本发明专利技术提供一种OLED器件的制备方法及其制得的OLED器件，所述OLED器件的制备方法为：步骤1、提供一基板，并在基板上依次形成阳极与空穴传输层；步骤2、在空穴传输层上通过溶液成膜法制作发光层，所述发光层包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素与白色子像素，其中，至少一种子像素采用量子点制备，至少一种子像素采用有机发光材料制备；步骤3、在发光层上依次形成电子传输层与阴极；步骤4、提供一封装盖板，其设置于阴极上方，将所述基板与封装盖板通过密封胶框粘结起来，从而完成该OLED器件的封装。由于发光层中的各种子像素均通过溶液成膜法制备，使得该OLED器件的制作过程中不需要使用精细掩膜板，因此制作成本低，材料利用率高，良品率高。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种OLED器件的制备方法及其制得的OLED器件，所述OLED器件的制备方法为：步骤1、提供一基板，并在基板上依次形成阳极与空穴传输层；步骤2、在空穴传输层上通过溶液成膜法制作发光层，所述发光层包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素与白色子像素，其中，至少一种子像素采用量子点制备，至少一种子像素采用有机发光材料制备；步骤3、在发光层上依次形成电子传输层与阴极；步骤4、提供一封装盖板，其设置于阴极上方，将所述基板与封装盖板通过密封胶框粘结起来，从而完成该OLED器件的封装。由于发光层中的各种子像素均通过溶液成膜法制备，使得该OLED器件的制作过程中不需要使用精细掩膜板，因此制作成本低，材料利用率高，良品率高。【专利说明】OLED器件的制备方法及其制得的OLED器件
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种0LED器件的制备方法及其制得的0LED 器件。
技术介绍
有机发光二极管显示器（Organic Light Emitting Diode,0LED)是一种极具发展 前景的平板显示技术，它不仅具有十分优异的显示性能，还具有自发光、结构简单、超轻薄、 响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性，被誉为"梦幻显示器"，再加上其生 产设备投资远小于液晶显示器（Liquid Crystal Display,LCD),得到了各大显示器厂家的 青睐，已成为显示
中第三代显示器件的主力军。 半导体纳米晶（semiconductor nanocrystals,缩写 NCs)，是指尺寸为 l-100nm 的 半导体纳米晶粒。由于半导体纳米晶的尺寸小于其他材料的激子波尔半径，表现出强的量 子限域效应，呈现出新的材料性质，因此也称为量子点（quantum dots,缩写QDs)。 由于外部能量的激发（光致发光，电致发光，阴极射线发光等），电子从基态跃迁 到激发态。处于激发态的电子和空穴可能会形成激子。电子与空穴发生复合，最终弛豫到 基态。多余的能量通过复合和弛豫过程释放，可能辐射复合发出光子。 量子点发光二极管（Quantum Dots Light Emitting Diodes，QD-LEDs)具有重要 的商业应用的价值，在最近十年引起人们强烈的研究兴趣。事实上，QD-LEDs相对于有机发 光二极管（Organic Light Emitting Diodes, OLEDs)有很多的优势：（1)量子点发光的线 宽在20-30nm之间，相对于有机发光大于50nm的发光，FWHM要窄，这对于现实画面的色纯 度起关键的作用。（2)无机材料相对于有机材料表现出更好的热稳定性。当器件处于高亮 度或高电流密度下，焦耳热是使器件退化的主要原因。由于优异的热稳定性，基于无机材料 的器件将表现出长的使用寿命。（3)由于红绿蓝三基色有机材料的寿命不同，OLEDs显示器 的颜色将随时间变化。然而，用同一种材料合成不同尺寸的量子点，由于量子限域效应，可 以实现三基色的发光。同一种材料可以表现出相似的退化寿命。（4) QD-LEDs可以实现红外 光的发射，而有机材料的发光波长一般小于1微米。（5)对于量子点没有自旋统计的限制， 其外量子效率（external quantum efficiency，EQE)有可能达到 100%。 然而在OLED器件热蒸镀制程时需要使用精细掩膜板（Fine metal mask，简称 FMM)，不仅制程成本高，而且材料利用率低，良品率低。因此有必要研发一种新的制程简单， 材料利用率高，良品率高的0LED器件。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种0LED器件的制备方法及其制得的0LED器件，其发光 层中的各种子像素均采用溶液成膜法制备，其中，至少一种子像素采用量子点制备，至少一 种子像素采用有机发光材料制备，所述0LED器件的制作过程中不需要使用精细掩膜板，因 此制作成本低，材料利用率高，良品率高。 为实现上述目的，本专利技术提供一种0LED器件的制备方法，包括： 步骤1、提供一基板，并在基板上依次形成阳极与空穴传输层； 步骤2、在空穴传输层上通过溶液成膜法制作发光层，所述发光层包括红色子像 素、绿色子像素、蓝色子像素与白色子像素，其中，至少一种子像素采用量子点制备，至少一 种子像素采用有机发光材料制备； 步骤3、在发光层上依次形成电子传输层与阴极； 步骤4、提供一封装盖板，其设置于阴极上方，将所述基板与封装盖板（2)通过密 封胶框粘结起来，从而完成该0LED器件的封装。 所述阳极、空穴传输层、电子传输层、及阴极分别采用真空热蒸镀法制备；所述电 子传输层由八羟基喹啉铝形成，所述空穴传输层由聚三苯胺或者聚乙撑二氧噻吩形成。 所述基板为TFT基板，所述基板与封装盖板由玻璃或者柔性材料形成，所述基板 与封装盖板中至少一个透光。 所述步骤2中，所述至少一种子像素采用量子点制备，如果是红色子像素采用量 子点制备，则所述红色子像素通过有机主体材料与红光量子点及溶剂混合，涂覆并挥发去 除溶剂后得到；如果是绿色子像素采用量子点制备，则所述绿色子像素通过有机主体材料 与绿光量子点及溶剂混合，涂覆并挥发去除溶剂后得到；如果是蓝色子像素采用量子点制 备，则所述蓝色子像素通过有机主体材料与蓝光量子点及溶剂混合，涂覆并挥发去除溶剂 后得到；如果是白色子像素采用量子点制备，则所述白色子像素通过有机主体材料与白光 量子点及溶剂混合，涂覆并挥发去除溶剂后得到，或者通过有机主体材料与红光量子点、绿 光量子点和蓝光量子点的组合及溶剂混合，涂覆并挥发去除溶剂后得到；所述蓝光量子点 为ZnCdS、CdSe/ZnS或纳米SiN 4，所述绿光量子点为CdSe/ZnS或ZnSe :Cu2+，所述红光量子 点为CdSe/CdS/ZnS，所述白光量子点为CdSe、CdS、CdTe、CdMnS、ZnSe或ZnMnSe ;所述有机主 体材料为4, 4'，4"-三（咔唑-9-基）三苯胺或2, 4, 6-三（9H-咔唑-9-基）-1，3, 5-三 嗪；所述溶剂为甲醇、乙醇、氯苯或氯仿。 所述步骤2中，所述至少一种子像素采用量子点制备，如果是红色子像素采用量 子点制备，则所述红色子像素通过红光量子点与表面包覆剂及溶剂混合，涂覆并挥发去除 溶剂后得到；如果是绿色子像素采用量子点制备，则所述绿色子像素通过绿光量子点与表 面包覆剂及溶剂混合，涂覆并挥发去除溶剂后得到；如果是蓝色子像素采用量子点制备，则 所述蓝色子像素通过蓝光量子点与表面包覆剂及溶剂混合，涂覆并挥发去除溶剂后得到； 如果是白色子像素采用量子点制备，则所述白色子像素通过白光量子点与表面包覆剂及溶 剂混合，涂覆并挥发去除溶剂后得到，或者通过红光量子点、绿光量子点和蓝光量子点的组 合与表面包覆剂及溶剂混合，涂覆并挥发去除溶剂后得到；所述表面包覆剂为硬脂酸、氧化 三锌基膦或聚甲基丙烯酸甲酯；所述溶剂为甲醇、乙醇、水、氯苯或氯仿；所述蓝光量子点 为ZnCdS、CdSe/ZnS或纳米SiN 4，所述绿光量子点为CdSe/ZnS或ZnSe :Cu2+，所述红光量子 点为 CdSe/CdS/ZnS，本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种OLED器件的制备方法，其特征在于，包括：步骤1、提供一基板(1)，并在基板(1)上依次形成阳极(21)与空穴传输层(22)；步骤2、在空穴传输层(22)上通过溶液成膜法制作发光层(23)，所述发光层(23)包括红色子像素(231)、绿色子像素(232)、蓝色子像素(233)与白色子像素(234)，其中，至少一种子像素采用量子点制备，至少一种子像素采用有机发光材料制备；步骤3、在发光层(23)上依次形成电子传输层(24)与阴极(25)；步骤4、提供一封装盖板(2)，其设置于阴极(25)上方，将所述基板(1)与封装盖板(2)通过密封胶框(3)粘结起来，从而完成该OLED器件的封装。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘亚伟，王宜凡，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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