一种避免超薄硅片边缘破损的加工方法技术

本发明专利技术公开的一种避免超薄硅片边缘破损的加工方法，其特征在于，具体包括如下步骤：(1)在需要减薄的硅片边缘加工出一槽，所述槽的槽口位于硅片的表面；(2)在加工有槽的硅片的表面贴一保护膜，所述保护膜跨过所述槽；或者加工有槽的硅片的表面贴在另一硅片上；(3)研磨所述硅片的背面对所述硅片进行减薄处理，减薄至规定厚度；(4)撕去硅片表面的保护膜，得到符合要求的减薄后的硅片；或者将减薄后的硅片与另一硅片分离得到符合的减薄后的硅片。本发明专利技术与现有技术相比，具有以下优点：1、加工简单；2、易于贴膜；3、且硅片后续的加工工艺和传统的方法兼容。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开的，其特征在于，具体包括如下步骤：(1)在需要减薄的硅片边缘加工出一槽，所述槽的槽口位于硅片的表面；(2)在加工有槽的硅片的表面贴一保护膜，所述保护膜跨过所述槽；或者加工有槽的硅片的表面贴在另一硅片上；(3)研磨所述硅片的背面对所述硅片进行减薄处理，减薄至规定厚度；(4)撕去硅片表面的保护膜，得到符合要求的减薄后的硅片；或者将减薄后的硅片与另一硅片分离得到符合的减薄后的硅片。本专利技术与现有技术相比，具有以下优点：1、加工简单；2、易于贴膜；3、且硅片后续的加工工艺和传统的方法兼容。【专利说明】—种避免超薄硅片边缘破损的加工方法
本专利技术涉及硅片的加工
，特别涉及。
技术介绍
在硅片减薄工艺中，特别是在超薄硅片加工过程中，硅片边缘非常容易破裂。其原因是减薄后，硅片边缘非常锋利，所以特别容易破损。 为了防止在超薄硅片加工过程中硅片的边缘破裂，参见图1至图4，目前的方法是首先研磨硅片2的表面3的边缘13 (参见图1和2)，然后将表面边缘研磨好的硅片2的表面3采用胶黏剂24粘贴到另一块硅片4的表面26上，最后研磨掉硅片3的背面5得到边缘整齐的硅片2。该方法工艺复杂，且对于边缘研磨后的硅片2表面贴膜也是一个问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于针对上述为了防止在超薄硅片加工过程中硅片的边缘破裂所采用的加工方法所存在的问题而提供一种工艺简单的避免超薄硅片边缘破损的加工方法。 本专利技术所要解决的技术问题可以通过以下技术方案来实现: ，具体包括如下步骤: (I)在需要减薄的硅片边缘加工出一槽，所述槽的槽口位于硅片的表面； (2)在加工有槽的硅片的表面贴一保护膜，所述保护膜跨过所述槽；或者加工有槽的硅片的表面贴在另一硅片上； (3)研磨所述硅片的背面对所述硅片进行减薄处理，减薄至规定厚度； (4)撕去硅片表面的保护膜，得到符合要求的减薄后的硅片；或者将减薄后的硅片与另一硅片分离得到符合的减薄后的硅片。 在本专利技术的一个优选实施例中，所述槽的深度大于减薄后硅片的厚度，在撕去硅片表面的保护膜时，所述保护膜带走所述槽外侧的硅片边缘。 在本专利技术的一个优选实施例中，所述槽的深度小于减薄后硅片的厚度，研磨掉所述槽外侧的硅片边缘后再撕去硅片表面的保护膜或者将将减薄后的硅片与另一硅片分离。 在本专利技术的一个优选实施例中，所述槽采用激光切割方法、砂轮切割方法、等离子刻蚀方法、化学品湿法腐蚀方法中的一种或者任意两种以上的组合加工而成。 由于采用了如上的技术方案，本专利技术与现有技术相比，具有以下优点:1、加工简单；2、易于贴膜；3、且硅片后续的加工工艺和传统的方法兼容。 【专利附图】【附图说明】 图1至图4为现有硅片加工方法示意图。 图5为本专利技术加工有深度大于减薄后硅片的厚度的槽的未减薄硅片结构示意图。 图6为本专利技术加工有槽的未减薄硅片贴膜后的示意图。 图7为本专利技术加工有槽的并贴有贴膜的减薄后硅片的示意图。 图8为本专利技术成品硅片结构结构示意图。 图9为本专利技术加工有深度小于减薄后硅片的厚度的槽并贴有贴膜的减薄后硅片的示意图。 【具体实施方式】 ，具体包括如下步骤: (I)参见图5，在需要减薄的硅片100的边缘加工出一深度大于减薄后硅片的厚度的槽110，槽110的槽口位于硅片100的表面120。 (2)参见图6，在加工有槽110的硅片100的表面120贴一保护膜200，保护膜200跨过槽110 ； (3)参见图7，研磨硅片100的背面130对硅片100进行减薄处理，减薄至规定厚度； (4)撕去硅片100表面的保护膜200，在撕去硅片100表面的保护膜200时，保护膜200带走槽110外侧的硅片边缘130，得到符合要求的减薄后的硅片； 上述步骤⑵也可以采用如下方法取代:加工有槽110的硅片100的表面120贴在另一硅片上。上述步骤(4)也可以采用如下方法取代:将减薄后的硅片100与另一硅片分离得到符合的减薄后的硅片。 另外参见图9，也可以在需要减薄的硅片100的边缘加工出一深度小于减薄后硅片的厚度的槽110a，槽IlOa的槽口位于硅片100的表面120，在加工有槽IlOa的硅片100的表面120贴一保护膜200，保护膜200跨过槽110。 上述槽110或10a采用激光切割方法、砂轮切割方法、等离子刻蚀方法、化学品湿法腐蚀方法中的一种或者任意两种以上的组合加工而成。【权利要求】1.，其特征在于，具体包括如下步骤: (1)在需要减薄的娃片边缘加工出一槽，所述槽的槽口位于娃片的表面； (2)在加工有槽的硅片的表面贴一保护膜，所述保护膜跨过所述槽；或者加工有槽的娃片的表面贴在另一娃片上； (3)研磨所述硅片的背面对所述硅片进行减薄处理，减薄至规定厚度； (4)撕去硅片表面的保护膜，得到符合要求的减薄后的硅片；或者将减薄后的硅片与另一硅片分离得到符合的减薄后的硅片。2.如权利要求1所述的避免超薄硅片边缘破损的加工方法，其特征在于，所述槽的深度大于减薄后硅片的厚度，在撕去硅片表面的保护膜时，所述保护膜带走所述槽外侧的硅片边缘。3.如权利要求1所述的避免超薄硅片边缘破损的加工方法，其特征在于，所述槽的深度小于减薄后硅片的厚度，研磨掉所述槽外侧的硅片边缘后再撕去硅片表面的保护膜或者将将减薄后的硅片与另一硅片分离。4.如权利要求1所述的避免超薄硅片边缘破损的加工方法，其特征在于，所述槽采用激光切割方法、砂轮切割方法、等离子刻蚀方法、化学品湿法腐蚀方法中的一种或者任意两种以上的组合加工而成。【文档编号】H01L21/02GK104241094SQ201410312414【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年10月8日 优先权日:2014年10月8日 【专利技术者】杨凡力 申请人:上海朕芯微电子科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种避免超薄硅片边缘破损的加工方法，其特征在于，具体包括如下步骤：(1)在需要减薄的硅片边缘加工出一槽，所述槽的槽口位于硅片的表面；(2)在加工有槽的硅片的表面贴一保护膜，所述保护膜跨过所述槽；或者加工有槽的硅片的表面贴在另一硅片上；(3)研磨所述硅片的背面对所述硅片进行减薄处理，减薄至规定厚度；(4)撕去硅片表面的保护膜，得到符合要求的减薄后的硅片；或者将减薄后的硅片与另一硅片分离得到符合的减薄后的硅片。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨凡力，
申请(专利权)人：上海朕芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31