制造芯片封装基板的方法和制造芯片封装的方法技术

提供一种芯片封装基板和制造芯片封装的方法，该芯片封装基板包括：其上形成有过孔的绝缘层；形成在绝缘层的一个表面上的电路图案层；以及形成在电路图案层的一个表面上的镀覆层，其中，镀覆层包括：形成在电路图案层的所述一个表面上的Ni层；形成在Ni层上的合金层；以及形成在合金层上的Au层。根据本发明专利技术，在镀覆层中，具有高的材料成本的Au层的厚度减小。由此，有利于Au的使用量减少，从而使得产品的总生产成本降低。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】提供一种芯片封装基板和制造芯片封装的方法，该芯片封装基板包括：其上形成有过孔的绝缘层；形成在绝缘层的一个表面上的电路图案层；以及形成在电路图案层的一个表面上的镀覆层，其中，镀覆层包括：形成在电路图案层的所述一个表面上的Ni层；形成在Ni层上的合金层；以及形成在合金层上的Au层。根据本专利技术，在镀覆层中，具有高的材料成本的Au层的厚度减小。由此，有利于Au的使用量减少，从而使得产品的总生产成本降低。【专利说明】
本专利技术涉及芯片封装的
，更具体地，涉及制造芯片封装基板的技术。
技术介绍
已在稳步开发涉及半导体或光学器件封装的技术以满足对高致密化、小型化和高 性能的需求。然而，因为该技术已相对落后于用于制造半导体的技术，所以最近已在尝试通 过开发涉及封装的技术来解决对高性能、小型化和高致密化的需求。 关于半导体/光学器件封装，使用引线接合法或芯片上引线（lead on chip，L0C) 接合法在基板上接合硅芯片或发光二极管（LED)芯片、智能1C芯片等。 图1示出了通用智能1C芯片封装的横截面图。 参照图1，通用智能1C芯片封装包括：绝缘层10 ;形成在绝缘层的一个表面上的 电路图案层20 ;以及1C芯片30。 1C芯片30使用导线40电连接至电路图案层20。1C芯片30和导线40通过由环 氧树脂等构成的模制部件50模制。如图1所示，模制部件50形成在绝缘层10上。此处， 电路图案层20的施用有模制树脂的一个表面成为接合区。电路图案层20的另一表面成为 接触区。另外，在电路图案层30的接触区中形成有镀覆层60。 镀覆层60通过Ni-Au镀覆法形成。已将Ni和Au用作防止腐蚀或其他化学侵 蚀的保护性阻挡金属以及用于确保半导体和芯片封装座事业圈（chip carrier business circle)的功能性的精整材料（finishing material)。由此，形成在电路图案层的接触区中 的镀覆层60正好形成在电路图案层30上，并且包括由Ni构成的Ni层62,和形成在Ni层 上的Au层64。镀覆层60通过Ni-Au镀覆法形成。 然而，现有电解Ni-Au镀覆具有要求硬度的质量特征，并且随着金价上涨，镀覆成 本占现有智能1C芯片封装的生产成本的超过30%。
技术实现思路
技术问题 已针对以上问题做出本专利技术。本专利技术的一个方面提供了一种智能1C芯片封装及 其制造方法，该方法使得生产成本能够降低。 问题的解决方案 根据本专利技术的一个方面，提供了一种芯片封装基板，其包括：其上形成有过孔的绝 缘层；形成在绝缘层的一个表面上的电路图案层；以及形成在电路图案层的一个表面上的 镀覆层，其中，该镀覆层包括：形成在电路图案层的所述一个表面上的Ni层；形成在镍层上 的合金层；以及形成在合金层上的Au层。 合金层可以由Ni-P-B三种元素的合金形成。 合金层的厚度可以为0· 5±0· 2 μ m，并且Au层的厚度可以为0· 05±0· 02 μ m。 绝缘层可以由聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯形成。 芯片封装基板还可以包括下粘合层，该下粘合层位于绝缘层与电路图案层之间并 且将电路图案层接合至绝缘层。 下粘合层可以由粘合片或接合片形成。 芯片封装基板还可以包括形成在电路图案层的另一表面上的另一镀覆层。 电路图案层的所述一个表面可以是芯片封装的接触表面，并且电路图案层的所述 另一表面可以是芯片封装的接合表面。 电路图案层的所述一个表面可以是与电路图案层的相邻于绝缘层的表面相反的 表面。 另外，根据本专利技术的另一方面，提供了一种制造芯片封装基板的方法，该方法包 括：在绝缘层上形成过孔；在绝缘层的一个表面上形成电路图案层；以及在电路图案层的 一个表面上形成镀覆层，其中，形成镀覆层包括：在电路图案层的所述一个表面上形成Ni 层；在Ni层上形成合金层；以及在合金层上形成Au层。 制造芯片封装基板的方法还可以包括在形成电路图案层之前在绝缘层的一个表 面上形成下粘合层。 形成电路图案层可以包括：在下粘合层上形成金属层；以及通过对金属层进行蚀 刻来形成电路图案。 金属层的材料可以是Cu。 制造芯片封装基板的方法还可以包括在电路图案层的另一表面上形成另一镀覆 层。 本专利技术的有益效果 根据本专利技术，在芯片封装基板中，由于在智能1C封装中在形成在电路图案层上的 镀覆层的Ni层与Au层之间添加有Ni-P-B三种元素的合金层，所以硬度增加高达两倍并且 Au层的镀覆厚度减小。由此，在根据本专利技术的镀覆层中，具有高的材料成本的Au层的厚度 减小。由此，有利于Au的使用量减少，从而使得产品的总生产成本降低。 此外，根据本专利技术，有利的是由于可以提高在制造芯片封装时绝缘膜与模制树脂 之间的粘合强度，所以可以提高芯片封装的可靠性和耐用性。此外，根据本专利技术，由于芯片 封装使用绝缘膜制成，所以可以另外提供产品可以变得更轻、更小、更薄和简单化的效果。 【专利附图】【附图说明】 包括附图以提供对本专利技术的进一步理解，并且附图并入本说明书中并构成本说明 书的一部分，附图示出了本专利技术的示例性实施方案，并且附图和描述一起用于说明本专利技术 的原理。在附图中： 图1示出了通用智能1C芯片封装的横截面图。 图2是示出了制造根据本专利技术的芯片封装基板的方法的流程的流程图。 图3a和图3b示出了示意性示出制造根据本专利技术的示例性实施方案的芯片封装的 方法的工序的示例性工序图。 图4示出了根据本专利技术另一示例性实施方案的芯片封装基板的横截面图。 图5是示出了根据本专利技术的优选示例性实施方案的镀覆层的结构的图。 图6是示出了关于根据常规技术的和本专利技术的镀覆层的硬度测试的结果的图。 【具体实施方式】 现在将参照附图在下文中更加全面地描述根据本专利技术的示例性实施方案。然而， 本专利技术的示例性实施方案可以具体化为许多不同的形式，并且不应被理解为限于本文中阐 述的实施方案。更确切地，提供这些示例实施方案使得本公开透彻和完整，并且将向本领域 技术人员全面地传达本专利技术的范围。此外，当确定有关公知的相关功能或构造的具体描述 可以无需伴随本专利技术的主要观点时，省略相应的描述。还应理解的是，本文中使用的术语应 被理解为意思与其在本说明书的上下文中的意思一致。在整个说明书中，关于执行相似功 能和操作的元件，相同的附图标记指代相同的元件。 图2是示出了制造根据本专利技术的芯片封装基板的方法的流程的流程图。 参照图2,制造芯片封装基板的方法可以包括：生产由依次层叠绝缘层、粘合层以 及铜箔层的结构构成的柔性覆铜板（FCCL)膜（S1);对柔性覆铜层叠膜的铜箔层进行蚀刻 以将其去除（S3);通过在绝缘层的下部中形成下粘合层来生产基材（S5);在基材上形成过 孔（S7);在基材的下部中形成电路图案层（S9);以及在电路图案层上形成镀覆层。形成根 据本专利技术的镀覆层包括：在电路图案层上形成Ni层（S11);在Ni层上形成合金层（S13); 以及在合金层上形成Au层（S15)。 下文中，将参照图3a和图3b来描述对每个步骤的详本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片封装基板，包括：其上形成有过孔的绝缘层；形成在所述绝缘层的一个表面上的电路图案层；和形成在所述电路图案层的一个表面上的镀覆层，其中，所述镀覆层包括形成在所述电路图案层的所述一个表面上的Ni层、形成在所述Ni层上的合金层以及形成在所述合金层上的Au层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：金弘壹，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR