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本发明提出一种新的自对准结构的功率Trench MOSFET，其Trench槽和接触孔(接触沟槽)由一张掩模版确定，能极大地缩小Trench Pitch的间距(即相邻Trench槽之间的间距)。Pitch的间距(即相邻Trench槽之间的间...
该专利属于上海朕芯微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海朕芯微电子科技有限公司授权不得商用。

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