平面带隙材料制造技术

本发明专利技术涉及具有带隙性能的平面材料。通过在非导电衬底上沉积导电分形体图案（图１Ａ，１Ｂ）形成该材料。带隙位置由包括如下的参数确定：分形体等级的数目、和分形体母元件的尺寸（说明书，第６页）。也可以通过向导电图案中注入电流控制带隙。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
平面带隙材料
本专利技术涉及具有带隙性能的新颖平面材料，且特别地涉及采用分形体图案形成的此类材料。
技术介绍
带隙材料是在传输带中含有间隙的材料，电磁辐射不能通过该间隙传输。这样的材料通常构造为三维晶体结构，已知该三维晶体结构设计为得到所需光子带隙的光子晶体。该光子带隙材料具有广泛的潜在用途。然而，通常光子带隙材料必须制造为具有介电性能调制的复合材料。由于带隙由晶体中的布拉格散射引起，此调制必须与带隙波长具有相同的等级。例如，对于光学光子晶体，必须有约0.1微米等级的微结构，这使得它们制造特别困难和昂贵。另一方面，设计以在无线电或微波光谱中工作的光子晶体的尺寸为几厘米或更大，这通常使它们对于实际应用太大和笨重。例如，对于移动电话，带隙中心在0.9GHz附近的光子晶体会产生完美的屏蔽(例如为将用户与任何潜在有害的辐射分离)，可惜光子晶体将不得不比电话自身大。由于这些原因，光子材料仍然必须在广泛基础上使用。现有技术在数学上已知分形体图案许多年。它们证明在数学的复杂和无序状态的分析中是有用的工具。然而，它们也在物理科学中发现广泛的实际应用。然而，许多近来的专利尝试在本领域中发现分形体图案本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平面带隙材料，包括在非导电平面衬底上形成的导电分形体图案。

【技术特征摘要】
US 2001-10-26 09/983,8521.一种平面带隙材料，包括在非导电平面衬底上形成的导电分形体图案。2.如权利要求1所述的带隙材料，其中采用2-15等级形成分形体图案。3.如权利要求1所述的带隙材料，其中通过将母元件进行重复仿射变换形成分形体图案。4.如权利要求3所述的带隙材料，其中所述母元件是H形且所述变换包括缩放和旋转。5.如权利要求1所述的带隙材料，其中将分形体图案嵌入介电材料中。6.如权利要求1所述的带隙材料，进一步包括将电流注入分形体图案中以改变所述材料带隙性能的机构。7.如权利要求1所述的带隙材料，其中该材料具有的带隙的低频限制由所述分形体图案...

【专利技术属性】
技术研发人员：温维佳，沈平，陈子亭，葛惟昆，周磊，李赞臣，
申请(专利权)人：香港科技大学，
类型：发明
国别省市：HK[中国|香港]