发光器件、发光器件制造方法、发光器件封装和照明系统技术方案

技术编号:10802350 阅读:93 留言:0更新日期:2014-12-24 09:51
根据一个实施方案的发光器件包括:导电支撑衬底;在所述导电支撑衬底上接合层;在所述接合层上的反射层;在所述反射层上的欧姆接触层;在所述欧姆接触层上的电流阻挡层;在所述接合层上的周边部分处的保护层;在所述电流阻挡层、所述欧姆接触层和所述保护层上的发光结构层;以及在所述发光结构层上与所述电流阻挡层和所述保护层至少部分交叠的电极,其中所述保护层由导电率低于所述欧姆接触层或所述反射层的材料、电绝缘材料或与所述发光结构层肖特基接触的材料制成。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】根据一个实施方案的发光器件包括:导电支撑衬底;在所述导电支撑衬底上接合层;在所述接合层上的反射层;在所述反射层上的欧姆接触层;在所述欧姆接触层上的电流阻挡层;在所述接合层上的周边部分处的保护层;在所述电流阻挡层、所述欧姆接触层和所述保护层上的发光结构层;以及在所述发光结构层上与所述电流阻挡层和所述保护层至少部分交叠的电极,其中所述保护层由导电率低于所述欧姆接触层或所述反射层的材料、电绝缘材料或与所述发光结构层肖特基接触的材料制成。【专利说明】发光器件、发光器件制造方法、发光器件封装和照明系统本申请是申请日为2010年12月09日、申请号为201010591857.7、专利技术名称为“发光器件、发光器件制造方法、发光器件封装和照明系统”之申请的分案申请。本申请要求2009年12月9日提交的韩国专利申请10-2009-0121739、10-2009-0121740以及2010年2月3日提交的韩国专利申请10-2010-0010048的优先权。在此通过引用将其全部内容并入本文。
实施方案涉及发光器件、发光器件制造方法、发光器件封装和照明系统。
技术介绍
发光二极管(LED)是一种将电能转化为光的半导体器件。与相关技术的诸如荧光灯和白炽电灯的光源相比,发光二极管的优势在于低电耗、半永久性的寿命、高的响应速度、安全和环境友好的特征。 已经进行了许多研究来利用发光二极管替代相关技术的光源,发光二极管越来越多地用作建筑物内外使用的各种灯、液晶显示器、电子布告牌、路灯等的光源。
技术实现思路
实施方案提供具有新结构的发光器件、发光器件制造方法、发光器件封装和照明系统。 实施方案提供具有降低的操作电压的发光器件、发光器件制造方法、发光器件封装和照明系统。 实施方案提供具有改善的发光效率的发光器件、发光器件制造方法、发光器件封装和照明系统。 根据一个实施方案的发光器件包括:导电支撑衬底;在导电支撑衬底上的接合层;在接合层上的反射层;在反射层上的欧姆接触层;在欧姆接触层上的电流阻挡层;在接合层上的周边部分处的保护层;在电流阻挡层、欧姆接触层和保护层上的发光结构层;和在发光结构层上的电极,所述电极与电流阻挡层和保护层至少部分交叠,其中所述保护层由导电率低于反射层或欧姆接触层的材料、电绝缘材料或与发光结构层肖特基接触的材料制成。 根据另一实施方案的发光器件包括:导电支撑衬底;在导电支撑衬底上的发光结构层;设置在导电支撑衬底上的周边部分处以及部分设置在导电支撑衬底和发光结构层之间的导电保护层;和设置在发光结构层上并与导电保护层至少部分交叠的电极,其中发光结构层具有倾斜的侧面,并且所述倾斜的侧面与导电保护层交叠。 根据另一实施方案的发光器件包括:导电支撑衬底;在导电支撑衬底上的发光结构层;设置在导电支撑衬底上的周边部分处以及部分设置在导电支撑衬底和发光结构层之间的保护层;和在发光结构层上的与保护层部分交叠的电极,其中所述电极包括外电极、设置在外电极内部并将外电极的第一部和第二部连接的内电极、以及与外电极连接的垫单 J Li ο 【专利附图】【附图说明】 图1为说明根据第一实施方案的发光器件的视图; 图2?10为说明制造根据本专利技术实施方案的发光器件的方法的视图; 图11为说明根据第二实施方案的发光器件的视图; 图12为说明根据第三实施方案的发光器件的视图; 图13是显示在根据本专利技术一个实施方案的发光器件中的平面形电极的视图; 图14是显示在根据本专利技术一个实施方案的发光器件中的平面形电极的另一实例的视图; 图15是显示在根据本专利技术一个实施方案的发光器件中的平面形电极的另一实例的视图; 图16是显示在根据本专利技术一个实施方案的发光器件中的平面形电极的另一实例的视图; 图17是显示在根据本专利技术一个实施方案的发光器件中的平面形电极的另一实例的视图; 图18是显示根据本专利技术一个对比实施方案的电极的视图; 图19是显示图15中说明的电极的视图; 图20是包括图13中所示实施方案电极的发光器件与包括图18中所示对比实施方案电极的发光器件的光输出比较图; 图21为包括根据本专利技术一个实施方案的发光器件的发光器件封装的横截面图; 图22为说明包括根据本专利技术一个实施方案的发光器件或发光器件封装的背光单兀的视图; 图23为说明包括根据本专利技术一个实施方案的发光器件或发光器件封装的照明单元的视图。 【具体实施方式】 应理解:在本专利技术实施方案的描述中,当要素例如层(膜)、区域、图案或结构称为在另一衬底、层(膜)、区域或图案“上”或“下”时,其可“直接地”在其它要素“上”或“下”,或者可“间接地”在其它要素“上”或“下”(中间存在其它要素)。可参考附图限定各层的“上”或“下”。 为了描述方便和清楚,在附图中,可将各层的厚度或尺寸进行放大、省略或示意性地显示。此外,各构件的尺寸未完全表示实际尺寸。 以下将参考附图描述根据本专利技术实施方案的发光器件、发光器件制造方法、发光器件封装和照明系统。 图1为说明根据第一实施方案的发光器件的视图; 参考图1,根据本专利技术第一实施方案的发光器件100包括:导电支撑衬底175、在导电支撑衬底175上的接合层170、在接合层170上的反射层160、在反射层160上的欧姆接触层150、在接合层170上的周边部分处的保护层140、在欧姆接触层150和保护层140上的产生光的发光结构层135、以及在发光结构层135上的电极115。 导电支撑衬底175支撑发光结构层135和与电极115—起对发光结构层135供电。 例如,导电支撑衬底175可包括Cu、Au、N1、Mo、Cu-W和载体晶片(例如S1、Ge、GaAs、ZnO, SiC, GaN, Ga2O3)中的至少之一。 在导电支撑衬底175上可形成接合层170。 接合层170在反射层160和保护层140下形成。接合层170与反射层160、欧姆接触层150和保护层140接触,使得反射层160、欧姆接触层150和保护层140与导电支撑衬底175接合。 形成接合层170以与导电支撑衬底175接合。 因此,当镀覆或者沉积导电支撑衬底175时,不是必须形成接合层170,这样接合层170可选择性地形成。 接合层170包括阻挡金属或接合金属,例如可包括T1、Au、Sn、N1、Cr、Ga、In、B1、Cu、Ag和Ta中的至少之一。 在接合层170上可形成反射层160。反射层160可通过将来自发光结构层135的入射光反射来改善光提取效率。 反射层160 可例如由包括 Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au 和 Hf 中的至少之一的金属或合金制成。此外,反射层160可使用金属或合金和透光导电材料例如ΙΖ0、ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZO、IGTO、AZO和ATO形成为多层,提供反射层160以提高发光效率,反射层160并非必须形成。 在反射层160上可形成欧姆接触层150。欧姆接触层150与第二导电的半导体层130欧姆接触,使得对发光结构层135平稳供电,并且可包括ΙΤΟ、ΙΖΟ、ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZ0、IGTO、AZO和ATO中的至少任意一种。 S卩,欧姆接本文档来自技高网...
发光器件、发光器件制造方法、发光器件封装和照明系统

【技术保护点】
一种发光器件,包括:导电支撑衬底;发光结构层,所述发光结构层在所述导电支撑衬底上并且具有倾斜的侧面;保护层,所述保护层设置在所述导电支撑衬底上的周边部分处并部分地设置在所述导电支撑衬底和所述发光结构层之间;和在所述导电支撑衬底上的与所述保护层至少部分交叠的电极,其中所述电极包括外部电极、设置在所述外部电极内部的并连接所述外部电极的第一部分和第二部分的内部电极、以及连接至所述外部电极的垫单元,并且其中所述发光结构层的所述倾斜的侧面与所述保护层至少部分交叠。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:丁焕熙李尚烈宋俊午崔光基
申请(专利权)人:LG伊诺特有限公司
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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