐性。其结果，能够防止由后述拾取工序中的芯片位置偏离而引起的拾取不良等。另外，基材的硬挺度为80mm以上、优选为90mm以上、更优选为95~120mm。基材的硬挺度不足80mm时，芯片状部件的拾取性会降低。通过使基材的硬挺度为上述范围，芯片状部件的拾取性优异。另外，基材的杨氏模量与基材的厚度之积优选为1.0×105N/m以下、更优选为5.0×104N/m以下、进一步优选为6.0×103~4.0×本文档来自技高网...

【技术保护点】
带粘接性树脂层的片，其包含基材和层叠在该基材上的粘接性树脂层，以70℃加热1分钟后的基材的MD方向和CD方向的收缩率为‑0.5~0.5%，基材的硬挺度为80mm以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.05.14 JP 2012-1106441.带粘接性树脂层的片，其包含基材和层叠在该基材上的粘接性树脂层，以70℃加热1分钟后的基材的MD方向和CD方向的收缩率为-0.5~0.5%，基材的硬挺度为80mm以上，基材的杨氏模量与基材的厚度之积为1.0×105N/m以下，基材是将低密度聚乙烯膜、聚丙烯膜以及低密度聚乙烯膜依次层叠而成的层叠体。2.权利要求1所述的带粘接性树脂层的片，其中，粘接性树脂层为树脂膜形成层。3.权利要求1或2所述的带粘接性树脂层的片，其中，基材是包含低密度聚乙烯膜与聚丙烯膜的层叠体。4.权利要求2所述的带粘接性树脂层的片，其中，基材是将低密度聚乙烯膜、聚丙烯膜以及低密度聚乙烯膜依次层叠而成的层...

【专利技术属性】
技术研发人员：堀米克彦，佐藤明德，根津裕介，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP