一种芯片植球方法技术

本发明专利技术的目的在于，提供一种芯片植球方法，去除锡球的过程采用铜纤维导热配合有机助焊剂，可以将锡球均匀加热熔融，并吸附至铜纤维上；一种芯片植球方法，包括以下步骤：S1：采用铜纤维热传导配合有机助焊剂去除原有锡球；S2：去除基板上的所有锡球，使基板恢复平整；S3：使用治具进行锡球分布；S4：使用低温加热台进行加热熔融后使锡球焊接在芯片上；本发明专利技术的有益效果为：去除锡球的过程采用铜纤维导热配合有机助焊剂，可以将锡球均匀加热熔融，并吸附至铜纤维上。附至铜纤维上。附至铜纤维上。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片植球方法


[0001]本专利技术关于芯片植球技术，具体的讲是一种芯片植球方法。

技术介绍

[0002]现今生产的细间距球栅阵列芯片(以下简称芯片)在面临拆解分析或维修时，没有稳定有效的方式进行重新植球。由于从模组上拆解下的芯片球不再完整，需要重新植球才能恢复使用。现有的植球方式为人工将锡球放置与需要的点位，此方法成功率过低，作业时间也过长。
[0003]已公开中国技术专利，公开号：CN103855041B，专利名称：一种芯片植球装置及方法，申请日：20121206，其公开了一种芯片植球装置及方法，该芯片植球装置包括：上壳体、钢网及下壳体；下壳体设有用于容置所述上壳体和钢网的壳体定位槽，壳体定位槽底部设有用于放置芯片的芯片定位槽；上壳体设有芯片刮锡槽；钢网设置于所述上壳体与下壳体之间，钢网具有弧面并设有多个钢网圆孔。本专利技术不采用成品锡球，而是利用在钢网上刮锡膏的方式，采用本方案综合成本低、置球效率高。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于，提供一种芯片植球方法，去除锡球的过程采用铜纤维导热配合有机助焊剂，可以将锡球均匀加热熔融，并吸附至铜纤维上。
[0005]一种芯片植球方法，包括以下步骤：
[0006]S1：采用铜纤维热传导配合有机助焊剂去除原有锡球；
[0007]S2：去除基板上的所有锡球，使基板恢复平整；
[0008]S3：使用治具进行锡球分布；
[0009]S4：使用低温加热台进行加热熔融后使锡球焊接在芯片上。
[0010]一种植球装置，包括：基座1和栅格顶板2；
[0011]所述基座1包括底板11和放置台12，所述放置台12设置在所述底板11上；所述放置台12包括有与所述栅格顶板2配合的凸起121，所述放置台12还包括有夹取缺口122；
[0012]所述栅格顶板2设置有与放置台12上的凸起121配合的凹槽21；还设置有导流槽22。
[0013]本专利技术的有益效果为：去除锡球的过程采用铜纤维导热配合有机助焊剂，可以将锡球均匀加热熔融，并吸附至铜纤维上。以此可以确保芯片基板的光滑平整，为后续统一植球做好准备。
[0014]开发并制造植球治具，治具顶板上设有与芯片锡球形状，分布一致的通孔及凹槽。将芯片需要植球的面朝上放置在治具基座上之后，将顶板扣于基板上，固定好，将锡球倒入顶板凹槽中，锡球会从顶板栅格通孔中自动置于芯片接触点上。
[0015]将锡球已经放置妥当的芯片放置到加热台上，由于加热台是缓慢加热，半熔融状态的锡球与芯片通过金属的分子键力会将锡球精准得拉至锡球点位。若在熔融过程中，锡
球发生错位，可及时将锡球全部擦除，不会产生残留或损坏。
附图说明
[0016]图1为基座结构俯视图；
[0017]图2为基座主视图；
[0018]图3为栅格结构示意图；
[0019]图中，
[0020]1、基座，11、底板，12、放置台，121、凸起，122、夹取缺口；2、栅格顶板，21、凹槽，22、导流槽。
具体实施方式
[0021]下面结合附图对本实用进行详细描述，本部分的描述仅是示范性和解释性，不应对本专利技术的保护范围有任何的限制作用。
[0022]本专利技术提供一种芯片植球方法，包括以下步骤：
[0023]S1：采用铜纤维热传导配合有机助焊剂去除原有锡球；
[0024]S2：经过回流焊摘取的锡球形状可能出现差异，为确保后续操作方便，去除基板上的所有锡球，使基板恢复平整；
[0025]S3：使用治具进行锡球分布；
[0026]一种植球装置，包括：基座1和栅格顶板2；
[0027]所述基座1包括底板11和放置台12，所述放置台12设置在所述底板11上；所述放置台12包括有与所述栅格顶板2配合的凸起121，所述放置台12还包括有夹取缺口122；
[0028]所述栅格顶板2设置有与放置台12上的凸起121配合的凹槽21；还设置有导流槽22。
[0029]治具分为基座，栅格顶板两个部分。基座又分为底板跟放置台，放置台凸起设置用于固定顶板，同时放置台设计有夹取缺口。栅格顶板有凹槽用于与放置台契合，栅格与芯片锡球布局相同，同时栅格留有导流槽。
[0030]S4：使用低温加热台进行加热熔融后使锡球焊接在芯片上。
[0031]使用低温加热确保芯片不至于过热，也能使锡球熔融过程可控，不至于过快或过慢。
[0032]需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0033]以上所述的本专利技术实施方式，并不构成对本专利技术保护范围的限定。任何在本专利技术的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本专利技术的权利要求保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片植球方法，包括以下步骤：S1：采用铜纤维热传导配合有机助焊剂去除原有锡球；S2：去除基板上的所有锡球，使基板恢复平整；S3：使用治具进行锡球分布；S4：使用低温加热台进行加热熔融后使锡球焊接在芯片上。2.一种芯片植球装置，包括：基座(1)和栅格顶板(2)；其特征在于：所述基座(1)包括底...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵腾俊，刘欣，
申请(专利权)人：海太半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：