一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法技术

本发明专利技术公开的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征是：在完成IGBT晶圆正面制程后，在晶圆正面的集电极、栅极的压焊点上制作凸块；然后再在晶圆的正面做晶圆级塑封形成塑封层；接着研磨所述塑封层将之前制作的凸块露出来；最后进行背面制程；或者先进行背面制程，再研磨所述塑封层将之前制作的凸块露出来。本发明专利技术不需要临时键合，消除了临时键合剥离造成晶圆的破裂等问题；同时由于塑封层一直在晶圆的正面，这就使得晶圆在背面加工的过程当中一直是厚片，可以减少破片等问题。可以减少破片等问题。可以减少破片等问题。

【技术实现步骤摘要】
Pillar)或者锡球(Solder Ball)。
[0012]在本专利技术的一个优选实施例中，所述铜柱(Cu Pillar)或者金柱(Gold Pillar)的高度范围为10
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100um。
[0013]在本专利技术的一个优选实施例中，所述锡球(Solder Ball)的直径范围为50
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400um。
[0014]在本专利技术的一个优选实施例中，所述塑封层的树脂的厚度为10
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500um；所述塑封层的树脂在研磨之后的厚度为10
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400um。
[0015]在本专利技术的一个优选实施例中，所述背面制程包括常规的晶圆减薄、离子注入、激光退火、背面金属化。
[0016]由于采用了如上的技术方案，本专利技术不需要临时键合，消除了临时键合剥离造成晶圆的破裂等问题；同时由于塑封层一直在晶圆的正面，这就使得晶圆在背面加工的过程当中一直是厚片，可以减少破片等问题。
附图说明
[0017]图1为现有Taiko制程的流程示意图。
[0018]图2为现有临时键合制程的流程示意图。
[0019]图3为本专利技术完成IGBT晶圆正面制程后的结构示意图。
[0020]图4为本专利技术在晶圆正面的集电极、栅极的压焊点上制作凸块后的结构示意图。
[0021]图5为本专利技术在晶圆的正面做晶圆级塑封形成塑封层的结构示意图。
[0022]图6为本专利技术研磨塑封层将凸块露出来的结构示意图。
[0023]图7为本专利技术完成背面制程后的晶圆结构示意图。
[0024]图8为本专利技术的IGBT的结构示意图。
具体实施方式
[0025]以下结合附图和具体实施方式来进一步描述本专利技术。
[0026]参见图3至图8，本专利技术绝缘栅双极型晶体管的制备方法，在完成IGBT晶圆正面制程后，在晶圆10正面的集电极11、栅极12的压焊点上制作凸块20(参见图3和图4)；凸块20是铜柱(Cu Pillar)、金柱(Gold Pillar)或者锡球(Solder Ball)。如果是铜柱(Cu Pillar)或者金柱(Gold Pillar)，则铜柱(Cu Pillar)或者金柱(Gold Pillar)的高度范围为10
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100um。如果是锡球(Solder Ball)，则锡球的直径范围为50
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400um。
[0027]参见图5，然后再在晶,10的正面做晶圆级塑封形成塑封层30，塑封层30的树脂的厚度为10
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500um。
[0028]参见图6，接着研磨塑封层30将之前制作的凸块20露出来；塑封层30的树脂在研磨之后的厚度为10
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400um。
[0029]参见图7，最后进行背面制程,如晶圆减薄
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离子注入
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激光退火
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背面金属化等，还包括黄光制程、刻蚀或激光钻孔，在晶圆10的背面形成P型注入层40和背面金属层50。
[0030]参见图8，最后对晶圆10进行切割，做成一个个IGBT。
[0031]或者先进行背面制程，再研磨塑封层30将之前制作的凸块20露出来。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征是：在完成IGBT晶圆正面制程后，在晶圆正面的集电极、栅极的压焊点上制作凸块；然后再在晶圆的正面做晶圆级塑封形成塑封层；接着研磨所述塑封层将之前制作的凸块露出来；最后进行背面制程；或者先进行背面制程，再研磨所述塑封层将之前制作的凸块露出来。2.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征是：所述凸块是铜柱、金柱或者锡球。3.如权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征是：所述铜柱或者金柱的高度范围为10
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄平，鲍利华，顾海颖，
申请(专利权)人：上海朕芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：