具有高效率反射结构的发光元件制造技术

本发明专利技术公开一种具有高效率反射结构的发光元件，其包含一反射层；一第一透光层，位于反射层之上；一发光叠层，包含一主动层，位于该第一透光层之上；以及一孔洞，形成于该第一透光层之中。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开一种具有高效率反射结构的发光元件，其包含一反射层；一第一透光层，位于反射层之上；一发光叠层，包含一主动层，位于该第一透光层之上；以及一孔洞，形成于该第一透光层之中。【专利说明】具有高效率反射结构的发光元件
本专利技术涉及一种发光元件，特别是涉及一种具有高效率反射结构的发光元件。
技术介绍
光电元件，例如发光二极管（Light-emitting Diode ;LED),目前已经广泛地使用 在光学显示装置、交通号志、数据存储装置、通讯装置、照明装置与医疗器材上。此外，上述 的LED可与其他元件组合连接以形成一发光装置。图1为现有的发光装置结构示意图，如图 1所示，一发光装置1包含一具有一电路14的次载体（submount) 12 ;-焊料16 (solder)位 于上述次载体12上，通过此焊料16将LED11固定于次载体12上并使LED11与次载体12上 的电路14形成电连接；以及一电连接结构18,以电连接LED11的电极15与次载体12上的 电路14 ;其中，上述的次载体12可以是导线架（lead frame)或大尺寸镶嵌基底（mounting substrate)〇
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种发光兀件，其具有一反射层；一第一透光层，位 于反射层之上；一发光叠层，包含一主动层，位于第一透光层之上；以及一孔洞，形成于该 第一透光层之中。 本专利技术还提供一种发光元件，具有一反射层；一第一透光层，位于反射层之上；一 窗户层，具有一粗化下表面，位于第一透光层之上；一发光叠层，包含一主动层，位于窗户层 之上；以及一孔洞，形成于该第一透光层之中。 【专利附图】【附图说明】 图1为现有的发光装置结构示意图； 图2绘示本专利技术一实施例的发光元件的剖面示意图； 图3绘示本专利技术另一实施例的发光元件的剖面示意图； 图4绘示图3的实施例的第二透光层的材料沉积方向示意图； 图5绘示本专利技术另一实施例的发光元件的剖面示意图； 图6为本专利技术一实施例的灯泡分解示意图。 符号说明 1 发光装置 11 LED 12 次载体 13、20、50 基板 14 电路 15、56 电极 16 焊料 18 电连接结构 2、3、40、5 发光元件 21 第一电极 22 粘结层 23 第二电极 24、54 反射结构 241、543 凸部 242、544 反射层 243、545 凹部 244,542 第一透光层 245、30、547 孔洞 246第二透光层 247 第一下表面 248,540 窗户层 26 发光叠层 261、541 粗化上表面 262、522第一半导体层 263 粗化下表面 264、524 主动层 265 平坦部 266、526第二半导体层 32 导电部 41 灯罩 42 透镜 43 载体 44 照明模块 45 灯座 46 散热槽 47 连结部 48 电连结器 51 第一接触层 53 第二接触层 546 第一绝缘层 548第三透光层 549 通道 562第一导电层 564第二导电层 h 高度 t 厚度 【具体实施方式】 本专利技术的实施例会被详细地描述，并且绘制于附图中，相同或类似的部分会以相 同的号码在各附图以及说明出现。 图2为本专利技术一实施例的发光兀件的剖面图。如图2所不，一发光兀件2具有一 基板20 ; -粘结层22,位于基板20之上；一反射结构24,位于粘结层22之上；一发光叠层 26,位于反射结构24之上；一第一电极21，位于基板20之下；以及一第二电极23,位于发 光叠层26之上。发光叠层26具有一第一半导体层262,位于反射结构24之上；一主动层 264,位于第一半导体层262之上；以及一第二半导体层266,位于主动层264之上。 第一电极21及/或第二电极23用以接受外部电压，可由透明导电材料或金属 材料所构成。透明导电材料包含但不限于氧化铟锡（ΙΤ0)、氧化铟（InO)、氧化锡（SnO)、 氧化镉锡（CTO)、氧化锑锡（ΑΤΟ)、氧化铝锌（ΑΖ0)、氧化锌锡（ΖΤ0)、氧化镓锌（GZ0)、氧化 锌（ΖηΟ)、磷化镓（GaP)、氧化铟锌（ΙΖ0)、类钻碳薄膜（DLC)、氧化铟镓（IG0)、氧化镓铝锌 (GAZ0)或上述材料的化合物。金属材料包含但不限于铝（A1)、铬（Cr)、铜（Cu)、锡（Sn)、 金（Au)、镍（Ni)、钛（Ti)、钼（Pt)、铅（Pb)、锌（Zn)、镉（Cd)、锑（Sb)、钴（Co)或上述材料 的合金等。 发光叠层26具有一粗化上表面261与一粗化下表面263,可降低全反射的机率，提 高出光效率。粗化上表面具有一平坦部265,第二电极23可位于平坦部265之上，提升第 二电极23与发光叠层26之间的粘着性，降低第二电极23因后续制作工艺，例如打线，而自 发光叠层26上剥离的机率。发光叠层26的材料可为半导体材料，包含一种以上的兀素，此 元素可选自镓（Ga)、铝（A1)、铟（In)、磷（P)、氮（N)、锌（Zn)、镉（Cd)与硒（Se)所构成的 群组。第一半导体层262与第二半导体层266的电性相异，用以产生电子或空穴。主动层 124可发出一种或多种色光，可为可见光或不可见光，其结构可为单异质结构、双异质结构、 双侧双异质结构、多层量子井或量子点。 反射结构24自粘结层22往发光叠层26的方向具有一反射层242、一第一透光层 244与一窗户层248。窗户层248具有一粗化下表面，粗化下表面具有多个凸部241与凹部 243。其中，粗化下表面还具有一平坦部位于第二电极23的正下方，用以与第一透光层244 形成欧姆接触。至少一孔洞245形成于第一透光层244之中，孔洞245可自窗户层248的粗 化下表面向下延伸至反射层242。另一实施例中，孔洞245可自凸部241向下延伸至反射层 242。其中，孔洞245的折射率小于窗户层248与第一透光层244的折射率。由于孔洞245 的折射率小于窗户层248与第一透光层244的折射率，窗户层248与孔洞245之间界面的 临界角小于窗户层248与第一透光层244之间界面的临界角，所以发光叠层26所发的光射 向孔洞245后，在窗户层248与孔洞245之间的界面形成全反射的机率增加。此外，原本在 窗户层248与第一透光层244界面未形成全反射而进入第一透光层244之光，在第一透光 层244与孔洞245之间的界面也会形成全反射，因而提升发光元件2的出光效率。孔洞245 由剖面图观之可以为上宽下窄的漏斗状。反射结构24可还包含一第二透光层246,第二透 光层246位于部分第一透光层244与窗户层248之间，以增加第一透光层244与窗户层248 之间的欧姆接触。另一实施例中，第二透光层246可具有孔洞245,其中孔洞245的折射率 小于窗户层248与第二透光层246的折射率。由于孔洞245的折射率小于窗户层248与第 二透光层246的折射率，第二透光层246与孔洞245之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件，包含︰反射层；第一透光层，位于该反射层之上；发光叠层，包含一主动层，位于该第一透光层之上；以及孔洞，形成于该第一透光层之中。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：廖文禄，吕绍平，郑鸿达，陈世益，许嘉良，魏守勤，林敬倍，彭钰仁，黄建富，陈威佑，张峻贤，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71