ITO导电玻璃制造技术

技术编号:10883438 阅读:182 留言:0更新日期:2015-01-08 12:56
本实用新型专利技术公开了一种中大尺寸电容式触摸屏用无色低阻消影ITO导电玻璃,包括依次层叠的玻璃、第一高折射率层、第一低折射率层、第二高折射率层、第二低折射率层以及ITO层;第一高折射率层和第二高折射率层的材料均为TiO2、ZrO2或Si3N4;第一低折射率层和第二低折射率层的材料均为SiO2或MgF2。通过以折射率高低结合的膜层结构替代传统的消影层,这种ITO导电玻璃在面电阻较低时(10~30欧姆)实现消影;此ITO导电玻璃还解决了传统消影玻璃采用Nb2O5作为高折射率材料时在后续加工工序中Nb2O5同碱液反应的问题;同时此结构消影玻璃的ITO颜色非常浅,消影效果好,能够满足大尺寸的电容式触摸屏的应用需求。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种中大尺寸电容式触摸屏用无色低阻消影ITO导电玻璃,包括依次层叠的玻璃、第一高折射率层、第一低折射率层、第二高折射率层、第二低折射率层以及ITO层;第一高折射率层和第二高折射率层的材料均为TiO2、ZrO2或Si3N4;第一低折射率层和第二低折射率层的材料均为SiO2或MgF2。通过以折射率高低结合的膜层结构替代传统的消影层,这种ITO导电玻璃在面电阻较低时(10~30欧姆)实现消影;此ITO导电玻璃还解决了传统消影玻璃采用Nb2O5作为高折射率材料时在后续加工工序中Nb2O5同碱液反应的问题;同时此结构消影玻璃的ITO颜色非常浅,消影效果好,能够满足大尺寸的电容式触摸屏的应用需求。【专利说明】ITO导电玻璃
本技术涉及一种用于中大尺寸电容式触摸屏的无色低阻消影的IT0导电玻 3?〇
技术介绍
IT0导电玻璃是在钠钙基片或硅硼基基片玻璃的基础上,利用磁控溅射的方法依 次沉积二氧化硅(Si02)和氧化铟锡(通称IT0)薄膜加工制作成的。 IT0是一种具有良好透明导电性能的金属化合物,具有禁带宽、可见光谱区光透射 率高和电阻率低等特性,IT0导电玻璃广泛地应用于平板显示器件、太阳能电池、特殊功能 窗口涂层及其他光电器件领域,是目前LCD、TOP、0LED、触摸屏等各类平板显示器件广泛采 用的透明导电电极材料。作为平板显示器件的关键基础材料,IT0导电玻璃其随着平板显 示器件的不断更新和升级而具有更加广阔的市场空间。 传统的应用于电容式触摸屏的消影玻璃一般通过在玻璃和IT0之间溅镀高折射 率、低折射率两层结构的消影膜层,使得IT0线条与刻蚀区之间的色差和透过率之差减小, 达到消影的目的。这种消影玻璃电阻比较高,较适用于中小尺寸电容式触摸屏。对于中大尺 寸电容屏,因触控精度要求,需要电阻更低、膜层更厚的IT0膜层。此时,高折射率、低折射 率匹配做为消影层结构时,要实现较为理想的消影效果,因IT0膜层太厚,IT0颜色会比较 重,从而IT0线和蚀刻区域无法达到颜色上的尽可能相同,即虽能实现透过率上相差较近, 但颜色差异的存在影响消影效果,导致消影效果仍然较差。因此,大尺寸的电容式触摸屏往 往需要较低面电阻的颜色尽可能无色的低阻消影IT0导电玻璃。 同时,常规消影IT0产品所需高折射率材料多采用Nb205,IT0后续加工工序中会 有碱液脱膜、加碱超声清洗等工序,而Nb205会同碱液反应而溶解,IT0的附着力、致密性将 受到影响,严重的会出现IT0膜层脱落,影响产品的触控功能。而若采用Ti02、Zr02或Si3N4 等材料做为高折射率材料,则无论碱液脱膜、还是加碱超声,消影层都不会同碱液反应,IT0 膜层的附着力、致密性更有保证,从而用此类材料生产的IT0玻璃制备的电容屏产品的触 控功更有保证。
技术实现思路
基于此,有必要提供一种在面电阻较低时颜色尽可能无色且能够实现消影目的的 IT0导电玻璃。 -种IT0导电玻璃,包括依次层叠的玻璃、第一高折射率层、第一低折射率层、第 二高折射率层、第二低折射率层以及IT0层; 所述第一高折射率层的材料为Ti02、Zr02或Si3N4 ; 所述第一低折射率层的材料为Si02或MgF2 ; 所述第二高折射率层的材料为Ti02、Zr02或Si3N4 ; 所述第二低折射率层的材料为Si02或MgF2 ; 所述第一高折射率层的厚度为0A?400A; 所述第一低折射率层的厚度为〇A?600A; 所述第二高折射率层的厚度为〇A?300入; 所述第二低折射率层的厚度为〇A?500A。 在一个实施例中,所述第一高折射率层的厚度为20A?200A。 在一个实施例中,所述第一低折射率层的厚度为20A?400A。 在一个实施例中,所述第二高折射率层的厚度为5〇A?200A。 在一个实施例中,所述第二低折射率层的厚度为〇A?300A。 在一个实施例中,所述ito层的厚度为600A?1500A。 在一个实施例中,所述IT0导电玻璃的面电阻为10欧姆?14欧姆、14欧姆?20 欧姆、17?25欧或20欧姆?30欧姆。 这种IT0导电玻璃,通过以第一高折射率层、第一低折射率层、第二高折射率层和 第二低折射率层替代传统的过渡膜层,折射率高低结合的膜层结构增加了IT0层的透过 率,可以在面电阻较低时(10欧姆?30欧姆)满足IT0和第二低折射率在450nm、550nm处 透过率满足消影要求,并且IT0和消影层的颜色都非常淡,消影效果更好,更能够满足大尺 寸的电容式触摸屏的应用需求。同时,采用Ti02、Zr02或Si3N4等材料替代Nb205做为高折 射率材料,则无论加碱超声、碱液脱膜,都不会同碱液反应,IT0膜层的附着力、致密性更有 保证,从而用IT0制备的电容屏产品的触控功能得以保证。 【专利附图】【附图说明】 图1为一实施方式的IT0导电玻璃的结构示意图; 图2为如图1所示的IT0导电玻璃的制备方法的流程图。 【具体实施方式】 为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本 技术的【具体实施方式】做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分 理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域 技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似改进,因此本技术不受下面公 开的具体实施的限制。 如图1所不的一实施方式IT0导电玻璃,包括依次层叠的玻璃10、第一高折射率层 20、第一低折射率层30、第二高折射率层40、第二低折射率层50以及IT0层60。 玻璃10可以选择浮法玻璃或者其他本领域常规的玻璃。 第一高折射率层20的材料为Ti02、Zr02或Si3N4。Ti02的折射率为2. 3,Zr02的折 射率为2. 17,Si3N4的折射率为2. 0。采用Ti02、Zr02或Si3N4作为第一高折射率层20的材 料,使得第一高折射率层20的透过率相对较低。 第一高折射率层20的厚度可以为〇A?400A。一般而言,第一低折射率层20的厚 度对于ITO导电玻璃的整体透过率以及视觉效果影响较小,在一个特别的实施方式中,第 一低折射率层20的厚度可以为0,也就是说,第一低折射率层20可以省略。 在一个较优的实施方式中,第一高折射率层20的厚度为20A?200人。 第一低折射率层30的材料为Si02或MgF2。Si02的折射率为1. 48,MgF2的折射率 为1. 38。采用Si02或MgF2作为第一低折射率层30的材料,使得第一低折射率层30的透 过率相对较高。 本实施方式中,第一低折射率层30的厚度为〇A?600人。在一个特别的实施方式 中,第一低折射率层30的厚度可以为0,也就是说,第一低折射率层30可以省略。 在一个较优的实施方式中,第一低折射率层30的厚度为20A?400入。 第二高折射率层40的材料为Ti02、Zr02或Si3N4。Nb205的折射率为2. 3,Ti02的 折射率为2. 3,Zr02的折射率为2. 17,Si3N4的折射本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种用于中大尺寸电容式触摸屏的无色低阻消影的ITO导电玻璃,其特征在于,包括依次层叠的玻璃、第一高折射率层、第一低折射率层、第二高折射率层、第二低折射率层以及ITO层;所述第一高折射率层的材料为TiO2、ZrO2或Si3N4;所述第一低折射率层的材料为SiO2或MgF2;所述第二高折射率层的材料为TiO2、ZrO2或Si3N4;所述第二低折射率层的材料为SiO2或MgF2;所述第一高折射率层的厚度为所述第一低折射率层的厚度为所述第二高折射率层的厚度为所述第二低折射率层的厚度为

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘玉华方凤军陈立谭伟杜晓峰
申请(专利权)人:宜昌南玻显示器件有限公司
类型:新型
国别省市:湖北;42

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