一种制备非晶二氧化硅纳米管的方法技术

一种制备非晶二氧化硅纳米管的方法，涉及纳米材料制备技术领域。是为了实现了非晶二氧化硅纳米管的少耗时、少污染的低成本制备。其方法：首先将单晶硅片衬底清洗干净并烘干，利用离子溅射仪在硅片表面溅射一层金膜作为催化剂，然后将承载硫化锌粉末和硅衬底的刚玉舟放到水平管式炉中，密封管式炉，通入高纯惰性气体作为载气，冲洗掉生长室内的残余空气；最后将惰性气体流速控制在30sccm～300sccm，生长室内压强保持在80Pa～1000Pa，使管式炉升温至合成温度1100℃～1200℃，并保持恒温0.2～1小时，反应结束后使管式炉自然冷却至室温。本发明专利技术适用于制备非晶二氧化硅纳米管。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制备非晶二氧化硅纳米管的方法，其特征是：它由以下步骤实现：步骤一、将单晶硅片衬底清洗干净并烘干，利用离子溅射仪在硅片表面溅射一层厚度为2nm～6nm的金膜作为催化剂，为纳米材料的生长提供成核点；步骤二、将承载硫化锌粉末和硅衬底的刚玉舟放到水平管式炉中，使硫化锌位于水平管式炉的高温区中心，硅衬底处于硫化锌下游10cm～30cm的位置，密封管式炉，通入高纯惰性气体作为载气，冲洗掉生长室内的残余空气；步骤三、将惰性气体流速控制在30sccm‑300sccm，生长室内压强保持在80Pa～1000Pa，使管式炉升温至合成温度1100℃～1200℃，并保持恒温0.2小时～1小时，反应结束后使管式炉自然...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：武立立，张喜田，孙道彬，啜慧心，
申请(专利权)人：黑龙江科技大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23