铝电极、形成铝电极的方法及其电子设备技术

本发明专利技术设计一种铝电极、形成铝电极的方法及其电子设备。根据本发明专利技术一个方面的铝电极，包括：由钼构成的底层；由钼构成的顶层；和位于底层和顶层之间的铝层，其中底层、顶层和铝层是在120℃以下的温度下形成的。根据本发明专利技术一个实施例的铝电极，可以消除鼠啮现象。根据本发明专利技术另一方面的铝电极，包括：由金属或者金属合金的氮化物构成的底层；由钼构成的顶层；和位于底层和顶层之间的铝层，其中底层、顶层和铝层是在120℃以下的温度下形成的。根据本发明专利技术另一实施例的铝电极，既消除鼠啮现象，还消除侧蚀现象，并且通过控制氮含量还能进一步得到理想的成型角度。

【技术实现步骤摘要】
铝电极、形成铝电极的方法及其电子设备
本专利技术涉及一种铝电极、一种形成铝电极的方法、及其电子设备。
技术介绍
目前在LCD或者0LED显示领域中的栅电极或源漏电极一般采用纯铝或铝合金作 为中间层而构成的三层电极，例如Mo/Al/Mo纯铝电极或者Mo/AlFe/Mo、Mo/AlCo/Mo、Mo/ AlNi/Mo铝合金电极。该纯铝电极或者铝合金电极的底层和顶层是Mo金属层，对于纯铝电 极来讲，位于底层和顶层之间的是A1金属层，对于错合金电极来讲,位于底层和顶层之间 的是AlFe、AlCo或者AINi等铝合金。在本领域中通常把在玻璃基板上或者ΙΤ0膜层上首 先使用沉积、或溅射等形成的Mo层称为底层，然后形成的A1层或铝合金层作为中间层，再 接着形成的Mo层作为顶层。 但是在现有技术中，在刻蚀以后线路边缘会出现不规则的缺口，如同被鼠咬后的 啮痕一般，这种现象在本领域中称为鼠啮（mouse bite),如在图1中的椭圆形部分内示 出的。另外，在线路的刻蚀期间，理论上刻蚀液会垂直向下或向上进行攻击，但因刻蚀液的 作用并无方向性，故会产生侧蚀，造成刻蚀后导体线路在截面上，显现出两侧的内陷，这种 现象在本领域中称为侧蚀（undercut)，如在图2中的椭圆形部分内示出的。 上述提到的鼠啮和侧蚀现象容易导致线路短路或信号延迟，这些问题还减缓电极 细线化的进程，影响高分辨率产品的进展。此外，在电极中存在侧蚀的情况下，还容易造成 电极的断路现象，导致电子产品例如LCD或者0LED显示器中出现暗点等不良现象。 对于纯铝电极或者铝合金电极中的鼠啮问题，以往的经验是进行刻蚀液的更换来 解决。但是对于量产多种产品的生产线而言，这种方法要求更换掉以往常规的刻蚀液，这样 就会影响其他产品的生产，并且刻蚀液的重新验证和测试也需花费较长的时间。 此外，电极中成型角度（profile angle)不理想的话，也会造成上层膜层搭接时的 段差(薄膜高低平面的差异)较大，而出现断开的问题，这样会影响产品的良品率。例如在图 3中的椭圆形部分内示出了这样的情形。图3中成型角度大约在70。-80。之间，造成段差 较大，容易出现断开的问题，并且影响产品的良品率。 因此，解决现有技术中存在的鼠啮、侧蚀和成型角度不理想等是一个亟待解决的 问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种铝电极、形成铝电极的方法、及其电子设备，其能够解 决或者至少缓解现有技术中存在的至少一部分缺陷。 根据本专利技术的第一个方面，提供了一种铝电极，可以包括： 由钼构成的底层；由钼构成的顶层；和位于该底层和顶层之间的铝层，其中该底层、顶 层和铝层是在i2〇°c以下的温度下形成的。借助于本专利技术一个实施例的在12(rc以下的温 度下形成的三层金属层构成的铝电极，可以消除鼠啮现象。 优选的，该底层、顶层和铝层是在50°C或者80°C形成的。 [0011 ] 更优选的，该底层、顶层和铝层是在50°C形成的。 根据本专利技术的第二个方面，提供了一种铝电极，可以包括： 由金属或者金属合金的氮化物构成的底层；由钼构成的顶层；和 位于该底层和顶层之间的铝层，其中该底层、顶层和铝层是在120?以下的温度下形成 的。借助于本专利技术一个实施例的在120°C以下的温度下形成的包括金属或者金属合金的氮 化物构成的底层的铝电极不仅可以消除鼠啮现象，还可以消除侧蚀现象，特别是有效防止 由金属或者金属合金的氮化物构成的底层的侧蚀。 优选的，该底层、顶层和铝层是在50°C或者80°C形成的。 更优选的，该底层、顶层和铝层是在50°C形成的。 根据本专利技术的一个实施例，其中该金属氮化物是选自之一，该金属合 金的氮化物是选自MoNbNx和MoWNx之一。 根据本专利技术的另一个实施例，其中该金属氮化物是M〇Nx。 根据本专利技术的再一个实施例，在制作金属氮化物或金属合金的氮化物时，其中X 的范围(摩尔比）在0 _ 3之间。需要指出的是，在例如沉积工艺的制作过程中，N2气体流 量占总气体流量的20%-40%。 根据本专利技术的又一个实施例，其中X值为2。 根据本专利技术的一个实施例，其中该底层的厚度在100埃一 300埃之间，该铝层的厚 度在2000埃一 4000埃之间，该顶层的厚度在6〇〇埃一 1〇〇〇埃之间。备选的，借助于本发 明一个实施例的各层厚度安排以及上述的氮含量，不仅可以消除鼠啮现象、侧蚀现象，而且 还可以得到理想的成型角度。 根据本专利技术的第三个方面，提供了一种形成铝电极的方法，可以包括：在120?以 下的温度下形成由钼构成的底层；由钼构成的顶层；和位于该底层和顶层之间的铝层。根 据本专利技术的一个实施例，通过在120?以下的成膜温度下形成上述各层而形成的铝电极，可 以消除鼠啮现象。 优选的，在50?或者80?形成由钼构成的底层；由钼构成的顶层；和位于该底层 和顶层之间的铝层。 根据本专利技术的第四个方面，提供了一种形成铝电极的方法，可以包括：在12(TC以 下的温度下形成由金属或者金属合金的氮化物构成的底层；由钼构成的顶层；和位于该底 层和顶层之间的铝层。借助于本专利技术一个实施例的形成铝电极的方法不仅可以消除鼠啮现 象，还可以消除侧蚀现象,特别是有效防止由金属或者金属合金的氮化物构成的底层的侧 蚀。 优选的，在50°c或者8CTC形成由金属或者金属合金的氮化物构成的底层；由钥构 成的顶层；和位于所述底层和顶层之间的银层。 根据本专利技术的一个实施例，其中该金属氮化物是选自M〇Nx和A1NX之一，该金属合 金的氮化物是选自MoNbNx和MoWNx之一。优选的，其中该金属氮化物是MoNx。 根据本专利技术的另一个实施例，在制作金属氮化物或金属合金的氮化物时，其中X 的范围(摩尔比）在0 - 3之间。需要指出的是，在例如沉积工艺的制作过程中，N2气体流 量占总气体流量的20%-40%。优选的， x值为2。 根据本专利技术的又一个实施例，其中该底层的厚度在100埃一 300埃之间，该铝层的 厚度在2000埃一 4000埃之间，该顶层的厚度在6〇〇埃一 1000埃之间。备选的，借助于本发 明一个实施例的上述三层厚度安排以及上述的氮含量，不仅可以消除鼠啮现象、侧蚀现象， 而且还可以得到理想的成型角度。 根据本专利技术的第五个方面，提供了 一种电子设备，包括如上所述的错电极或者使 用如上所述的形成铝电极的方法。 【附图说明】 通过对结合附图示出的实施例进行详细说明，本专利技术的上述以及其他特征将更加 明显，其中： 图1示意性地示出了现有技术的Mo/Al/Mo三层纯铝电极的SEM (扫描电子显微镜）照 片，在表面上存在许多鼠啮。 图2示意性地示出了现有技术的Mo/Al/Mo三层纯铝电极的SEM照片。 图3示意性地示出了根据本专利技术一个实施例的ΜοΝχ/Α1/Μο三层纯铝电极的SEM照 片。 图4示意性地示出了根据本专利技术另一个实施例的Mo/Al/Mo三层纯铝电极的SEM 照片。 图5示意性地示出了根据本专利技术再一个实施例的ΜοΝχ/Α1/Μο三层纯铝电极的SEM 照片。 【具体实施方式】 首先需要指出的是，在本专利技术中提到的关于位本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铝电极，包括：由钼构成的底层；由钼构成的顶层；和位于所述底层和顶层之间的铝层，其中所述底层、顶层和铝层是在120℃以下的温度下形成的。

【技术特征摘要】
1. 一种错电极，包括： 由钥构成的底层； 由钥构成的顶层；和 位于所述底层和顶层之间的铝层，其中所述底层、顶层和铝层是在120°c以下的温度下 形成的。2. 根据权利要求1所述的铝电极，其特征在于，所述底层、顶层和铝层是在50°C或者 80°C形成的。3. -种错电极，包括： 由金属或者金属合金的氮化物构成的底层； 由钥构成的顶层；和 位于所述底层和顶层之间的铝层，其中所述底层、顶层和铝层是在120°C以下的温度下 形成的。4. 根据权利要求3所述的铝电极，其特征在于，所述底层、顶层和铝层是在50°C或者 80°C形成的。5. 根据权利要求3所述的铝电极，其特征在于，所述金属氮化物是选自M〇Nx和A1NX之 一，所述金属合金的氮化物是选自M 〇NbNx和M〇WNx之一。6. 根据权利要求5所述的铝电极，其特征在于，所述金属氮化物是M〇Nx。7. 根据权利要求5所述的铝电极，其特征在于，在制作所述金属氮化物或所述金属合 金的氮化物时，X的范围在〇 - 3之间。8. 根据权利要求7所述的铝电极，其特征在于，X为2。9. 根据权利要求3-8中任一项所述的铝电极，其特征在于，所述底层的厚度在100 埃一 300埃之间，所述铝层的厚度在2000埃一 4000埃之间，所述顶层的厚度在600埃一 1000埃之间。10. -种形成铝电极的方法，包括： 在120°C以下的温度下形成由钥构成的底层；由钥构成的顶层；和位于所述底层和顶 层...

【专利技术属性】
技术研发人员：王灿，刘芳，刘英伟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11