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本发明提供用于产生保护膜的方法，该方法可用于制造磁记录介质，该方法包括步骤：(a)提供形成在所述衬底上的磁性层；以及(b)通过使用特定低饱和烃气和特定低不饱和烃气的混合气作为源气体的等离子体CVD方法在该磁性层上形成保护膜，其中步骤(b)包...
该专利属于富士电机（马来西亚）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机（马来西亚）有限公司授权不得商用。

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