一种新型自对准功率TrenchMOSFET制作方法及其结构技术

本发明专利技术提出一种新的自对准结构的功率Trench MOSFET，其Trench槽和接触孔(接触沟槽)由一张掩模版确定，能极大地缩小Trench Pitch的间距(即相邻Trench槽之间的间距)。Pitch的间距(即相邻Trench槽之间的间距)。Pitch的间距(即相邻Trench槽之间的间距)。

【技术实现步骤摘要】
一种新型自对准功率Trench MOSFET制作方法及其结构


[0001]本专利技术涉及功率器件
，尤其涉及到一种新型自对准功率 Trench MOSFET制作方法及其结构。

技术介绍

[0002]在功率器件的发展过程中，功率MOSFET一直扮演着非常重要的地 位。从市场份额上看，以2006年为例，功率MOSFET几乎占到整个功率 器件市场的26％，而功率MOSFET之所以发展如此迅速，原因如下：
[0003](1)频率高：场效应晶体管作为一种多子器件，相比双极型功率器件， 其频率有了很大提高，因此不仅在高频应用有了扩大，在缩小整机体积方 面也起到关键的作用。
[0004](2)驱动方便：场效应晶体管相比双极型功率器件，其控制方法由电流 控制变为电压控制，可以直接用一些专用的高压集成电路作为驱动进行控 制。
[0005](3)通态电阻小：新一代的场效应晶体管的通态电阻不仅比PN结的正 向好，甚至比过去认为的有着最低正向电阻之称得肖特基二极管还好。因 而MOSFET不仅是一种快速开关器件，而且在一定的条件下还是一种最本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型自对准功率Trench MOSFET制作方法，其特征在于，包括如下步骤：Step1：在衬底正上表面外延形成外延区；Step2：在所述外延区的正上表面注入硼离子形成主体区；Step3：在所述主体区上淀积形成第一介质层；Step4：所述第一介质层刻蚀形成沟槽，所述沟槽穿过所述主体区至所述外延区；Step5：对沟槽进行氧化并填充多晶硅形成栅极，所述多晶硅覆盖所述第一介质层；Step6：刻蚀掉所述第一介质层上的所述多晶硅，且沟槽里的多晶硅的表面需低于第一介质层的表面，多晶硅的表面可与外延层表面平行，或者低于外延层表面，或者高于外延层表面；Step7：淀积第二介质层覆盖所述第一介质层和所述沟槽里的多晶硅；Step8：刻蚀掉所述第一介质层上的所述第二介质层，仅保留所述沟槽多晶硅上的第二介质层；Step9：完全除去第一介质层；Step10：于所述主体区上掺杂离子形成源极区；Step11：淀积第三介质层，所述第三介质层覆盖所述源极区和所述第二介质层；Step12:无掩模版刻蚀第三介质层并于所述第二介质层及多晶硅侧壁形成侧墙；Step13:于所述源极区刻蚀形成接触沟槽，所述接触沟槽穿过所述源极区至所述主体区；Step14:于所述接触沟槽注入硼离子形成所述主体区的接触区域；Step15:于所述Step14...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄平，鲍利华，顾海颖，
申请(专利权)人：上海朕芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：