再剥离粘合剂组合物、粘合片及电子部件的切断加工方法技术

本发明专利技术提供再剥离粘合剂组合物、粘合片及电子部件的切断加工方法。本发明专利技术要解决的问题在于在芯片的切断工序中，即使在切断后也能够充分固定芯片，防止切断时的芯片飞散等而提高芯片切断时的成品率。一种再剥离粘合剂组合物，其含有丙烯酸类共聚物(A)和交联剂(B)，构成所述丙烯酸类共聚物(A)的单体成分至少包括：烷基的碳数为4以下的(甲基)丙烯酸烷基酯(a)，均聚物的玻璃化转变温度(Tg)为80℃以上的共聚单体(b)，以及具有可与交联剂(B)反应的官能团的单体(c)，相对于单体成分总量，所述(甲基)丙烯酸烷基酯(a)的比例为50重量％以上。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供。本专利技术要解决的问题在于在芯片的切断工序中，即使在切断后也能够充分固定芯片，防止切断时的芯片飞散等而提高芯片切断时的成品率。一种再剥离粘合剂组合物，其含有丙烯酸类共聚物(A)和交联剂(B)，构成所述丙烯酸类共聚物(A)的单体成分至少包括：烷基的碳数为4以下的(甲基)丙烯酸烷基酯(a)，均聚物的玻璃化转变温度(Tg)为80℃以上的共聚单体(b)，以及具有可与交联剂(B)反应的官能团的单体(c)，相对于单体成分总量，所述(甲基)丙烯酸烷基酯(a)的比例为50重量％以上。【专利说明】
本专利技术涉及再剥离粘合剂组合物、用该再剥离粘合剂组合物制作的粘合片以及使用了该粘合片的电子部件的切断加工方法。
技术介绍
在半导体等领域，晶圆不断向大口径化(450mm)、薄型化(100μπι以下)发展，并且对LED等需要注意操作的化合物半导体的需求大幅增加。 此外，近年来，电子部件向小型化、精密化发展，例如，陶瓷电容器中，以0603(0.6mmX0.3mm)尺寸、0402 (0.4mmX0.2mm)尺寸为代表的大小连Imm都不到的小型化、基于远远超过数百层的高层叠化的高容量化越专利技术显。 伴随这种小型化、精密化，特别是陶瓷电容器等陶瓷的烧成前片(坯片)越发要求加工时的高精度。 陶瓷电容器例如通过以下工序制造。 (I)对坯片的内部电极印刷工序 (2)层叠工序 (3)加压工序(加压压制工序) (4)切断工序 (5)烧成工序 (层叠工序(2)和加压工序(3)重复规定次数后，进入切断工序(4)) 在这种工序中，作为所要求的精度，例如可列举出:对坯片的内部电极印刷工序 (I)中内部电极印刷的精度等，层叠工序(2)中电极对位的精度等，加压工序(3)中防止因加压导致坯片变形、电极位置产生偏移所引起的电极位置偏移的精度等，作为在制造时应特别注意的点，可举出切断工序(4)中基于切断的精度等。而且，这些工序中只要有一个工序的精度差，所得产品就会成为次品，随之生产率会大幅降低。 这些工序当中，对坯片的内部电极印刷工序(I)、层叠工序(2)和切断工序⑷要求机械精度，因此可以通过改良装置、提高精度来进行应对。 进而，在工序(4)的切断工序中，为了提高切断精度，广泛使用着热剥离性粘合片。由此，虽然切断时能够牢固地固定坯片，但切断工序后粘合力因加热而消失，可以简单地将已切断的陶瓷电容器从片上剥离。 然而，近年来，为了提高切断加工时的切断精度，特别是压切加工时在通过加温使坯片变软了的状态进行压切的工法变得广泛使用。 于是，随之，对于热剥离型粘合片，变得要求即使在高温气氛下也具有更高的坯片保持性。 然而，迄今的胶带有在高温气氛下的坯片保持性与常温相比大幅变差的倾向，在高温压切加工中无法获得充分的坯片保持性，存在产生芯片飞散、芯片偏移的情况。因此，小型、高集成且高容量的芯片加工变得困难。 与此相对，由于存在将增粘树脂添加到粘合剂中来提闻粘合力、提闻被加工体对粘合剂的保持性的方法，因此根据该方法通过添加增粘剂来增大粘合力，实现了抑制芯片飞散。然而，芯片飞散频率虽略有减少，但未能达到飞跃性的改善。进一步增加增粘剂的添加量来增大粘合力时，剥离芯片时，由于粘合剂层残留有足够强的粘合力，结果导致剥离困难。 为了消除这种现象，如专利文献I中所记载，使用非热膨胀性的剥离性的临时固定片来切断坯片的手段是公知的，此外，如专利文献2中所记载，设置有含有热膨胀性微球和层状硅酸盐的热膨胀性粘合剂层的热剥离型粘合片也是公知的。 然而，这些公知的手段并未使粘合剂自身的加热时的芯片的保持特性变良好。 此外，在半导体领域中，对LED等化合物半导体的需求快速增长，化合物半导体在很小的冲击下即容易破损，在对晶圆进行薄层化时的背面研磨、进行芯片化时的切割工序等加工时需要非常小心。 现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特开2012-52038号公报 专利文献2:日本特开2008-266455号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题 现有的热剥离粘合片和带无法充分解决由切断时的高温气氛下的粘合性不足导致的所谓的“芯片飞散”等所引起的成品率降低。 同样，例如在半导体晶圆的切割时，切割刀片因摩擦而变高温、并且粘合剂也变高温，由此导致对于芯片的保持性而言重要的粘合片的剪切粘接力降低而存在产生“芯片飞散”、“芯片缺损”的情况。 为了解决这些问题，例如采用了使丙烯酸类共聚物与丙烯酸等具有官能团的单体共聚等来提高与芯片部件的粘接性的手段。然而，在增强了粘合剂的粘接力时，一部分被粘物存在在进行剥离时会变得无法再剥离的情况。 此外，也可以添加增粘剂(增粘树脂)来提高粘接性。然而，根据粘合剂的种类，也存在有与粘合剂的相容性差的增粘剂的情况，该情况下有时反而粘接性会降低。因此增粘剂需要严格选择。 本专利技术的课题在于在芯片的切断工序中，即使在切断后也能够充分固定芯片，防止切断时的芯片飞散等而提闻芯片的切断时的成品率。 用于解决问题的方案 本申请专利技术人等为了解决上述现有的问题而进行了深入研究，结果发现，含有特定的丙烯酸类共聚物(A)和交联剂(B)的组合物可解决上述课题，从而完成了本专利技术。即本专利技术提供以下的再剥离粘合剂组合物、使用其的再剥离粘合片以及电子部件的切断加工方法。 本专利技术的再剥离粘合剂组合物是含有丙烯酸类共聚物(A)和交联剂(B)的再剥离粘合剂组合物， 构成前述丙烯酸类共聚物(A)的单体成分至少包括:烷基的碳数为4以下的(甲基)丙烯酸烷基酯(a)，均聚物的玻璃化转变温度(Tg)为80°C以上的共聚单体(b)，以及具有可与交联剂(B)反应的官能团的单体(C)， 相对于单体成分总量，前述(甲基)丙烯酸烷基酯(a)的比例为50重量％以上。 优选相对于构成前述丙烯酸类共聚物(A)的单体成分总量，前述共聚单体(b)的比例为I~20重量％,前述单体(c)的比例为0.1~10重量％。 此外，优选前述单体(C)为含羧基单体、含羰基单体、含羟基单体、和含缩水甘油基单体中的至少I种。 此外，优选前述共聚单体(b)为甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈、(甲基)丙烯酸异冰片酯、N, N- 二甲基丙烯酰胺和N-丙烯酰吗啉中的至少I种。 本专利技术的再剥离粘合剂组合物可以还含有增粘剂。 前述增粘剂优选为羟值为70K0Hmg/g以上的萜烯酚醛树脂。 本专利技术的再剥离粘合剂组合物可以还含有发泡剂。 本专利技术的再剥离粘合剂组合物优选相对于再剥离粘合剂组合物总量，再剥离粘合剂组合物溶解在甲苯中的成分当中重均分子量为I万以下的溶解成分的比例为40%以下。 此外，本专利技术的再剥离粘合片具有由本专利技术的再剥离粘合剂组合物形成的再剥离粘合剂层。 本专利技术的再剥离粘合片优选在23°C下的剪切粘接力为10N/25mmX25mm以上。 前述再剥离粘合片优选具有基材和在基材的至少单侧的由再剥离粘合剂组合物形成的再剥离粘合剂层。 另外，可以在基材的至少单侧直接设置前述再剥离粘合剂层。 此外，可以在基材的至少单侧夹着底涂剂层设置前述再剥离粘合剂层。 另外，优选如述底涂剂层的厚度为10ym以下。 本专利技术的再剥离粘合片优选在电子部件的切断时使用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种再剥离粘合剂组合物，其含有丙烯酸类共聚物(A)和交联剂(B)，构成所述丙烯酸类共聚物(A)的单体成分至少包括：烷基的碳数为4以下的(甲基)丙烯酸烷基酯(a)，均聚物的玻璃化转变温度(Tg)为80℃以上的共聚单体(b)，以及具有可与交联剂(B)反应的官能团的单体(c)，相对于单体成分总量，所述(甲基)丙烯酸烷基酯(a)的比例为50重量％以上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：川西道朗，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP