有机发光显示装置及其制造方法制造方法及图纸

提供了制造有机发光显示装置的方法。所述方法包括形成像素电极；在所述像素电极上形成疏水性材料层，其中所述疏水性材料层包含疏水性材料；通过构图所述疏水性材料层来形成像素限定层，从而暴露至少一部分像素电极；以及使用表面处理移除在所述像素电极的暴露部分上的所述疏水性材料。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】提供了制造有机发光显示装置的方法。所述方法包括形成像素电极；在所述像素电极上形成疏水性材料层，其中所述疏水性材料层包含疏水性材料；通过构图所述疏水性材料层来形成像素限定层，从而暴露至少一部分像素电极；以及使用表面处理移除在所述像素电极的暴露部分上的所述疏水性材料。【专利说明】相关专利申请的引用本申请要求于2013年6月26日提交的第10-2013-0073972号韩国专利申请的权益，所述申请的全部内容通过引入的方式并入本文。背景1.抟术领域本公开大体上涉及，更具体地，涉及具有像素电极与中间层之间的低界面阻抗的有机发光显示装置。_6] 2.相关技术描述在显示装置中，有机发光显示装置已被确认为下一代显示装置，这归因于它们优异的特性，例如广视角、优异对比度和短响应时间。通常，有机发光显示装置包括具有像素限定层的结构，所述像素限定层覆盖像素电极的边缘并暴露所述像素电极的中心部分。在形成像素限定层之后，使用诸如喷墨印刷或喷嘴印刷的方法在所述像素电极上形成包括发射层的中间层。当使用现有技术形成中间层时，可以在像素限定层和像素电极的表面上形成墨残留物。墨残留物可以削弱随后沉积在该像素限定层和像素电极上的层间粘附。为防止在像素限定层的表面上形成墨残留物，像素限定层可以包括具有疏水性质的材料，该性质使像素限定层产生液体排斥特性。然而，疏水性材料还可能使像素电极的表面变成疏水性的，这可能导致像素电极与中间层之间的界面阻抗的增加。因此，增加的阻抗可导致有机发光显示装置效率恶化。概述本公开旨在至少解决上述与有机发光显示装置的界面阻抗和效率相关的问题。根据本专利技术构思的某些实施方案，提供了制造有机发光显示装置的方法。所述方法包括形成像素电极；在所述像素电极上形成疏水性材料层，其中所述疏水性材料层包含疏水性材料；通过构图所述疏水性材料层来形成像素限定层，从而暴露至少一部分像素电极；以及使用表面处理除去在所述像素电极的暴露部分上的所述疏水性材料。在某些实施方案中，所述方法可以还包括在像素电极上形成疏水性材料层之后在所述疏水性材料层上形成光致抗蚀剂层，以及通过在单一加工步骤中构图所述光致抗蚀剂层和所述疏水性材料层来形成像素限定层，从而暴露至少一部分所述像素电极，其中在构图之后在所述像素限定层的上表面上残留一部分光致抗蚀剂层。在某些实施方案中，所述方法可以还包括在表面处理之后除去所述像素限定层的上表面上的所述一部分光致抗蚀剂层。在某些实施方案中，所述方法可以还包括在表面处理之前在所述像素限定层的上表面上形成光致抗蚀剂层。在某些实施方案中，所述方法可以还包括在表面处理之后除去所述像素限定层的上表面上的光致抗蚀剂层。在所述方法的某些实施方案中，所述表面处理可以包括等离子清洗法。在所述方法的某些实施方案中，所述表面处理可以包括紫外(UV)辐射法。根据本专利技术构思的某些其他实施方案，提供了制造有机发光显示装置的方法。所述方法包括形成像素电极；在所述像素电极上形成光致抗蚀剂层；在所述像素电极和所述光致抗蚀剂层上形成疏水性材料层，其中所述疏水性材料层包含疏水性材料；以及构图所述疏水性材料层和所述光致抗蚀剂层，从而暴露至少一部分所述像素电极。在某些实施方案中，构图疏水性材料层和光致抗蚀剂层可以包括通过在疏水性材料层中构图开口来形成像素限定层，以及除去一部分光致抗蚀剂层，从而暴露至少一部分像素电极。在某些实施方案中，构图疏水性材料层和光致抗蚀剂层可以包括在单一加工步骤中构图疏水性材料层和光致抗蚀剂层，从而暴露至少一部分像素电极。根据本专利技术构思的某些实施方案，提供了有机发光显示装置。有机发光显示装置包括像素电极以及具有开口的像素限定层，通过所述开口暴露至少一部分所述像素电极，其中所述像素限定层包含疏水性材料。在某些实施方案中，所述像素限定层的上表面和所述像素限定层的开口中的斜表面可以具有不同的疏水度。在某些实施方案中，所述像素限定层的上表面可以具有比所述像素限定层的斜表面更高的疏水度。在某些实施方案中，有机发光显示装置可以还包括布置在像素限定层的开口中的部分像素电极上的光致抗蚀剂层。在某些实施方案中，所述像素限定层的开口中的斜表面和所述光致抗蚀剂层的斜表面可以共面对齐。在某些实施方案中，所述像素限定层的开口中的斜表面和所述光致抗蚀剂层的斜表面可以具有不同疏水度。在某些实施方案中，像素限定层至少上表面可以是疏水性的，并且像素电极的暴露部分可以是非疏水性的。在某些实施方案中，像素限定层的上表面和斜表面可以为疏水性的，并且像素电极的暴露部分和光致抗蚀剂层的斜表面可以为非疏水性的。附图简述图1至6示出制造有机发光显示装置的某些方法的不同制造阶段的示例性有机发光显示装置的剖视图。图7至9示出制造有机发光显示装置的方法的不同制造阶段的另一示例性有机发光显示装置的剖视图。图10示出本专利技术构思的另一实施方案的有机发光显示装置的剖视图。详细描述参考附图，本文将更全面地描述本专利技术构思，其中示出示例性实施方案。本专利技术构思可以以不同形式实施且不应解释为受限于所公开的实施方案。实施方案旨在向本领域技术人员公开并传达本专利技术构思。在附图中，为了清楚，可以放大层和区域的长度和尺寸。应理解当部件或层被称为在另一部件或层“上”时，该部件或层可以直接布置在另一部件或层上，或通过一个或多个存在的中介部件或层而布置在另一部件或层上。图1至5示出制造有机发光显示装置的第一方法的不同制造阶段的示例性有机发光显示装置的剖视图。参考图1，在衬底(未示出)上形成像素电极10。形成包含疏水性材料的疏水性材料层20’以覆盖像素电极10。如图1至5所示，疏水性材料可以包含氟(F)。像素电极10可以包括透明电极或反射电极。透明电极可以包括由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或In2O3形成的层。反射电极可以包括由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、钼(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其混合物形成的反射层。反射电极可以包括由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的层。参考图1，疏水性材料层20 ’可以对应构图之前的状态(即，在对疏水性材料层20 ’构图以形成像素限定层20之前)。在某些实施方案中，疏水性材料层20’可以包括由疏水性材料构成的层。在某些其他实施方案中，疏水性材料层20’可以在有机绝缘层中包括含有疏水性材料的层。有机绝缘层可以包括基于丙烯酸的聚合物(例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA))、聚苯乙烯(PS)、具有酚基的聚合物衍生物、基于酰亚胺的聚合物、基于芳基醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于乙烯醇的聚合物，或其混合物。参考图2，通过在疏水性材料层20’中蚀刻开口来形成像素限定层20。形成像素限定层20以便在构图疏水性材料层20’之后暴露至少一部分像素电极10(包括像素电极10的中心部分)。如图1所示，在疏水性材料层20’的顶面上存在氟(F)基团(提供疏水性)。在构图疏水性材料层20’以形成像素限定层20之后，除了在像素限定层20的暴露表面上存在氟(F)基团之外，在像素电极10的暴露表面上也存在氟(F)基团，如图2所示。接下来，如图3所示，在一部分像素限定层20上形成光致抗蚀剂本文档来自技高网...

【技术保护点】
制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：形成像素电极；在所述像素电极上形成疏水性材料层，其中所述疏水性材料层包含疏水性材料；通过构图所述疏水性材料层形成像素限定层，从而暴露至少一部分所述像素电极；以及使用表面处理除去所述像素电极的暴露部分上的所述疏水性材料。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：安基完，长宰赫，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR