用于制造磁记录介质及其保护膜的方法技术

本发明专利技术提供用于产生保护膜的方法，该方法可用于制造磁记录介质，该方法包括步骤：(a)提供形成在所述衬底上的磁性层；以及(b)通过使用特定低饱和烃气和特定低不饱和烃气的混合气作为源气体的等离子体CVD方法在该磁性层上形成保护膜，其中步骤(b)包括在该磁性层上形成第一保护膜的步骤(b-1)以及在该第一保护膜上形成第二保护膜的步骤(b-2)，步骤(b-1)是通过使用源气体的等离子体CVD方法执行的，在该源气体中，气体混合比被调节以使在源气体中相对每个碳原子氢原子的平均数变得大于2.5但小于3.0，并且步骤(b-2)是通过使用源气体的等离子体CVD方法执行的，在该源气体中，气体混合比被调节以使在源气体中相对每个碳原子氢原子的平均数变得大于2.0但小于2.5。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供用于产生保护膜的方法，该方法可用于制造磁记录介质，该方法包括步骤：(a)提供形成在所述衬底上的磁性层；以及(b)通过使用特定低饱和烃气和特定低不饱和烃气的混合气作为源气体的等离子体CVD方法在该磁性层上形成保护膜，其中步骤(b)包括在该磁性层上形成第一保护膜的步骤(b-1)以及在该第一保护膜上形成第二保护膜的步骤(b-2)，步骤(b-1)是通过使用源气体的等离子体CVD方法执行的，在该源气体中，气体混合比被调节以使在源气体中相对每个碳原子氢原子的平均数变得大于2.5但小于3.0，并且步骤(b-2)是通过使用源气体的等离子体CVD方法执行的，在该源气体中，气体混合比被调节以使在源气体中相对每个碳原子氢原子的平均数变得大于2.0但小于2.5。【专利说明】 专利技术背景 1.
本公开涉及一种用于制造磁记录介质和适于制造磁记录介质的保护膜的方法。 2.现有技术描述 为了改进硬盘驱动器（HDD)的记录密度，不仅需要改善其磁记录层，而且还需要 减少磁记录层和用于读/写信息的磁头之间的距离（磁间距）。因此，已使用技术以减少形 成在磁记录层上的保护膜的厚度、减少形成在保护膜上的润滑薄膜的厚度、减少磁头的飞 行高度，还有称为按要求飞行（flying on demand) (FOD)技术，它使得磁头的读/写元件部 分突出以减少有效飞行厚度。 在所有这些技术中，减少磁记录介质中的保护膜的厚度是相当重要的。日本专利 申请公开No. 2010-205323提出一种用于减小保护膜的厚度的技术。
技术实现思路
然而，最近的保护膜要求厚度减少并能够通过与润滑层的结合而进一步适用于 FOD和其它技术。 因此，本专利技术的一个目的是提供磁记录介质，该磁记录介质能进一步实现减少保 护膜的厚度并进一步适用于FOD和其它技术而不损害磁记录介质的可靠性，诸如抗蚀性和 耐久性。 为了实现上述目的，本申请的专利技术提供一种制造保护膜的方法，该方法可用于制 造一磁记录介质，该磁记录介质具有：衬底，形成在该衬底上的磁性层，形成在该磁性层上 的保护膜，以及形成在该保护膜上的润滑层，该方法包括下列步骤： (a)提供形成在该衬底上的磁性层；以及 (b)通过使用低饱和烃气和低不饱和烃气的混合气作为源气体的等离子体CVD方 法在该磁性层上形成保护膜， 其中该低饱和烃气选自包括如下项的组：甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、以及它们中的两 项或更多项的混合物， 该低不饱和烃气选自包括如下项的组：乙烯、丙烯、丁烯、丁二烯、以及它们中的两 项或更多项，并且 步骤（b)包括在该磁性层上形成第一保护膜的步骤（b_l)以及在该第一保护膜上 形成第二保护膜的步骤（b_2)， 步骤（b-1)是通过使用源气体的等离子体CVD方法执行，在源气体中，调节低饱和 烃气和低不饱和烃气之间的混合比以使在源气体中相对每个碳原子氢原子的平均数变得 大于2. 5但小于3. 0,以及 步骤（b-2)通过使用源气体的等离子体CVD方法执行，在源气体中，调节低饱和烃 气和低不饱和烃气之间的混合比以使在源气体中相对每个碳原子氢原子的平均数变得大 于2. 0但小于2. 5。 【具体实施方式】 A.用于制造保护膜的方法，该方法可用于制造磁记录介质。 根据本申请的专利技术的用于制造保护膜的方法，它可用来制造磁记录介质，该方法 具有下列步骤： (a)提供被形成在衬底上的磁性层；以及 (b)通过使用低饱和烃气和低不饱和烃气作为源气体的等离子体CVD在该磁性层 上形成保护膜。 (1)步骤（a)通过步骤（a)提供在其上形成保护膜的磁性层。 (1-1) 磁性层被形成在衬底上。衬底优选地是非磁性的并可由传统地用于制造磁记录层 的任何材料制成。衬底可由例如镀Ni-P的铝合金、玻璃、陶瓷、塑料、或硅制成。 (1-2) 通过在衬底上层叠金属薄膜层而形成磁性层，且该磁性层并包括至少磁记录层。 磁记录层可使用诸如包含至少Co和Pt的合金的铁磁材料形成。期望铁磁材料的 易磁化轴被取向在执行磁记录的方向上。例如，当执行垂直磁记录时，磁记录层的材料的易 磁化轴需要被取向在与记录介质的表面垂直的 方向上（即，垂直于衬底的主平面）。 进一步优选的是，磁记录层是由单层或多层构成的垂直磁记录层，它使用具有颗 粒结构的材料形成的，该颗粒结构具有散布在非磁性氧化物基质或非磁性氮化物基质中的 磁性晶粒。此处可使用的晶粒结构的材料的示例包括CoPt-Si0 2、CoCrPtO、CoCrPt-Si02、 CoCrPt-Ti02、CoCrPt-Al 203、CoPt-AIN、和 CoCrPt-Si3N4，但不限于此。在本申请的专利技术中， 就增进垂直磁记录层中彼此相邻的磁性晶粒之间的磁间隔、降低噪声、和改进介质的特性 (例如其SNR和记录分辨率）这些方面而言，使用具有颗粒结构的材料是优选的。 注意，磁记录层可使用技术中已知的任何方法来实现，诸如溅射方法（DC磁控管 溅射方法、RF磁控管溅射方法等）或真空蒸镀方法。 (1-3) 上述（1-2)中提到的磁性层可任选地包括非磁性下层、软磁层、籽晶层、中间层、 以及位于磁记录层和衬底之间的其它层。这些层可以是磁性或非磁性层。 非磁性下层 非磁性下层可使用包括Cr的非磁性材料形成，诸如Ti或CrTi合金。 软磁层 可使用诸如FeTaC或山达斯特（Sendust) (FeSiAl)合金之类的结晶材料；诸如 FeTaC、CoFeNi、或CoNiP之类的微晶材料；或包括诸如CoZrNdXoZrNb、或CoTaZr之类的Co 合金的非晶材料形成软磁层。软磁层用于以将由磁头生产的垂直磁场集中到垂直磁记录介 质的磁记录层中。尽管软磁层的薄膜厚度的最佳值取决于用于记录的磁头的结构或特性， 然而优选地软磁层的薄膜厚度约为IOnm至500nm以与生产能力平衡。 籽晶层 可使用诸如 NiFeAl、NiFeSi、NiFeNb、NiFeB、NiFeNbB、NiFeMo、或 NiFeCr 之类的 坡莫合金材料；通过将Co添加至坡莫合金获得的材料，诸如C〇NiFe、C 〇NiFeSi、C〇NiFeB、* CoNiFeNb ;Co ;或诸如CoBXoSi、CoNi、或CoFe之类的基于Co的合金，形成籽晶层。优选的 是，籽晶层足够厚以控制磁记录层的结晶结构并一般具有至少3nm但不大于50nm的薄膜厚 度。 中间层 中间层可使用Ru或主要含Ru的合金形成。优选的是，中间层一般具有至少0. Inm 但不大于20nm的薄膜厚度。在该范围内的薄膜厚度可提供具有达到高密度记录所需的特 性但不劣化磁记录层的磁性质或磁记录性质的磁记录层。 注意，可使用技术中已知的任何方法来形成对于磁记录层、非磁性下层、软磁层、 籽晶层、和中间层，诸如溅射方法（DC磁控管溅射方法、RF磁控管溅射方法等）或真空蒸镀 方法。 (2)步骤（b) 在步骤（b)中，在通过步骤（a)提供的磁性层上形成保护膜。 (2-1) 使用将烃气用作源气体的等离子体化学气相沉积（CVD)方法来形成保护膜。在这 种方法中，源气体被设置在等离本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造保护膜的方法，所述方法可用于制造磁记录介质，所述磁记录介质具有衬底，形成在所述衬底上的磁性层，形成在所述磁性层上的保护膜，以及形成在所述保护膜上的润滑层，所述方法包括下列步骤：(a)提供形成在所述衬底上的所述磁性层；以及(b)通过使用低饱和烃气和低不饱和烃气的混合气作为源气体的等离子体CVD方法，在所述磁性层上形成所述保护膜；其中所述低饱和烃气选自包括如下项的组：甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、以及上述中两项或更多项的混合物，所述低不饱和烃气选自包括如下项的组：乙烯、丙烯、丁烯、丁二烯、以及上述中两项或更多项的混合物，并且所述步骤(b)包括在所述磁性层上形成第一保护膜的步骤(b‑1)以及在所述第一保护膜上形成第二保护膜的步骤(b‑2)，所述步骤(b‑1)是通过使用源气体的等离子体CVD方法执行的，在所述源气体中，调节所述低饱和烃气和所述低不饱和烃气之间的混合比以使在所述源气体中相对于每个碳原子氢原子的平均数变得大于2.5但小于3.0，且所述步骤(b‑2)是通过使用源气体的等离子体CVD方法执行的，在所述源气体中，调节所述低饱和烃气和所述低不饱和烃气之间的混合比以使所述源气体中每碳原子的氢原子的平均数变得大于2.0但小于2.5。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：永田德久，
申请(专利权)人：富士电机马来西亚有限公司，
类型：发明
国别省市：马来西亚;MY