有机发光二极管装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开提供了一种有机发光二极管装置及其制造方法。有机发光二极管装置的制造方法包括：制备被限定为显示区域和非显示区域的基板；在显示区域中形成包括薄膜晶体管和有机发光层的发光部分，并且在非显示区域中形成焊盘部分；在全部显示区域和非显示区域中顺序地形成牺牲层和包封钝化膜；以及通过激光的照射来从焊盘部分分离牺牲层和包封钝化膜。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管装置及其制造方法
本申请涉及一种有机发光二极管装置。更具体地，本申请涉及一种有机发光二极管装置的制造方法，其适于通过实现窄边框来确保设计竞争力，并且本申请还涉及利用该方法制造的有机发光二极管装置。
技术介绍
有机发光二极管装置被称为有机发光显示(OLED)装置。有机发光二极管装置通过下述方式来发射光：利用从电子注入电极和空穴注入电极注入到有机发光层的电子和空穴的复合形成激子并且将激子从激发态转变为基态。因此，有机发光二极管装置具有自发光性质。换言之，有机发光二极管装置不要求任何单独的光源，这与液晶显示装置不同。据此，有机发光二极管装置能够减小厚度和重量。而且，有机发光二极管装置具有低功耗、高亮度、快响应速度等的优异特性。因此，有机发光二极管装置作为移动设备的下一代显示装置受到公众关注。此外，有机发光二极管装置的制造过程简单。因此，与现有的液晶显示装置相比，有机发光二极管装置的制造成本较大地降低。图1A是示出普通有机发光二极管装置的透视图。图1B是示出沿着图1A的线I-I’截取的有机发光二极管装置的截面图。参考图1A和图1B，普通有机发光二极管装置包括：第一基板20，第一基板20上形成有发光部分40；以及第二基板(未示出)，第二基板面对第一基板20。第一基板20和第二基板利用密封构件彼此组合。详细地，第一基板20被限定为显示区域AA和非显示区域NA。显示区域AA用于显示图像。非显示区域NA占用第一基板20的除了显示区域AA之外的剩余区域。非显示区域NA的一部分被限定为焊盘区域PA。发光部分40形成在显示区域AA上。如果有机发光二极管装置在有源矩阵模式中，则彼此交叉的多条选通线GL和数据线DL形成在发光部分40内。而且，由所述多条选通线GL和数据线DL在发光部分内限定多个像素。薄膜晶体管形成在选通线GL和数据线DL的交叉处。每个薄膜晶体管连接到形成在相应像素内的第一电极31。有机发光层33和第二电极34顺序地形成在第一电极31上。一般来说，第一电极31用作阳极，并且第二电极34用作阴极。当形成了第二电极34时，完成了发光部分40。同时，焊盘部分30形成在非显示区域NA的焊盘区域PA中。焊盘部分30连接到显示区域AA的选通线GL和数据线DL。这样的焊盘部分30将选通线GL和数据线DL连接到用作驱动电路基板的外部印刷电路板(未示出)。然而，有机发光二极管装置具有非常容易受到环境中的湿气和氧气的性质。因此，必须包封有机发光二极管装置，以便于防止湿气和氧气的侵入。换言之，有机发光二极管装置需要执行包封处理。图2是例示根据现有技术的有机发光二极管装置的制造方法的截面图。详细地，图2是例示形成用于防止湿气和氧气侵入的包封钝化膜的方法的截面图。参考图2，有机发光二极管装置的现有制造方法包括：制备被限定为显示区域AA和非显示区域NA的第一基板20；在显示区域AA上形成发光部分40；在非显示区域NA的焊盘区域PA上形成焊盘部分30；在第一基板20的除了焊盘部分30之外的整个区域上形成包封钝化膜60；以及将其上形成有包封钝化膜60的第一基板与第二基板(未示出)组合。更具体地，包封钝化膜60的形成包括：在发光部分40的用作阴极的第二电极34上沉积若干有机材料和无机材料。这时，包封钝化膜60形成为充分地覆盖设置有发光部分40的显示区域AA。然而，包封钝化膜60必须未形成在设置有将与驱动IC(集成电路)芯片和FPC(柔性印刷电路)膜接触的焊盘部分30的焊盘区域PA上。如上所述，有机发光二极管装置易受到湿气损害。由此，难以在形成发光部分40之后执行湿法蚀刻处理。因此，在形成包封钝化膜60时，使用掩模1来防止包封钝化膜60在焊盘区域PA中的沉积。使用掩模1能够引起很多问题。例如，掩模1的卷曲或者掩模1的错位能够引起故障，掩模1上的异物能够使所形成的膜的质量劣化，由于掩模1能够导致在腔室中产生弧放电，掩模1的材料质量能够使得沉积膜的质量变得不同，并且由于掩模1能够产生静电。此外，使用掩模1能够在沉积膜中产生阴影区域并且使处理裕减少。上述问题成为使有机发光二极管装置的产率劣化的因素。而且，掩模1要求昂贵的精细对准系统。因此，额外地需要许多开销来制造和维护该昂贵的设备。此外，精细的对准处理不仅使间隔时间(tacttime)增加，而且使有机发光二极管装置的产率劣化。此外，由于在沉积膜中产生阴影区域，因此对于窄边框难以设计面板。本申请要求2013年6月28日提交的韩国专利申请No.10-2013-0075306的优先权，其通过引用整体并入这里。
技术实现思路
一种有机发光二极管装置的制造方法。该方法可以包括：在基板的显示区域中形成发光部分；在基板的非显示区域中形成焊盘部分；在发光部分和焊盘部分上方形成牺牲层；在牺牲层上方形成包封钝化膜；以及借助于激光的照射来从焊盘部分移除牺牲层和包封钝化膜。牺牲层可以具有比包封钝化膜更高的针对照射的激光的吸收速率。可以仅在基板的非显示区域的一部分中利用激光照射牺牲层和包封钝化膜。此外，可以以10～500nm的厚度范围形成牺牲层。此外，可以由非晶硅、氧化锌和氧化锡中的至少一个来形成牺牲层。该方法可以进一步包括在牺牲层和包封钝化膜之间形成粘附层。在实施方式中，形成发光部分的步骤可以包括在基板的显示区域中形成有机发光层。在实施方式中，有机发光二极管装置包括：基板，基板包括显示区域和非显示区域；发光部分，发光部分形成在基板的显示区域中；焊盘部分，焊盘部分形成在基板的非显示区域中；牺牲层，牺牲层形成在发光部分上方；以及包封钝化膜，包封钝化膜形成在牺牲层上方，其中，焊盘部分没有牺牲层和包封钝化膜。包封钝化膜可以与牺牲层物理接触。此外，发光部分包括有机发光层。可以以10～500nm的厚度范围形成牺牲层。此外，可以由非晶硅、氧化锌和氧化锡中的至少一个来形成牺牲层。牺牲层可以具有用于提供由发光部分生成的光的相长干涉的厚度。此外，牺牲层可以具有用于提供由发光部分生成的蓝光的相长干涉的厚度。在研读以下附图和详细描述之后，将对于本领域普通技术人员而言，其它系统、方法、特征和优点将会(或变得)明显。本说明书中包括的全部这些附加系统、方法、特征和优点均旨在落入本公开的范围内，并且由所附权利要求保护。此部分的内容不应视作对权利要求的限制。其它方面和优点在下面结合实施方式一起讨论。应该理解，对本公开的以上概述和以下详述都是示例性和解释性的，并旨在对所要求保护的本公开提供进一步的解释。附图说明附图被包括进来以提供实施方式的进一步理解，并且被并入本申请且构成本申请的一部分，附图示出了本公开的实施方式，并且与说明书一起用于说明本公开的原理。在附图中：图1A是示出普通有机发光二极管装置的透视图；图1B是示出沿着图1A中的线I-I’截取的有机发光二极管装置的截面图；图2是示出根据现有技术的有机发光二极管装置的制造方法的截面图；以及图3A至3H是一步一步地示出根据本公开的实施方式的有机发光二极管装置的制造方法的截面图。具体实施方式现在将根据本公开的实施方式详细地说明有机发光二极管装置及其制造方法，在附图中例示了本公开的实施方式的示例。作为示例提供了下文介绍的实施方式，以便向本领域普通技术人员传达本公开的精神。因此，这些实施方式可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管装置的制造方法，所述方法包括：在基板的显示区域中形成发光部分；在所述基板的非显示区域中形成焊盘部分；在所述发光部分和所述焊盘部分上方形成牺牲层；在所述牺牲层上方形成包封钝化膜；以及借助激光的照射来从所述焊盘部分移除所述牺牲层和所述包封钝化膜。

【技术特征摘要】
2013.06.28 KR 10-2013-00753061.一种有机发光二极管装置的制造方法，所述方法包括：在基板的显示区域中形成发光部分；在所述基板的非显示区域中形成焊盘部分；在所述发光部分和所述焊盘部分上方形成牺牲层；在所述牺牲层上方形成包封钝化膜；以及借助激光的照射来从所述焊盘部分移除所述牺牲层和所述包封钝化膜，其中，所述牺牲层具有比所述包封钝化膜高的针对所照射的激光的吸收率，其中，所述牺牲层具有用于提供由所述发光部分生成的光的相长干涉的厚度。2.根据权利要求1所述的方法，其中，仅在所述基板的所述非显示区域的一部分中利用所述激光来照射所述牺牲层和所述包封钝化膜。3.根据权利要求1所述的方法，其中，以10～500nm的厚度范围形成所述牺牲层。4.根据权利要求1所述的方法，其中，由非晶硅、氧化锌和氧化锡中的至少一种来形成所述牺牲层。5.根据权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括在所述牺牲层和所述包封钝化膜之间形成粘附层。6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成发光部分的步骤包括在所述基板的所述显示区域中形...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁相哲，赵恒燮，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR